公开(公告)号：WO2017005752A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/065876

申请日：2016-07-05

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

发明人： THIEME, Christian ,  RÜSSEL, Christian

IPC分类号： C03C3/062 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C03C8/04 ,  C03C10/00 ,  C04B35/16 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626

CPC分类号： C03C10/0054 ,  C03B19/063 ,  C03C3/06 ,  C03C3/062 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C03C8/04 ,  C03C10/0009 ,  C03C10/0027 ,  C03C2204/00 ,  C03C2209/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/9607

摘要： Die Erfindung betrifft Keramiken und Glaskeramiken mit niedrigem und/oder negativem thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit aufzuzeigen, durch die mit möglichst geringem Aufwand bei niedriger Schmelztemperatur Keramiken und/oder Glaskeramiken mit niedriger oder aber mit negativer thermischer Dehnung hergestellt werden können. Die Aufgabe wurde erfindungsgemäß durch kristalline Phasen der Form AM 2 Si 2-y Ge y O 7 (A = Sr und Ba sowie M = Zn, Mg, Ni, Co, Fe, Cu, Mn, wobei Sr, Ba und Zn zwingend enthalten sein müssen), welche durch konventionelle keramische Verfahren oder durch Kristallisation aus Gläsern hergestellt werden können, gelöst. Die angegebenen Zusammensetzungen bilden feste Lösungen, wobei die als Komponente M angeführten Elemente einander in nahezu beliebiger Konzentration substituieren können, die Konzentration von Zn muss aber immer mindestens 50 % der Summe aller unter M aufgeführten Komponenten sein. Die Stöchiometrie dieser Silicate sowie ihre Struktur können sich mehr oder weniger stark unterscheiden.

摘要翻译： 本发明涉及陶瓷和玻璃 - 陶瓷具有低和/或负的热膨胀系数。 因此，本发明是在低熔化温度陶瓷和/或玻璃陶瓷以最小的努力公开的方式具有低或可通过产生负的热膨胀的对象。 该目的创造性地通过模具AM2Si2-yGeyO7（A = Sr和Ba，和M =锌，镁，镍，钴，铁，铜，锰，锶，钡和锌一定必须包括），的结晶相来实现，其通过常规 陶瓷过程或者可以通过溶解玻璃的结晶来制备。 该组合物形成指定的固体溶液，其中列为成分M的元素可在彼此几乎任何浓度被取代，但锌的浓度必须始终是下中号列出全部组分的总和的至少50％。 这些硅酸盐和它们的结构的化学计量可以宽泛地变化，更多或更少。

公开(公告)号：WO2016208766A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/JP2016/069018

申请日：2016-06-27

申请人： 京セラ株式会社

发明人： 反田　健二 ,  三垣　俊二

IPC分类号： C04B35/111 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15

CPC分类号： C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15

摘要： 本開示のセラミック基板は、アルミナの結晶と、ジルコニアの結晶とを含み、アルミナの質量Ａと、安定化剤成分、ハフニアおよびジルコニアを含む質量Ｂとの質量比が、８９：１１～９３：７であり、前記アルミナの平均結晶粒径が１．０μｍ以上１．５μｍ以下であり、前記ジルコニアの平均結晶粒径が０．３μｍ以上０．５μｍ以下である。

摘要翻译： 该陶瓷基板包括氧化铝晶体和氧化锆晶体，氧化铝质量A与质量B的质量比A（包括稳定剂成分，铪和氧化锆）的比例为89:11〜93:7，氧化铝的平均结晶粒径为1.0〜 1.5μm，氧化锆的平均结晶粒径为0.3〜0.5μm

公开(公告)号：WO2016129146A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/JP2015/079160

申请日：2015-10-15

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 宮永　美紀 ,  粟田　英章 ,  綿谷　研一

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/40 ,  H01J2237/332 ,  H01L29/22

摘要： 　インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が６．６ｇ／ｃｍ 3 より大きく７．５ｇ／ｃｍ 3 以下であり、酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が０．５原子％より大きく５．０原子％以下であり、酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が１．２原子％以上１９原子％以下であり、タングステンに対する亜鉛の原子比が１．０より大きく６０より小さい酸化物焼結体、これを用いたスパッタターゲットならびに半導体デバイス（１０）が提供される。

摘要翻译： 本发明提供一种氧化物烧结体，其包含铟，钨和锌，所述氧化物烧结体包含二氧化物型结晶相作为主要成分，其表观密度大于6.6g / cm 3和7.5g / cm 3以下， 相对于氧化物烧结体中的铟，钨和锌的总量，钨的含量大于0.5原子％和5.0原子％以下，锌的含量相对于铟，钨和锌的总量 氧化物烧结体为1.2〜19原子％，锌相对于钨的原子比大于1.0且小于60.还提供了使用氧化物烧结体的溅射靶和半导体器件（10）。

公开(公告)号：WO2016024442A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/JP2015/067623

申请日：2015-06-18

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 宮永　美紀 ,  綿谷　研一 ,  曽我部　浩一 ,  粟田　英章

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： 　インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有し、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が６．８ｇ／ｃｍ 3 より大きく７．２ｇ／ｃｍ 3 以下であり、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が０．５原子％より大きく１．２原子％以下であり、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が０．５原子％より大きく１．２原子％以下である酸化物焼結体及びその製造方法、当該酸化物焼結体を含むスパッタターゲット、ならびに当該スパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜（１４）を含む半導体デバイス（１０）が提供される。

摘要翻译： 提供：包含铟，钨和锌的氧化物烧结体，包括双键型结晶相作为主要成分，其表观密度为6.8-7.2g / cm 3（不包括6.8），其钨含量为 相对于铟，钨和锌的总和为0.5-1.2原子％（不包括0.5），并且锌含量相对于铟，钨和锌的总量为0.5-1.2原子％（不包括0.5）; 制造所述氧化物烧结体的方法; 包括所述氧化物烧结体的溅射靶; 以及包括通过使用所述溅射靶溅射形成的氧化物半导体层（14）的半导体器件（10）。

公开(公告)号：WO2015199121A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/JP2015/068159

申请日：2015-06-24

申请人： 住友金属鉱山株式会社

发明人： 中山　徳行 ,  西村　英一郎 ,  松村　文彦 ,  井藁　正史

IPC分类号： C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/465 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/245 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 　スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。　この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及びニッケル、コバルト、カルシウム、ストロンチウム及び鉛からなる群より選択された一つ以上の正二価元素を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４５以下であり前記正二価元素の含有量がＭ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｍ）原子数比で０．０００１以上０．０５以下である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度３．０×１０ １８ ｃｍ －３ 未満で、キャリア移動度１０ｃｍ ２ Ｖ －１ ｓｅｃ －１ 以上が得られる。

摘要翻译： 提供一种氧化物烧结体，其通过溅射用于获得氧化物半导体薄膜时，可以实现低载流子浓度和高载流子迁移率。 还提供了使用氧化物烧结体的溅射靶。 氧化物烧结体含有铟，镓和至少一种选自镍，钴，钙，锶和铅的正二价元素作为氧化物。 根据原子比Ga /（In + Ga），镓含量为0.20〜0.45，以原子比M /（In + Ga + M）计的正二价元素含量为0.0001 至0.05。 使用氧化物烧结体作为溅射靶形成的非晶氧化物半导体薄膜可以实现小于3.0×1018cm-3的载流子浓度和至少10cm 2·V -1·s -1的载流子迁移率。

公开(公告)号：WO2015186571A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：PCT/JP2015/065096

申请日：2015-05-26

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 磯田　佳範 ,  佐藤　洋介 ,  勝田　祐司

IPC分类号： C04B35/195 ,  C04B37/00

CPC分类号： C04B35/195 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/00 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/55 ,  C30B33/06

摘要： 　本発明のコージェライト焼結体は、Ｘ線回折図において、コージェライトの（１１０）面のピークトップ強度に対する、コージェライト成分以外の各成分の最大ピークの強度の総和の比が、０．００２５以下のものである。このコージェライト焼結体は、コージェライト成分以外の異相が極めて少ないため、表面を鏡面状に研磨したときの表面平坦性が高くなる。

摘要翻译： 该堇青石烧结体的X射线衍射图中，堇青石成分以外的成分的最大峰强度相对于堇青石的（110）面的峰顶强度的总和的比例为0.0025以下。 该堇青石烧结体除了堇青石成分以外，具有非常少的异相，因此在将其表面抛光至镜面时具有极高的表面平坦度。

公开(公告)号：WO2015125167A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/IT2015/000036

申请日：2015-02-13

申请人： POLITECNICO DI TORINO ,  INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON ,  DOCERAM MEDICAL CERAMICS GMBH ,  UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON 1 (UCBL) ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

发明人： MONTANARO, Laura ,  PALMERO, Paola ,  CHEVALIER, Jerome ,  REVERON, Helen ,  FUERDERER, Tobias

IPC分类号： B82Y30/00 ,  C04B35/488

CPC分类号： C04B35/4885 ,  B01J2/06 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/488 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62886 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： A process is described, for producing zirconia-based multi-phasic ceramic composite materials, comprising the steps of: providing at least one ceramic suspension by dispersing at least one ceramic zirconia powder in at least one aqueous medium to obtain at least one matrix for such composite material; providing at least one aqueous solution containing one or more inorganic precursors and adding such aqueous solution to such ceramic suspension to surface modify such ceramic zirconia powder and obtain at least one additived suspension; quickly drying such additived suspension to obtain at least one additived powder; heat treating such additived powder to obtain at least one zirconia powder coated on its surface by second phases; and forming such zirconia powder coated on its surface by second phases.

摘要翻译： 描述了一种用于生产基于氧化锆的多相陶瓷复合材料的方法，包括以下步骤：通过将至少一种陶瓷氧化锆粉末分散在至少一种水性介质中来提供至少一种陶瓷悬浮液，以获得至少一种用于这种 复合材料; 提供至少一种含有一种或多种无机前体的水溶液，并将这种水溶液加入到这种陶瓷悬浮液中以对该陶瓷氧化锆粉末进行表面改性并获得至少一种添加的悬浮液; 快速干燥这种添加的悬浮液以获得至少一种添加的粉末; 热处理这种添加的粉末以获得通过第二相涂覆在其表面上的至少一种氧化锆粉末; 并且通过第二相在其表面上形成这样的氧化锆粉末。

公开(公告)号：WO2015053938A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2014/057096

申请日：2014-09-24

申请人： UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION

发明人： SCHMIDT, Wayde R. ,  SHEEDY, Paul

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/622 ,  C04B33/32

CPC分类号： C04B35/62894 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/62868 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/62892 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/667 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80

摘要： Disclosed is a method for controlling a microstructure of an inorganic material includes providing a structure that has a first region of an inorganic material having a first microstructure and a second region that is thermally responsive to electromagnetic radiation, the second region being adjacent the first region, and indirectly heating the first region by thermally activating the second region, using electromagnetic radiation, to generate heat. The generated heat converts the first microstructure of the inorganic material to a second, different microstructure. The method can be applied to control a microstructure of an inorganic coating on an inorganic fiber.

摘要翻译： 公开了一种用于控制无机材料的显微组织的方法，包括提供具有第一微结构的无机材料的第一区域和对电磁辐射热响应的第二区域的结构，所述第二区域与第一区域相邻， 并且通过使用电磁辐射热激活第二区域来间接加热第一区域以产生热量。 所产生的热量将无机材料的第一微结构转化为第二不同的微结构。 该方法可用于控制无机纤维上的无机涂层的微结构。

公开(公告)号：WO2014073388A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/JP2013/078841

申请日：2013-10-24

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 佐藤　洋介 ,  磯田　佳範 ,  勝田　祐司

IPC分类号： C04B35/053 ,  C23C14/34 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： C04B35/04 ,  C04B35/053 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/3909 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 　本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、ガリウム、リチウム及び酸素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに酸化ガリウム及び酸化リチウムが固溶した固溶体の結晶相を主相とするものである。この固溶体は、ＣｕＫα線を用いたときの（２００）面のＸＲＤピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークより大きい２θ＝４２．９１°以上に現れることが好ましく、２θ＝４２．９１°～４３．２８°に現れることがより好ましく、２θ＝４２．９１°～４３．０２°に現れることが更に好ましい。更に、セラミックス材料は、ＬｉとＧａとのモル比Ｌｉ／Ｇａが０．８０以上１．２０以下の範囲にあることが好ましい。

摘要翻译： 该陶瓷材料主要由镁，镓，锂和氧组成，该陶瓷材料的主相是在氧化镁溶液中由氧化镓和氧化锂组成的结晶固溶体。 使用X射线衍射，所述固溶体的（200）面的铜K-α峰最好出现在2或2以上; = 42.91°，高于立方氧化镁峰; 更优选出现在2和之间; = 42.91°和2＆thetas; = 43.28°（含） 甚至更优选出现在2和之间; = 42.91°和2＆thetas; = 43.02°（含）。 该陶瓷材料的锂/镓摩尔比（Li / Ga）也优选为0.80-1.20。

公开(公告)号：WO2014073387A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/JP2013/078840

申请日：2013-10-24

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 佐藤　洋介 ,  磯田　佳範 ,  勝田　祐司

IPC分类号： C04B35/04 ,  C01G25/00 ,  C23C14/34 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： C04B35/04 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2006/14 ,  C04B35/053 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 　本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、ジルコニウム、リチウム及び酸素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに酸化ジルコニウム及び酸化リチウムが固溶した固溶体の結晶相を主相とするものである。この固溶体は、ＣｕＫα線を用いたときの（２００）面のＸＲＤピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークより小さい２θ＝４２．８９°以下に現れることが好ましく、２θ＝４２．３８°～４２．８９°に現れることがより好ましく、２θ＝４２．８２°～４２．８９°に現れることが更に好ましい。更に、セラミックス材料は、ＬｉとＺｒとのモル比Ｌｉ／Ｚｒが１．９６以上２．３３以下の範囲にあることが好ましい。

摘要翻译： 该陶瓷材料主要由镁，锆，锂和氧组成，并且该陶瓷材料的主相是在氧化镁溶液中由氧化锆和氧化锂组成的结晶固溶体。 使用X射线衍射，所述固溶体的（200）面的铜K-α峰最好出现在或低于2θ。 = 42.89°，低于立方氧化镁峰; 更优选出现在2和之间; = 42.38°和2°; = 42.89°（含） 甚至更优选出现在2和之间; = 42.82°和2°; = 42.89°（含）。 该陶瓷材料的锂/锆摩尔比（Li / Zr）也优选为1.96〜2.33。