고체 콘덴서용 수분산 전도성 고분자의 제조방법
    42.
    发明申请
    고체 콘덴서용 수분산 전도성 고분자의 제조방법 审中-公开
    用于制备固体冷凝器的水分散导电大分子的方法

    公开(公告)号:WO2014077515A1

    公开(公告)日:2014-05-22

    申请号:PCT/KR2013/009160

    申请日:2013-10-14

    Abstract: 본 발명은 고체 콘덴서용 고분자의 도판트로 사용하기 위한 중합체의 제조방법과 이를 이용한 고체 콘덴서용 수분산 전도성 고분자의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따르면 소듐 스티렌술포네이트와 특정 술폰산계 단량체의 중합으로 얻어진 폴리비닐술포닉-co-스티렌술폰산과 같은 술폰산계 중합체를 도판트를 사용함으로써, 기존 대비 높은 항복 전압을 나타내고, 전기적 특성이 우수한 수분산 전도성 고분자의 제조방법이 제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制备用作固体冷凝器的高分子的掺杂剂的聚合物的方法,以及制备用于使用其的固体冷凝器的水分散性导电性高分子的方法。 更具体地,根据本发明,提供了一种制备具有优异电性能并相对于常规大分子显示较高击穿电压的水分散性导电性高分子的方法,其通过使用磺酸基聚合物如聚乙烯基磺酸 - 共 - 苯乙烯磺酸 酸作为掺杂剂,其中磺酸基聚合物通过苯乙烯磺酸钠和特定的磺酸基单体的聚合获得。

    標準電極電位が0Vよりも大きい元素の粒子の製造方法
    43.
    发明申请
    標準電極電位が0Vよりも大きい元素の粒子の製造方法 审中-公开
    具有标准电极潜在电位大于零的元件颗粒的生产方法

    公开(公告)号:WO2014065204A1

    公开(公告)日:2014-05-01

    申请号:PCT/JP2013/078282

    申请日:2013-10-18

    Abstract:  本発明は、プロトン性溶媒溶液中において、プロトン性溶媒に対して難溶性のポリシランを用いて、少なくとも1種の標準電極電位が0Vよりも大きい元素のイオンから、当該元素の粒子を製造することを特徴とする、標準電極電位が0Vよりも大きい元素の粒子の製造方法、並びにプロトン性溶媒に対して難溶性のポリシランに、少なくとも1種の標準電極電位が0Vよりも大きい元素(ただし、前記ポリシランがジメチルポリシランの場合には、前記元素にパラジウムは含まれない。)の粒子が吸着されていることを特徴とする、標準電極電位が0Vよりも大きい元素の粒子とポリシランの複合体を提供する。

    Abstract translation: 本发明提供一种用于生产具有大于0V的标准电极电位的元素颗粒的方法,其特征在于在非质子溶剂溶液中使用在非质子溶剂中具有差的溶解度的聚硅烷,以从离子产生所述元素颗粒 的至少一种类型的元件具有大于0V的标准电极电位; 和聚硅烷的复合物和具有大于0V的标准电极电位的元素的颗粒,其特征在于,具有标准的至少一种元素的颗粒(不包括在元素中的聚合物,如果聚硅烷是二甲基聚硅烷) 电极电位大于0V,附着于在非质子溶剂中溶解性差的聚硅烷。

    ELECTRICALLY CONDUCTING THIN FILMS AND METHODS OF MAKING SAME
    44.
    发明申请
    ELECTRICALLY CONDUCTING THIN FILMS AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
    电导薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013154896A1

    公开(公告)日:2013-10-17

    申请号:PCT/US2013/035206

    申请日:2013-04-04

    Abstract: The present invention relates conductive nanostructured copolymer materials, such as thin film. In particular, the nanostructured copolymer material comprises plurality of chains substantially parallel to each other, each conductive chain comprising a plurality of conductive polyacetylene polymer blocks positioned along the chain and a plurality of polar poly(vinyl alcohol) polymer blocks in between the polyacetylene polymer blocks to form a pattern of alternatively repeating polyacetylene polymer blocks and poly(vinyl alcohol) polymer blocks and a ratio of polyacetylene polymer to poly(vinyl alcohol) polymer to provide the nanostructured copolymer material with conductivity of at least 1 S/cm. In some aspects, the invention relates to photoelectric devices comprising a nanostructured copolymer material and capable to convert light to electrical current.

    Abstract translation: 本发明涉及导电纳米结构共聚物材料,如薄膜。 特别地,纳米结构共聚物材料包括基本上彼此平行的多个链,每个导电链包括沿链条定位的多个导电聚乙炔聚合物嵌段和在聚乙炔聚合物嵌段之间的多个极性聚(乙烯醇)聚合物嵌段 形成交替重复的聚乙炔聚合物嵌段和聚(乙烯醇)聚合物嵌段的图案以及聚乙炔聚合物与聚(乙烯醇)聚合物的比例,以提供导电率至少为1S / cm的纳米结构共聚物材料。 在一些方面,本发明涉及包含纳米结构共聚物材料并且能够将光转换成电流的光电器件。

    SALT MODIFIED INHERENTLY ELECTROSTATIC DISSIPATIVE POLYMERS
    46.
    发明申请
    SALT MODIFIED INHERENTLY ELECTROSTATIC DISSIPATIVE POLYMERS 审中-公开
    盐改性静电消泡聚合物

    公开(公告)号:WO2012058253A1

    公开(公告)日:2012-05-03

    申请号:PCT/US2011/057783

    申请日:2011-10-26

    CPC classification number: H01B1/124 C08K5/0075 C08K5/42 C08K2201/014 H01B1/125

    Abstract: The present invention relates to inherently electrostatic dissipative polymers, such as thermoplastic urethanes (TPU), and compositions thereof. The present invention provides a composition comprising: (a) an inherently dissipative polymer and (b) a halogen-free metal salt of an amidoalkanesulfonic acid, a hydrocarbyl-substituted benzenesulfonic acid, or a mixture thereof, or a polymer derived therefrom. The invention also provides a shaped polymeric article comprising the inherently dissipative polymer compositions described herein. The invention also provides a process of making the inherently dissipative polymer compositions described herein. The process includes the step of mixing a halogen-free metal-containing salt into an inherently dissipative polymer.

    Abstract translation: 本发明涉及固有的静电消散聚合物,例如热塑性聚氨酯(TPU)及其组合物。 本发明提供一种组合物,其包含:(a)固有耗散聚合物和(b)酰胺基烷基磺酸的无卤素金属盐,烃基取代的苯磺酸或其混合物,或由其衍生的聚合物。 本发明还提供了包含本文所述的固有耗散聚合物组合物的成型聚合物制品。 本发明还提供了制备本文所述固有耗散聚合物组合物的方法。 该方法包括将含卤素的含金属盐混合到固有的耗散聚合物中的步骤。

    導電材料および導電膜ならびにそれらの製造方法
    50.
    发明申请
    導電材料および導電膜ならびにそれらの製造方法 审中-公开
    导电材料和导电膜及其生产工艺

    公开(公告)号:WO2006117967A1

    公开(公告)日:2006-11-09

    申请号:PCT/JP2006/307242

    申请日:2006-04-05

    Inventor: 北村 隆之

    CPC classification number: C08J7/065 C08J5/18 C08J2300/12 C08L101/12 H01B1/125

    Abstract:  π共役系高分子をイオン液体と接触処理させることにより形成した導電材料、およびπ共役系高分子膜をイオン液体と接触処理させることにより形成した導電膜が提供される。また、これらの製造方法が提供される。

    Abstract translation: 通过处理与离子液体接触的p共轭聚合物制备的导电材料; 以及通过处理与离子液体接触的p共轭聚合物膜制备的导电膜。 此外,提供了用于生产它们的方法。

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