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    単結晶加工部材およびその製造方法
    41.
    发明申请
    単結晶加工部材およびその製造方法 审中-公开
    加工单晶组件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013115351A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：PCT/JP2013/052325

    申请日：2013-02-01

    申请人： 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

    发明人： 鈴木　秀樹 ,  国司　洋介 ,  松尾　利香 ,  池野　順一

    IPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/38 ,  B28D5/00 ,  H01L21/304

    CPC分类号： C30B29/06 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0665 ,  B28D5/0011 ,  C30B33/04 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024

    摘要： 　単結晶部材に形成した改質層から剥離させることで比較的大きくて薄い単結晶基板を形成した際、剥離面に不具合が生じることを抑えて容易に剥離可能とする単結晶加工部材およびその製造方法を提供することを課題とする。単結晶加工部材（２０）は、単結晶部材の被照射側の表面（２０ｔ）から単結晶部材の内部にレーザ光を集光することで形成され、表面（２０ｔ）と離間しかつ表面（２０ｔ）と平行に延在する加工領域（２１）と、加工領域（２１）に隣接する非加工領域（２２）と、を有する。加工領域（２１）と非加工領域（２２）との間には、連続する境界（２３）が形成されている。

    摘要翻译： 本发明解决了提供加工的单晶构件及其制造方法的问题，所述加工的单晶构件在通过从形成在单晶构件中的改性层分离而形成相对较大的薄单晶基板时有助于分离，同时限制了脱离中的缺陷的发生 表面。 加工单晶构件（20）通过将单晶体构件的表面（20t）的激光聚焦在照射到单晶构件的内部的一侧上而形成; 并且包括与表面（20t）一定距离并且平行于表面（20t）延伸的处理区域（21）和与处理区域（21）相邻的未处理区域（22）。 在处理区域（21）和非处理区域（22）之间，形成连续边界（23）。

    VERFAHREN ZUM RÜCKSTANDSLOSEN ABTRAGEN VON MINERALISCHEN BAUMATERIALIEN UND WERKZEUGMASCHINE
    43.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM RÜCKSTANDSLOSEN ABTRAGEN VON MINERALISCHEN BAUMATERIALIEN UND WERKZEUGMASCHINE 审中-公开
    除去方法矿物材料和机床碎片地段

    公开(公告)号：WO2013064321A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/EP2012/069508

    申请日：2012-10-03

    申请人： HILTI AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： HANNOSCHOECK, Nikolaus ,  KHANDOZHKO, Serhey ,  SANCHEN, Günter ,  STOLBERG, Klaus ,  FRIEDEL, Susanna

    IPC分类号： B23K26/03 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/14 ,  B28D1/14 ,  B28D1/22

    CPC分类号： B28D1/221 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/142 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D1/14

    摘要： Ein Verfahren zum rückstandslosen Abtragen von mineralischen Baumaterialien, insbesondere zum Schneiden oder Bohren von mineralischen Baumaterialien, beinhaltet die Schritte: Ein Werkstück aus einem mineralischen Baumaterial wird mit einem Laserstrahl zum Erzeugen eines Laserflecks (11) auf der Oberfläche des Werkstücks angestrahlt. Ein Luftstrom wird auf den Laserflecks (11) gerichtet. Eine Fluenz des Laserflecks (11) wird auf eine erste Fluenz im Bereich zwischen 0,2 MW/cm 2 und 1 MW/cm 2 eingestellt. Erhöhen der Fluenz des Laserflecks (11) auf eine zweite Fluenz von wenigstens 1 GW/cm 2 , wenn die Oberfläche im Bereich des Laserflecks (11) ein anderes Material als Zementmatrix enthält.

    摘要翻译： 一种用于无残余物的去除的无机建筑材料，特别是用于切割或矿物建筑材料钻，其包括以下步骤的方法：由无机建筑材料的工件用激光束照射而产生的工件的表面上的激光光点（11）。 空气流被引导到激光光斑（11）。 激光光斑（11）的注量设定为0.2 mW / cm2的和1兆瓦/厘米2的范围内的第一通量。 上的至少1 GW / cm 2的第二通量，当激光光斑（11）的表面积比包含水泥基体以外的材料增加激光光斑（11）的注量。

    ガラス基板のレーザ加工装置
    44.
    发明申请
    ガラス基板のレーザ加工装置 审中-公开
    激光加工玻璃基板装置

    公开(公告)号：WO2013051424A1

    公开(公告)日：2013-04-11

    申请号：PCT/JP2012/074513

    申请日：2012-09-25

    申请人： 株式会社ブイ・テクノロジー

    发明人： 水村　通伸

    IPC分类号： C03B33/09 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40

    CPC分类号： B23K26/0734 ,  B23K26/0648 ,  C03B33/091

    摘要： 環状に設けられたシリンドリカルレンズにより、レーザ光源から出射されたレーザ光をガラス基板の切断予定線に対応させて集光する。シリンドリカルレンズに対するレーザ光の照射位置は、駆動装置により第１方向に移動される。レーザ光はその光軸に直交する面内で、第１方向に垂直の第２方向の幅Ｗ ５ がシリンドリカルレンズの幅Ｗ ７ よりも大きい。そして、駆動装置により、レーザ光の照射位置を第１方向に移動させる過程で、レーザ光源からレーザ光を複数回出射させることにより、切断予定線に対応する加工痕を形成する。これにより、ガラス基板に無端の閉じた形状の加工痕を容易に形成でき、ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができる。

    摘要翻译： 从激光光源发射的激光根据设计成圆形的柱面透镜与计划的玻璃基板切割线集中。 相对于柱面透镜照射激光的位置通过驱动装置沿第一方向移动。 在与光轴正交的平面内，与第一方向垂直的第二方向上的激光的宽度（W5）大于柱面透镜的宽度（W7）。 在使用驱动装置在第一方向上移动激光的照射位置的处理中，通过来自激光源的激光的多次发射，形成与规划切割线对应的加工标记。 因此，能够容易地在玻璃基板上形成无端封闭形状的加工标记，能够降低分割玻璃基板的处理时间。

    METHOD OF SEPARATING SURFACE LAYER OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL USING A LASER BEAM PERPENDICULAR TO THE SEPARATING PLANE
    45.
    发明申请
    METHOD OF SEPARATING SURFACE LAYER OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL USING A LASER BEAM PERPENDICULAR TO THE SEPARATING PLANE 审中-公开
    使用激光光束分离平面的半导体晶体表面层分离方法

    公开(公告)号：WO2012074439A4

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：PCT/RU2011000943

    申请日：2011-11-29

    申请人： SHRETER YURY GEORGIEVICH ,  REBANE YURY TOOMASOVICH ,  MIRONOV ALEKSEY VLADIMIROVICH

    发明人： SHRETER YURY GEORGIEVICH ,  REBANE YURY TOOMASOVICH ,  MIRONOV ALEKSEY VLADIMIROVICH

    IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B28D1/22 ,  B28D5/00 ,  C03B33/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： B23K26/0063 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/364 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/56 ,  B28D5/0011 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L33/0079

    摘要： This invention provides two variations of methods of separating a surface layer (307) of the semiconductor crystal (101). In the first variation of the method, a focused laser beam (102) is directed onto the crystal (101) in such a way that focus is placed in the layer separation plane (304) perpendicular to the axis (103) of said beam (102), the laser beam (102) is moved with scanning the layer separation plane (304) with focus in the direction from the open side surface of the crystal (101) deep into the crystal with forming a continuous slit width of which is increased with every pass of the laser beam (102), the previous operation is performed up to separation of the surface layer (307). In the second variation of the method, pulse laser emission is generated; a focused laser beam is directed onto the crystal in such a way that focus is placed in the layer separation plane perpendicular the axis of said beam, a laser beam is moved in such a way that focus is moved in the layer separation plane with forming the non - overlapping local regions with a disturbed topology of the crystal structure and with reduced interatomic bonds, wherein said local regions is distributed over the whole said plane, an external action disturbing said reduced interatomic bonds is applied to the separable layer.

    摘要翻译： 本发明提供了分离半导体晶体（101）的表面层（307）的方法的两种变型。 在该方法的第一变型中，将聚焦激光束（102）以这样的方式被引导到晶体（101）上，使得聚焦放置在垂直于所述光束的轴线（103）的层分离平面（304）中 102），激光束（102）通过沿着从晶体（101）的开放侧表面的深度方向上的焦点深度地扫描层分离平面（304）而移动，形成连续的狭缝宽度增加 随着激光束（102）的每次通过，执行先前的操作直到表面层（307）的分离。 在该方法的第二变型中，产生脉冲激光发射; 聚焦的激光束以这样的方式被引导到晶体上，使得焦点位于垂直于所述光束的轴的层分离平面中，激光束以这样的方式移动，使得聚焦在层分离平面中移动，形成 非重叠的局部区域具有晶体结构的扰动拓扑和减少的原子间键，其中所述局部区域分布在整个所述平面上，将所述降低的原子间键的外部作用施加到可分离层。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM LASERSCHNEIDEN FOLIERTER ODER BESCHICHTETER BLECHE
    47.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM LASERSCHNEIDEN FOLIERTER ODER BESCHICHTETER BLECHE 审中-公开
    激光切割的方法和设备挫败或涂布纸页

    公开(公告)号：WO2013000942A1

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：PCT/EP2012/062426

    申请日：2012-06-27

    申请人： TRUMPF WERKZEUGMASCHINEN GMBH + CO. KG ,  WAHL, Eberhard ,  KAISER, Tobias

    发明人： WAHL, Eberhard ,  KAISER, Tobias

    IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/40

    CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/35

    摘要： Bei einem Verfahren zum Laserschneiden eines mit einer Folie (3) oder einer Beschichtung versehenen Werkstücks (4) mittels eines Schneidlaserstrahls (13) mit einer Laserwellenlänge (λ) kleiner ca. 4 μm, insbesondere im Bereich von ca. 1 μm, wird erfindungsgemäß ein erster Laserstrahl (8) in einen ersten Faserkern (11) einer Doppelkernfaser (10) eingekoppelt und aus dem ersten Faserkern (11) als Schneidlaserstrahl (13) zum Schneiden des Werkstücks (4) ausgekoppelt, und ein zweiter Laserstrahl (9) wird in einen zweiten Faserkern (12) der Doppelkernfaser (10) eingekoppelt und aus dem zweiten Faserkern (12) als ein auf dem Werkstück (4) dem Schneidlaserstrahl (13) zumindest teilweise in Schneidrichtung (16) voreilender Verdampfungslaserstrahl (14) zum Verdampfen der Folie (3) oder der Beschichtung ausgekoppelt.

    摘要翻译： 工件在用于激光切割用薄膜的工序（3）或由具有激光波长（λ）小于约4微米以下，特别是在约1微米的范围内是一个创造性的切割激光束（13）的装置提供的涂层（4）的 在双芯光纤的第一光纤纤芯（11）耦合的第一激光束（8）（10）和从所述第一光纤纤芯（11），其用于切割（4）耦合出所述工件的切割激光束（13），和第二激光束（9）是在一个 双重芯光纤的耦合的第二纤芯（12），（10）和从所述第二纤维芯（12），其为对所述工件（4）的切割激光束（13）在切割方向（16）导入蒸发激光束（14），用于汽化该膜至少部分地（3 ）或涂层分离。

    微細孔を配した基体の製造方法、及び微細孔を配した基体
    48.
    发明申请
    微細孔を配した基体の製造方法、及び微細孔を配した基体 审中-公开
    用微孔制造基质物质的方法和用细孔处理的基体物质

    公开(公告)号：WO2012161317A1

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：PCT/JP2012/063500

    申请日：2012-05-25

    申请人： 株式会社フジクラ ,  技術研究組合BEANS研究所 ,  国立大学法人東京大学 ,  額賀 理 ,  山本 敏 ,  田端 和仁 ,  杉山 正和

    发明人： 額賀　理 ,  山本　敏 ,  田端　和仁 ,  杉山　正和

    IPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/36 ,  B81C99/00 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00

    CPC分类号： B81C1/00087 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B81C2201/0143

    摘要： 微細孔を有する基体の製造方法は、基体の内部において、ピコ秒オーダー以下の時間幅を有する第一レーザー光の焦点を走査することにより、エッチング選択性を有する第一改質部および第二改質部を形成し、前記第一改質部の第一部分および前記第二改質部の第一部分と重なるように、ピコ秒オーダー以下の時間幅を有する第二レーザー光の焦点を走査することにより、前記第一改質部の前記第一部分の改質状態が変性した第一再改質部および前記第二改質部の前記第一部分の改質状態が変性した第二再改質部を形成し、前記第一再改質部および前記第二再改質部を加熱することにより、前記第一再改質部および前記第二再改質部のエッチング耐性を高めて、前記第一再改質部および前記第二再改質部以外の前記第一改質部および前記第二改質部をエッチングにより除去して、前記基体内に微細孔を形成することを特徴とする微細孔を有する基体の製造方法。

    摘要翻译： 提供一种制造具有细孔的基体物质的方法，包括：通过对时间宽度不大的第一激光束进行焦点的扫描，形成具有蚀刻选择性的第一修饰部分和第二修饰部分 基本物质内皮皮顺序; 形成第一修改部分的第一部分的修改状态变性的第一再变形部分，以及通过执行第二变形部分的第一部分的变形的第二变形部分的第一部分的变形状态变性的第二再变形部分 具有时间宽度不超过皮秒次数的第二激光束的焦点，使得第一修改部分的第一部分和第二修改部分的第一部分彼此重叠; 通过加热第一再变质部和第二再变质部来提高第一再变质部和第二再变质部的耐腐蚀性; 以及通过用蚀刻除去除了第一再变质部分和第二再变质部分之外的第一改质部分和第二改性部分，在基体中形成细孔。