公开(公告)号：WO2020200976A1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：PCT/EP2020/058427

申请日：2020-03-25

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  GHYSELEN, Bruno

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/78

Abstract: La présente invention concerne un procédé de transfert de pavés (9) d'un substrat donneur (1) sur un substrat receveur (20), comprenant les étapes suivantes : - disposer un masque (2) en regard d'une surface libre (3) du substrat donneur, le masque (2) présentant une ou plusieurs ouvertures (4) exposant la surface libre (3) du substrat donneur, réparties selon un motif (10) déterminé, de sorte à former au moins une région exposée de la surface libre du substrat donneur, et au moins une région recouverte (5) par le masque, - former par implantation ionique au travers du masque (2) un plan de fragilisation (7) localisé dans le substrat donneur (1) à l'aplomb d'au moins une région exposée, ledit plan de fragilisation (7) délimitant, dans l'épaisseur du substrat donneur, une région superficielle (8) respective, - former un pavé (9) en relief par rapport à la surface libre (3) du substrat donneur localisé à l'aplomb de chaque plan de fragilisation (7) respectif, ledit pavé comprenant la région superficielle (8) respective, - coller le substrat donneur (1) sur le substrat receveur (20) par l'intermédiaire de chaque pavé (9) situé à l'interface de collage, après avoir retiré le masque (2), - détacher le substrat donneur (1) le long de chaque plan de fragilisation (7) localisé afin de transférer chaque pavé (9) respectif sur le substrat receveur (20).

公开(公告)号：WO2020188170A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/FR2020/050370

申请日：2020-02-26

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  BEN MOHAMED, Nadia

IPC: H01L21/67

Abstract: L'invention porte sur un système pour fracturer une pluralité d'assemblages de tranches (1), l'une des tranches de chaque assemblage (1) comprenant un plan de fragilisation et chaque assemblage (1) comprenant une gorge latérale périphérique, le dispositif comportant une nacelle (8) pour maintenir espacés et parallèles les uns aux autres, le long d'un axe de rangement, les assemblages (1) de la pluralité d'assemblages. un dispositif d'écartement (12) pour appliquer des efforts d'écartement dans la gorge périphérique d'un assemblage (1) disposé dans une zone de fracture (13) du dispositif d'écartement, les effort d'écartement visant à écarter l'une de l'autre les tranches de l'assemblage (1) de sorte à initier sa fracture au niveau du plan de fragilisation et un dispositif d'entraînement configuré pour déplacer selon l'axe de rangement la nacelle (8) vis-à-vis du dispositif d'écartement de sorte à placer successivement un assemblage (1) de la nacelle (8) dans la zone de fracture (13) du dispositif d'écartement (12).

公开(公告)号：WO2019186035A1

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：PCT/FR2019/050653

申请日：2019-03-22

Applicant: SOITEC

Inventor： GAUDIN, Gweltaz ,  LANDRU, Didier ,  GHYSELEN, Bruno

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/06

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat donneur (20) pour la réalisation d'une structure intégrée en trois dimensions (40), comprenant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat semi-conducteur (10) comprenant une couche superficielle (14), dite couche active, et une couche (11) comprenant une pluralité de cavités (12) s'étendant sous la couche active, chaque cavité (12) étant séparée d'une cavité adjacente par une cloison (13), - formation d'un dispositif électronique (15) dans une région (14A) de la couche active (14) située à l'aplomb d'une cavité (12), - dépôt d'un masque de protection (17) sur la couche active (14) de sorte à recouvrir ledit dispositif électronique (15) tout en exposant une région (16) de la couche active située à l'aplomb de chaque cloison (13), implantation d'espèces atomiques au travers des régions de la couche active exposées par le masque, pour former une zone de fragilisation (19) dans chaque cloison (13).

公开(公告)号：WO2018069595A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：PCT/FR2017/052528

申请日：2017-09-21

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg

IPC: H01L21/67

Abstract: L'invention concerne un four vertical comprenant : • une enceinte destinée à recevoir une colonne de chargement (3), • une voie d'entrée de gaz neuf, disposée à une extrémité supérieure de l'enceinte, • la colonne de chargement (3) comprenant une partie supérieure (3b), et une partie centrale (3a) pour supporter une pluralité de substrats, Le four vertical est remarquable en ce qu'il comprend en outre un dispositif de piégeage (100) formé d'au moins un matériau apte à piéger tout ou partie des contaminants présents dans le gaz neuf; le dispositif de piégeage (100) inclut une pièce circulaire (101) disposée sur la partie supérieure (3b) de la colonne de chargement (3), la pièce circulaire (101) comprenant des ailettes (102), régulièrement réparties sur une surface supérieure de la pièce circulaire (101), pour augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage (100) avec le gaz neuf.

Abstract translation: 立式炉技术领域本发明涉及一种立式炉，其包括：用于立式炉中的腔室; 以接收装载柱（3），·新的气体入口通道，被处理; 一个极端的eacute - 所述装载柱（3）包括上部（3b）和用于支撑多个层的中央部分（3a） 立式炉的显着之处在于它还包括成形装置（100） 至少一种合适的材料; 追踪新气体中存在的全部或部分污染物; 所述泵送装置（100）包括设置在所述加载柱（3）的上部（3b）上的圆形窗格（101），所述圆形窗格（101）包括翼部 （102）中，r阿古丽＆egrave;可靠地řé部件上的表面SUPé的pI＆egrave的更高;这圆形（101），以增加的pIé装置的接触表面;与所述气体9

公开(公告)号：WO2018029419A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：PCT/FR2017/052161

申请日：2017-08-01

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： LANDRU, Didier ,  BEN MOHAMED, Nadia ,  KONONCHUK, Oleg ,  MAZEN, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  REBOH, Shay ,  RIEUTORD, François

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 将有用层（3）转移到载体（4）上，该方法包括以下步骤：通过将这些元件注入第一基板（1）中来形成脆化面（2）; ），以这种方式 在该平面与第一衬底（1）的表面之间形成有用层（3）; 将支撑件（4）施加到第一基板（1）的表面以形成组件; 断裂（5）; 机组的脆化热处理; 断裂（5）; 以及沿着脆化面（3）在第一衬底（1）中开始并传播断裂波。 根据本发明，断裂波的起始位于弱化平面（2）的中心区域，并且该波的传播速度被控制以呈现足够的速度。 。 通过这种方式，在开始和/或传播期间断裂波与声振动的相互作用受到限制。 有用层（3）的区域。

公开(公告)号：WO2017068270A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/FR2016/052675

申请日：2016-10-17

Applicant: SOITEC

Inventor： GUENARD, Pascal ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DESBONNETS, Eric

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/312 ,  H01L41/0805 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/02574

Abstract: L'invention concerne une structure composite (9) pour dispositif à ondes acoustiques comprenant une hétéro-structure (5) incluant : une couche utile (2) de matériau piézoélectrique, présentant une première et une seconde face, la première face étant disposée au niveau d'une première interface de collage sur un substrat support (1) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2), la structure composite (9) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une couche fonctionnelle (6) dont toute une surface est disposée au niveau d'une seconde interface de collage sur la seconde face de la couche utile (2) et présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2 ). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure composite (9).

Abstract translation:

本发明涉及一种用于设备＆agrave的复合结构（9）; 包括ħéT E RO-结构（5）包括声波器件：一个有用的层（2）垫é廖内PIéZOé电，PRé感觉Premi＆egrave;再和一个第二侧，所述Premi＆egrave;再面Dé ;在Premi＆egrave如此设置éé;再在支撑基板上键合界面（1）PRé感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用的层（2），该复合结构（9）é作为字符éRISéE在于其包括一个功能层（6），其整个表面上的第二接口被布置éê 在有用层的第二侧接合（2）和Pré感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用层（2）。 本发明还涉及一种方法 制造复合结构（9）。

公开(公告)号：WO2014202866A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/FR2014/051406

申请日：2014-06-11

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  GOURDEL, Christophe ,  DAVID, Carole ,  MOUGEL, Sébastien ,  SCHNEIDER, Xavier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/7624

Abstract: Ce procédé comportant les étapes a) fourniture d'une enceinte (10) adaptée pour recevoir la pluralité de structures (S), b) circulation d'un flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) de sorte que l'enceinte (10) présente une atmosphère non oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures (S) à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil, le procédé étant remarquable en ce que l'étape b) est exécutée de sorte que le flux gazeux (F) présente une vitesse de circulation entre la pluralité de structures (S) supérieure à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：a）提供适于接纳多个结构（S）的腔室（10），b）使腔室（10）中的气流（F）循环，使得腔室（10） 氧化气氛，c）在高于绝缘氧化物中存在的氧扩散通过有源层的阈值以上的温度下热处理多个结构（S），与活性层的半导体材料反应， 并且产生挥发性物质，该方法是显着的，因为步骤b）被执行，使得气流（F）具有比多个结构（S）中的挥发物质的扩散速度高的循环速度 气流。

公开(公告)号：WO2014037792A2

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/IB2013/001937

申请日：2013-09-04

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/762

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: L'invention concerne un procédé de séparation d'au moins deux substrats (S1, S2) faisant partie d'une structure (S) comprenant au moins deux interfaces (I1, I2) de séparation s'étendant parallèlement aux faces principales de ladite structure, le long d'une interface (I1) choisie parmi lesdites interfaces, l'un au moins de ces deux substrats étant destiné à être utilisé dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et/ou le photovoltaïque, ladite séparation étant réalisée par l'insertion d'une lame (B) entre lesdits substrats (S1, S2) et l'application par ladite lame d'un effort d'écartement des deux substrats, caractérisé en ce que : - on choisit pour la séparation une interface (I1) sensible à la corrosion sous contrainte, c'est- à-dire à l'action combinée dudit effort d'écartement et d'un fluide susceptible de rompre des liaisons siloxane (Si-O-Si) présentes à ladite interface (I1), - avant l'insertion de ladite lame, on endommage au moins une partie d'une région périphérique (R1) de l'interface (I1) choisie comprenant la région d'insertion de la lame (B), de manière à ce que l'énergie de rupture dans ladite région périphérique (R1) soit plus faible que celle des autres interfaces dans la région d'insertion de la lame, permettant ainsi d'initier l'écartement des substrats (S1, S2) selon l'interface (I1) choisie dans la région endommagée (R1), puis en ce que - l'on applique un fluide dans l'intervalle entre lesdits substrats (S1, S2) écartés tout en poursuivant l'insertion de ladite lame, de sorte à diminuer l'énergie de rupture de l'interface (I1) choisie par corrosion sous contrainte.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 用于分离形成结构（S）的一部分的至少两个基底（S1，S2），所述结构（S）包括至少两个平行于所述结构（S）的主面延伸的分离界面（I1，I2） 所述结构沿着从所述界面选择的界面（I1），这两个衬底中的至少一个旨在用于使用 ＆Agrave; 被使用＆oacute; 在电子器件，光学器件，光电子器件和/或光电器件中，所述分离是通过在所述衬底之间插入刀片（B） （S1，S2）和通过所述刀片施加两个基底的应变力的作用，特征; 其中： - 为分离选择一个敏感接口（I1）; 应力腐蚀，也就是说; 所述过滤力和能够分解存在的硅氧烷（Si-O-Si）键的流体的组合作用; 所述接口（I1）， - 所述滑动，选择包含的第r区域Dé损坏至少所述接口（I1）的A RDé区域péRIPHé美国（R1）的至少一部分的插入之前 插入刀片（B）的方式 即所述周边区域（R1）中的断裂能量低于叶片插入区域中的其他界面的能量，因此可以启动 根据在损伤区域（R1）中选择的界面（I1）放置衬底（S1，S2），然后 - 在所述衬底之间的间隙中施加流体（S1， S2），同时继续插入所述刀片，以便 通过应力下的腐蚀来降低所选界面（I1）的破裂能量。

公开(公告)号：WO2022200712A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：PCT/FR2022/050454

申请日：2022-03-14

Applicant: SOITEC

Inventor： BIARD, Hugo ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en un matériau semi-conducteur monocristallin disposée sur un substrat support, le procédé comprenant : a) une étape de fourniture d'un substrat donneur composé du matériau semi-conducteur monocristallin, b) une étape d' implantationionique d' espèces légères dans le substrat donneur, à l'exclusion d'une zone périphérique annulaire dudit substrat, pour former un plan fragile enterré délimitant la couche mince entre ledit plan fragile enterré et une face avant du substrat donneur, les conditions d'implantation définissant un premier budget thermique pour l ' obtention d'un bullage sur la face avant du substrat donneur et un deuxième budget thermique pour l ' obtention d'une fracture dans le plan fragile enterré, c) une étape de formation d' un film raidisseur sur le substrat donneur, opérée en appliquant un budget thermique inférieur au premier budget thermique, le film raidisseur étant ajouré sous forme d' un grillage avec un taux de couverture inférieur ou égal à 30 %, et présentant une épaisseur supérieure ou égale à 0,5 micron, ledit film raidisseur ajouré laissant une pluralité de zones de la face avant nues, sous forme de motifs dont les dimensions latérales sont inférieures ou égales à 50 microns, d) une étape de dépôt d'un substrat support sur la face avant du substrat donneur munie du film raidisseur ajouré, opérée en appliquant un budget thermique supérieur au premier budget thermique, e) une étape de séparation, pour former d'une part la structure composite et d'autre part le reste du substrat donneur.

公开(公告)号：WO2021250333A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：PCT/FR2021/050718

申请日：2021-04-26

Applicant: SOITEC

Inventor： BIARD, Hugo ,  GAUDIN, Gweltaz ,  ROUCHIER, Séverin ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381

Abstract: L'invention concerne un substrat temporaire, démontable à une température de démontage supérieure à 1000°C et comprenant : - une couche utile semi-conductrice s'étendant selon un plan principal, - un substrat support, - une couche intermédiaire disposée entre la couche utile et le substrat support, et présentant une épaisseur, selon un axe normal au plan principal, inférieure à 20nm, - une interface de collage située dans la couche intermédiaire ou adjacente à celle-ci, - des atomes d'au moins une espèce gazeuse distribués selon un profil de concentration le long de l'axe normal au plan principal, avec un maximum de concentration supérieur à 1021/cm3, lesdits atomes restant piégés dans la couche intermédiaire et/ou dans une couche adjacente du substrat support d'épaisseur inférieure ou égale à 10nm et/ou dans une sous-couche adjacente de la couche utile d'épaisseur inférieure ou égale à 10nm, lorsque le substrat temporaire est soumis à une température inférieure à la température de démontage, et lesdits atomes étant destinés à diffuser à une interface de détachement lorsque le substrat temporaire est soumis à une température supérieure ou égale à la température de démontage. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit substrat temporaire. Enfin, l'invention concerne un procédé de transfert d'une couche utile sur un substrat receveur, à partir du substrat temporaire démontable, pour former une structure composite.