公开(公告)号：WO2014148157A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/JP2014/053300

申请日：2014-02-13

Applicant: 株式会社アライドマテリアル

Inventor： 深谷　芳竹 ,  渡辺　慎

IPC: C30B29/20 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  C30B15/10 ,  F27B14/10

CPC classification number: C30B29/20 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  F27B14/10 ,  F27B17/02

Abstract: 　本発明の課題は、溶解したサファイアへの坩堝成分の混入を抑制可能な構造のサファイア単結晶育成用坩堝を提供することにある。本発明のサファイア単結晶育成用坩堝は、モリブデンと不可避不純物で構成されるか、またはタングステンを０．１質量％以上、６０質量％以下含有するタングステン－モリブデン合金と不可避不純物で構成され、開口部からつなぎ目なしで連なる厚さ０．３ｍｍ以上、２ｍｍ以下の底部を有する円筒状の内側容器を有する。

Abstract translation: 本发明解决了提供一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚的问题，其具有可以抑制熔融蓝宝石被坩埚的部件污染的结构。 用于生长蓝宝石单晶的坩埚具有由钼和不可避免的杂质组成的圆筒形内部容器或钨含量为0.1〜60质量％的钨 - 钼合金和不可避免的杂质，并且具有底部， 厚度为0.3〜2mm，整体形成为在开口部和底部之间形成无缝隙的有底筒状容器。

公开(公告)号：WO2014123801A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/US2014/014393

申请日：2014-02-03

Applicant: SACHSISOLAR, INC.

Inventor： SACHS, Christoph

IPC: F27B14/10 ,  F27D1/16

CPC classification number: F27B14/10 ,  C01B33/021 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  F27B14/12 ,  F27B2014/0843 ,  F27B2014/104 ,  F27D1/0003 ,  F27D1/16 ,  F27D1/1626 ,  F27D2005/0075

Abstract: A liner is placed into a crucible to prevent semiconductor material from contacting the interior surfaces of the crucible and to allow the crucible to be reused in the making of semiconductor ingots.

Abstract translation: 将衬垫放置在坩埚中以防止半导体材料与坩埚的内表面接触，并允许坩埚重新用于半导体锭的制造。

公开(公告)号：WO2012065271A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/CA2011/050716

申请日：2011-11-17

Applicant: CALISOLAR CANADA INC. ,  NICHOL, Scott ,  SMITH, Dan

Inventor： NICHOL, Scott ,  SMITH, Dan

IPC: C30B28/06 ,  C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: F27B14/10 ,  B22D27/045 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

Abstract: The present invention relates to an apparatus and method for purifying silicon using directional solidification. The apparatus can be used more than once for the directional solidification of silicon without failure. The apparatus and method of the present invention can be used to make silicon crystals for use in solar cells.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用定向凝固纯化硅的装置和方法。 该设备可以不止一次地用于硅的定向凝固而没有故障。 本发明的装置和方法可用于制造用于太阳能电池的硅晶体。

公开(公告)号：WO2010105617A4

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/DE2010000338

申请日：2010-03-19

Applicant: ACCESS EV ,  BAEHR THOMAS ,  VAN LOO ROEL

Inventor： BAEHR THOMAS ,  VAN LOO ROEL

IPC: F27B14/10 ,  C30B11/00 ,  C30B13/14

CPC classification number: F27B14/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/6365 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/786 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: The invention relates to a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a crucible wall of a crucible base body is made at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2). The invention further relates to a component for a crucible base body of a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a component segment is made at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2), and to a method for producing a component for a crucible base of a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a component segment is formed at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2).

Abstract translation: 本发明涉及的坩埚以熔化和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中，坩埚基体的坩埚中至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅在约1:10至约1之间的重量比：1（氮化硅： 二氧化硅）包含的内容。 此外，本发明涉及一种用于熔化坩埚的坩埚基体的成分和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中的组成部分至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅在约1:10和之间的重量比 约1：1（氮化硅为：SiO2）包含，以及一种用于制造组件，其用于熔融的坩埚的坩埚基体和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中一部件部分是至少部分地形成从坩埚材料的氮化硅的方法和 SiIiziumdioxid在约1:10至约1之间的重量比：1（氮化硅为：SiO2）含有。

公开(公告)号：WO2010105617A3

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/DE2010000338

申请日：2010-03-19

Applicant: ACCESS EV ,  BAEHR THOMAS ,  VAN LOO ROEL

Inventor： BAEHR THOMAS ,  VAN LOO ROEL

IPC: F27B14/10 ,  C30B11/00 ,  C30B13/14

CPC classification number: F27B14/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/6365 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/786 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: The invention relates to a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a crucible wall of a crucible base body is made at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2). The invention further relates to a component for a crucible base body of a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a component segment is made at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2), and to a method for producing a component for a crucible base of a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a component segment is formed at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2).

Abstract translation: 本发明涉及的坩埚以熔化和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中，坩埚基体的坩埚中至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅在约1:10至约1之间的重量比：1（氮化硅： 二氧化硅）包含的内容。 此外，本发明涉及一种用于熔化坩埚的坩埚基体的成分和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中的组成部分至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅在约1:10和之间的重量比 约1：1（氮化硅为：SiO2）包含，以及一种用于制造组件，其用于熔融的坩埚的坩埚基体和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中一部件部分是至少部分地形成从坩埚材料的氮化硅的方法和 二氧化硅的重量比为约1:10至约1：1（Si 3 N 4：SiO 2）。

公开(公告)号：WO2010078019A3

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/US2009068431

申请日：2009-12-17

Applicant: ZIRCOA INC

Inventor： JUST ARDEN L

IPC: C04B41/45 ,  C30B15/10 ,  F27B14/10

CPC classification number: C04B41/87 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5042 ,  F27B14/10 ,  C04B41/4515 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/457 ,  C04B35/00 ,  C04B35/48 ,  C04B38/00

Abstract: A method of sealing a surface and structure of a refractory crucible with a ceramic, comprising the steps of: (a) heating a refractory crucible to a predetermined temperature; (b) applying a wetting agent to a surface of the crucible; (c) applying a ceramic slip along the inner surface of the crucible; (d) applying a vacuum to an outer surface of the crucible; (e) removing excess slip from the inner surface of the crucible; (f) heating the crucible to remove moisture therefrom; and (g) firing the crucible at a temperature between 1.300°C and about 1.700°C.

Abstract translation: 一种用陶瓷密封耐火坩埚的表面和结构的方法，包括以下步骤：（a）将耐火坩埚加热到预定温度; （b）将润湿剂施加到坩埚的表面; （c）沿着坩埚的内表面施加陶瓷粉浆; （d）对坩埚的外表面施加真空; （e）从坩埚的内表面去除多余的滑移; （f）加热坩埚以除去其中的水分; 和（g）在1.300℃和约1.700℃之间的温度下烧制坩埚。

公开(公告)号：WO2008073827A9

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：PCT/US2007086794

申请日：2007-12-07

Applicant: WILD RIVER CONSULTING GROUP LL ,  WILLIAMS RODNEY K

Inventor： WILLIAMS RODNEY K

IPC: C01G41/00 ,  C01G99/00 ,  C03B5/02 ,  C22B34/36

CPC classification number: H05B6/24 ,  C01G41/00 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/14 ,  C22B1/00 ,  C22B34/36 ,  F27B14/061 ,  F27B14/10 ,  F27B14/14 ,  F27D1/0003 ,  F27D11/06 ,  Y02P10/253 ,  Y02W30/54

Abstract: The product of a molten alkali metal metalate phase separation can be processed into a purified metal from a metal source. Metal sources include native ores, recycled metal, metal alloys, impure metal stock, recycle materials, etc. The method uses a molten alkali metal metalate as a process medium or solvent in purifying or extracting high value metal or metal oxides from metal sources. Vitrification methods using the silicate glass separation phase can be prepared as is or can be prepared with a particulate phase distributed throughout the silica glass phase and encapsulated and fixed within the continuous glass phase. Tungsten metal can be obtained from an alkali metal rungstate. A typically finely divided tungsten metal powder can be obtained from a variety of tungsten sources including recycled tungsten scrap, tungsten carbide scrap, low grade tungsten ore typically comprising tungsten oxide or other form of tungsten in a variety of oxidation states.

Abstract translation: 熔融碱金属金属化物相分离产物可以从金属源加工成纯化金属。 金属源包括天然矿石，回收金属，金属合金，不纯金属原料，再循环材料等。该方法使用熔融碱金属金属化物作为过程介质或溶剂从金属源中纯化或提取高价值的金属或金属氧化物。 使用硅酸盐玻璃分离相的玻璃化方法可以按原样制备，或者可以用分布在整个二氧化硅玻璃相中的颗粒相制备，并包封并固定在连续玻璃相中。 钨金属可以从碱金属梯级得到。 通常细碎的钨金属粉末可以从多种钨源获得，包括回收的钨废料，碳化钨废料，通常包含氧化钨的低品位钨矿石或处于各种氧化态的其他形式的钨。

公开(公告)号：WO2008104702A3

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/FR2008050220

申请日：2008-02-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  EFD INDUCTION SA ,  LAFON CHRISTOPHE ,  BOEN ROGER ,  BRUGUIERE LIONEL ,  GIROLD CHRISTOPHE ,  LEMORT FLORENT ,  BONNETIER ARMAND ,  RIVAT PASCAL ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  DELAGE DANIEL

Inventor： LAFON CHRISTOPHE ,  BOEN ROGER ,  BRUGUIERE LIONEL ,  GIROLD CHRISTOPHE ,  LEMORT FLORENT ,  BONNETIER ARMAND ,  RIVAT PASCAL ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  DELAGE DANIEL

IPC: C01B33/037 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: C03B5/225 ,  C01B33/037 ,  C03B5/021 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to equipment for refining a load of silicon(s) that comprises a crucible (5) including at least one sole (20) made of a first refractory material having good heat conductivity, means (26, 28) for cooling the sole, a protection member (30) made of at least a second refractory material having low heat conductivity and to be provided between the crucible and the load, and induction heating means (23, 24) of the load including a winding (23) provided in or under the sole.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于精制硅载体的设备，其包括坩埚（5），坩埚（5）包括由具有良好导热性的第一耐火材料制成的至少一个鞋底（20），用于冷却鞋底的装置（26,28） ，由至少第二耐火材料制成的保护构件（30），所述第二耐火材料具有低导热性并且设置在所述坩埚和所述负载之间;以及所述负载的感应加热装置（23,24）包括：绕组（23） 或在鞋底下。

公开(公告)号：WO2008095594A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：PCT/EP2008/000360

申请日：2008-01-18

Applicant: VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY ,  RANCOULE, Gilbert ,  MARTIN, Christian

Inventor： RANCOULE, Gilbert ,  MARTIN, Christian

IPC: C30B11/00 ,  C30B15/10 ,  C30B35/00 ,  F27B14/10

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  F27B14/10

Abstract: L'invention concerne un creuset monobloc (10) pour la fusion d'un produit non ferreux, du type comportant un fond (12) délimité par une surface interne sensiblement plane (16) du creuset entourée par une surface interne courbe (18) muni de moyens de marquage (20) matérialisant la base d'une zone imaginaire de remplissage (22) du produit à l'état solide dans le creuset, dans lequel les moyens de marquage (20, 20') séparent la surface plane (16) en une première partie (24) centrale et une seconde partie (26) périphérique. L'invention concerne également un procédé de remplissage d'un creuset pour la fusion d'un produit non ferreux, au cours duquel on dispose le produit à l'état solide dans une zone imaginaire (22) de remplissage du creuset. On utilise des moyens de marquage (20) pour matérialiser une base de la zone imaginaire de remplissage du produit à l'état solide dans le creuset, et l'on dispose le produit en fonction de ces moyens de marquage de telle sorte que le produit puisse se dilater lors de la fusion du produit non ferreux sans entrer en contact avec la surface interne courbe du creuset.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于熔化有色金属产品的单件式坩埚（10），其包括由坩埚的近似平面内表面（16）限定的底部（12），所述表面被弯曲的 内表面（18）设有标记装置（20），用于将坩埚中固态产品的虚拟填充区（22）的底部成形，其中标记装置（20,20'）将平面 16）插入中央第一部分（24）和周边第二部分（26）中。 本发明还涉及一种填充用于熔化有色金属产品的坩埚的方法，在该方法期间将固态产品置于坩埚的假想填充区域（22）中。 标记装置（20）用于实现坩埚中固体产品的假想填充区域的基部，并且根据这些标记装置放置产品，使得产品可以在熔融期间膨胀， 有色金属产品不与坩埚的弯曲内表面接触。

公开(公告)号：WO2008077957A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/EP2007/064495

申请日：2007-12-21

Applicant: FCI ,  FCI CONNECTORS SINGAPORE PTE LTD ,  FUNAMIZU, Daisuke

Inventor： FUNAMIZU, Daisuke

IPC: B23K23/00 ,  F27B14/10

CPC classification number: B23K23/00 ,  F27B14/10 ,  F27D3/1518

Abstract: The thermit welding device (1) of the present invention comprises: a tubular thermit welding crucible (3) having a bottom portion provided with a through portion (6) to an exterior, and having a glass layer or metal layer formed on an inner tubular surface; and a body portion comprising a cavity portion (10) forming a welding portion, and a passageway (9, 11) communicating with said through portion (6) at one opening portion and communicating with said cavity portion (10) at another opening portion.

Abstract translation: 本发明的熔接装置（1）包括：管状热焊坩埚（3），其具有向外部设置有通孔部分（6）的底部，并且具有形成在内管上的玻璃层或金属层 表面; 以及主体部分，其包括形成焊接部分的空腔部分（10），以及在一个开口部分处与所述贯穿部分（6）连通并且在另一个开口部分处与所述空腔部分（10）连通的通道（9,11）。