PTZT圧電体膜及びその圧電体膜形成用液組成物の製造方法
    43.
    发明申请
    PTZT圧電体膜及びその圧電体膜形成用液組成物の製造方法 审中-公开
    压电陶瓷膜及其制造用于形成压电薄膜的液体组合物的方法

    公开(公告)号:WO2016133045A1

    公开(公告)日:2016-08-25

    申请号:PCT/JP2016/054292

    申请日:2016-02-15

    摘要:  PTZT圧電体膜は、Pb、Ta、Zr及びTiを含有するペロブスカイト構造の金属酸化物からなり、前記金属酸化物が更に炭素を含有し、前記炭素の含有量が80~800質量ppmである。この圧電体膜形成用液組成物の製造方法では、Taアルコキシド、Zrアルコキシド、β-ジケトン類及びジオールを還流し、還流して得られた第1合成液にTiアルコキシドを添加して再び還流し、再び還流して得られた第2合成液にPb化合物を添加して更に還流し、更に還流して得られた第3合成液から溶媒を除去した後、アルコールで希釈してPTZT圧電体膜形成用液組成物が製造される。このPTZT圧電体膜形成用液組成物は、Taアルコキシド、Zrアルコキシド及びTiアルコキシドを合計した量を1モルとするとき、ジオールを7~11モル、β-ジケトン類を1.5~3.0モルとなる割合でそれぞれ含む。

    摘要翻译: 一种包含含有Pb,Ta,Zr和Ti的钙钛矿结构的金属氧化物的压电PTZT膜,其中金属氧化物还含有碳,碳含量为80-800质量ppm。 用于制造用于压电PTZT膜形成的液体组合物的方法包括:回流Ta醇盐,Zr醇盐,β-二酮化合物和二醇; 向通过回流得到的第一合成液中加入Ti醇盐,再次回流混合物; 向通过第二次回流得到的第二合成液中添加Pb化合物,进而回流该混合物; 从第三回流得到的第三合成液中除去溶剂; 然后用醇稀释所得残余物,从而制备用于压电成膜的液体组合物。 用于压电PTZT膜形成的液体组合物分别含有每摩尔Ta烷氧化物,Zr醇盐和Ti醇盐的总和为7-11mol和1.5-3.0mol的二醇和β-二酮化合物。

    圧電磁器組成物及びその製造方法
    47.
    发明申请
    圧電磁器組成物及びその製造方法 审中-公开
    压电陶瓷组合物及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013128651A1

    公开(公告)日:2013-09-06

    申请号:PCT/JP2012/056048

    申请日:2012-03-02

    IPC分类号: H01L41/187

    摘要: 【課題】良好な圧電特性を有しかつ特性バラツキが少ない圧電磁器組成物を提供すること。 【解決手段】圧電磁器組成物10は、組成式ABO 3 で表されるペロブスカイト構造の結晶相を主相として含む。A元素は、K,Na,Liから選択される1つ以上の元素であり、B元素は、Nb,Ta,Sbから選択される1つ以上の元素である。圧電磁器組成物10には、A元素及びB元素とは異なる他の元素が添加されている。圧電磁器組成物10の粉末試料のX線回折プロファイルにおいて、主相と、組成式A s B t O u (s<t<u)で表されるペロブスカイト構造に属さない結晶構造の異相との存在を示す回折ピークが存在する。異相の存在を示すメインピークの回折強度I max (2θ=29.3°)と、主相の存在を示すメインピークの回折強度I max (2θ=31.8°)との強度比vが0<v≦0.088の範囲となる組成で圧電磁器組成物10が製造される。

    摘要翻译: 提供一种具有良好的压电性能并且经受小的性能波动的压电陶瓷组合物。 [解决方案]压电陶瓷组合物(10)含有以组成式ABO3为主相的钙钛矿结构的结晶相。 元素A表示选自K,Na和Li中的至少一种元素,元素B表示选自Nb,Ta和Sb中的至少一种元素。 将不同于元素A或元素B的其他元素添加到压电陶瓷组合物(10)中。 在压电陶瓷组合物(10)的粉末样品的X射线衍射图中,出现了表现出主相存在的衍射峰和存在不属于钙钛矿结构的晶体结构的不同相 并由组成式AsBtOu(其中s

    PHOTO-REGENERABLE OXYGEN SCAVENGING PACKAGING
    48.
    发明申请
    PHOTO-REGENERABLE OXYGEN SCAVENGING PACKAGING 审中-公开
    可再生氧气包装

    公开(公告)号:WO2012143763A1

    公开(公告)日:2012-10-26

    申请号:PCT/IB2011/052558

    申请日:2011-06-13

    摘要: Photo-regenerable oxygen scavenging packaging is generally disclosed. Some example embodiments may comprise tantalum oxide and/or manganese oxide arranged to act as a photo-regenerable oxygen scavenger. The tantalum oxide, if present, may operate as an oxygen scavenger when the tantalum oxide exists as tantalum (IV) oxide. Subjecting the tantalum oxide to light may transform at least a portion of the tantalum oxide existing as tantalum (V) oxide to tantalum (IV) oxide. The manganese oxide, if present, may operate as an oxygen scavenger when the manganese oxide exists as manganese (II) oxide. Subjecting the manganese oxide to light may transform at least a portion of the manganese oxide existing as manganese (III) oxide to manganese (II) oxide. Some example containers may include a structure defining an interior volume and a photo-regenerable oxygen scavenger disposed in fluidic communication with the interior volume.

    摘要翻译: 光可再生氧清除包装通常被公开。 一些示例性实施方案可以包括布置成充当光可再生氧清除剂的氧化钽和/或氧化锰。 当钽氧化物以氧化钽(IV)的形式存在时,氧化钽(如果存在)可以作为除氧剂操作。 将钽氧化物照射到光可以将存在于氧化钽(V)的氧化钽的至少一部分转化为氧化钽(IV)。 当锰氧化物以氧化锰(II)存在时,氧化锰(如果存在)可以作为除氧剂进行操作。 使锰氧化物照射可以将至少一部分以氧化锰(III)形式存在的氧化锰转化为氧化锰(II)。 一些示例性容器可以包括限定内部体积的结构和与内部体积流体连通地设置的光可再生氧清除剂。

    化粧料及びその製造方法
    49.
    发明申请
    化粧料及びその製造方法 审中-公开
    化妆品及其制备方法

    公开(公告)号:WO2012090593A1

    公开(公告)日:2012-07-05

    申请号:PCT/JP2011/075855

    申请日:2011-11-09

    IPC分类号: A61K8/19 A61Q17/04

    摘要:  UV-A及びUV-Bに対し、十分な遮断効果を有し、化粧料中に配合しても着色せず、しかも肌に塗布した際に不自然に白浮きがない化粧料及びその製造方法を提供する。InTaO 4 の少なくとも一部が、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Co、Cu、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、及びHgのうち少なくとも1つの元素で置換された化粧料である。

    摘要翻译: 本发明提供一种化妆品材料和化妆品的制备方法,所述化妆品充分地阻挡UV-A和UV-B,当在化妆品中混合时不引起着色,并且在施用于皮肤时不会引起不自然的白度。 在化妆品中,InTaO 4的至少一部分被选自Sc,Ti,V,Cr,Mn,Co,Cu,Ga,Ge,As,Y,Zr,Nb,Mo,Tc, Ru,Rh,Pd,Ag,Cd,Sn,Sb,Hf,W,Re,Os,Ir,Pt,Au和Hg。