チタン酸バリウムの製造方法
    42.
    发明申请
    チタン酸バリウムの製造方法 审中-公开
    钛酸钡的制造方法

    公开(公告)号:WO2009125681A2

    公开(公告)日:2009-10-15

    申请号:PCT/JP2009/056214

    申请日:2009-03-19

    Inventor: 深沢純也

    Abstract: 微粒でありながら凝集の程度が低く、結晶性が高いチタン酸バリウムを容易に製造し得る方法を提供すること。下記の無定形微粒子粉末を空気中530℃以上700℃以下で加熱してチタン酸バリウムを得る第1の工程と、第1の工程で得られたチタン酸バリウムを、減圧下700℃以上1000℃以下で再加熱する第2の工程とを備えることを特徴とする。〔無定形微粒子粉末〕 チタン、バリウム、乳酸及び蓚酸を含み、BET比表面積が6m 2 /g以上で、Ba原子とTi原子のモル比(Ba/Ti)が0.98~1.02で、乳酸に由来する1120~1140cm -1 及び1040~1060cm -1 に赤外線吸収スペクトルピークを有することを特徴とする無定形微粒子粉末。 

    Abstract translation: 公开了一种容易制造由微细颗粒构成且聚集度低的高结晶度的钛酸钡的方法。 该方法包括:在530℃至700℃的温度下,在空气中加热下述无定形微粒粉末以获得钛酸钡的第一工艺; 以及在700〜1000℃的温度下,在减压下将第一工序中得到的钛酸钡再加热的第二工序。 无定形细粒子粉末含有钛,钡,乳酸,草酸,BET比表面积等于或大于6m 2 / g,Ba与Ti(Ba / Ti)的摩尔比为0.98〜 1.02,并且具有衍生自在1,120-1,140cm -1和1,040-1,060cm -1处的乳酸的红外吸收光谱峰。

    NANOMETRIC POWDER
    43.
    发明申请
    NANOMETRIC POWDER 审中-公开
    纳米粉

    公开(公告)号:WO2009071863A2

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/FR2008052163

    申请日:2008-11-28

    Abstract: The invention relates to a method for the synthesis of a powder, that comprises the following consecutive steps: A) preparing a mother liquor containing: i) an oxide base constituent or a precursor of said base constituent and an additional constituent of the formula MC, said additional constituent including: - an agent M selected from the group of oxo-anions, anions of elements of column 17 of the periodic table, hydroxide OH'' and mixtures thereof; - and a complement C, the complement being inorganic when said agent is hydroxide OH'; or ii) an oxide base constituent or a precursor of said base constituent including an agent M selected from the group of oxo-anions, anions of elements of column 17 of the periodic table and mixtures thereof; B) preparing from said mother liquor and by hydrothermal means, a sol containing raw particles having a maximum size higher than 10 nm and lower than 250 nm and even lower than 100 nm; C) washing the sol in order to obtain, after a potential drying step, a powder including more than 99.3% of said base constituent in mass percent based on the dry material.

    Abstract translation: 本发明涉及一种合成粉末的方法,其包括以下连续步骤:A)制备母液,其含有:i)氧化物基础成分或所述碱成分的前体和式MC的另外的成分, 所述另外的组分包括: - 选自氧代阴离子的组分M,周期表第17列元素的阴离子,氢氧化物OH“及其混合物; - 和补体C,当所述试剂是氢氧化物OH'时,互补物是无机的; 或ii)氧化物基础组分或所述碱性组分的前体,其包含选自氧代阴离子,元素周期表第17列元素的阴离子及其混合物的试剂M. B)从所述母液和水热装置制备含有最大尺寸高于10nm且低于250nm甚至低于100nm的原始颗粒的溶胶; C)洗涤溶胶,以便在潜在的干燥步骤之后,基于干燥材料获得包含大于99.3%的所述碱成分的粉末的质量百分比的粉末。

    スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット
    44.
    发明申请
    スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット 审中-公开
    用于粉末目标和散射目标的氧化铬粉末

    公开(公告)号:WO2006134694A1

    公开(公告)日:2006-12-21

    申请号:PCT/JP2006/304737

    申请日:2006-03-10

    Abstract:  硫黄が100wtppm以下である酸化クロムからなることを特徴とするスパッタリングターゲット用酸化クロム粉末。スパッタリングターゲット中の硫黄含有量が100wtppm以下であり、水分、炭素、窒素、硫黄のガス成分を除く純度が99.95wt%以上であることを特徴とする酸化クロム又は5モル%以上の酸化クロムを含有するスパッタリングターゲット。酸化クロム自体の純度を高めると共に、スパッタリングターゲットを製造する際に焼結密度上げることができるスパッタリングターゲット用酸化クロム粉末を提供するものであり、さらにこの酸化クロム粉末を用いてスパッタリングターゲットを製造する際に、結晶粒を微細化し、割れの発生のない、均一かつ緻密なスパッタリングターゲットを提供する。

    Abstract translation: 一种用于溅射靶的氧化铬粉末,其特征在于,其包含硫含量为100重量ppm以下的氧化铬。 具有100重量ppm的硫含量并且包含5摩尔%以上的氧化铬的溅射靶,其除了包含99.95重量%以上的水分,碳,氮和硫的气态组分以外的纯度。 提供了一种具有提高的纯度的溅射靶的氧化铬粉末,当制成飞溅靶时,显示出烧结体的密度增加; 通过使用氧化铬粉末而制造的具有微细晶粒的溅射靶没有发生裂纹,并且均匀且细微。

    MONOLITHIC FILM OF INTEGRATED HIGHLY ORIENTED HALOGENATED GRAPHENE
    48.
    发明申请
    MONOLITHIC FILM OF INTEGRATED HIGHLY ORIENTED HALOGENATED GRAPHENE 审中-公开
    一体化高精度成像图形的单片膜

    公开(公告)号:WO2017053089A1

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:PCT/US2016/051058

    申请日:2016-09-09

    Abstract: Provided is an integrated layer (10 nm to 500 μm) of highly oriented halogenated graphene having a formula C 6 Z x O y , wherein Z is a halogen element selected from F, Cl, Br, I, or a combination thereof, x = 0.01 to 6.0, y = 0 to 5.0, and x + y ≤ 6.0. The integrated layer has halogenated graphene crystals having an inter-planar spacing d 002 of 0.35 nm to 1.2 nm (more typically 0.4 - 1.0 nm) as determined by X-ray diffraction. The integrated layer has multiple constituent graphene halide planes that are substantially parallel to one another along one direction having an average deviation angle of these graphene halide planes less than 10 degrees.

    Abstract translation: 提供具有式C6ZxOy的高取向卤代石墨烯的集成层(10nm至500μm),其中Z是选自F,Cl,Br,I或其组合的卤素元素,x = 0.01至6.0,y = 0〜5.0,x +y≤6.0。 该集成层具有通过X射线衍射确定的具有0.35nm至1.2nm(更典型地为0.4-1.0nm)的平面间距d002的卤化石墨烯晶体。 该集成层具有多个构成的石墨烯卤化物平面,其沿着一个方向彼此基本平行,这些石墨烯卤化物平面的平均偏离角小于10度。

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