公开(公告)号：WO2018042761A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/JP2017/017201

申请日：2017-05-01

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 橋本　大輔 ,  又川　敏 ,  橋井　友裕

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/08

CPC classification number: H01L21/02013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  H01L21/304 ,  H01L29/16 ,  H01L29/34

Abstract: ナノトポグラフィ・マップにおけるリング状のパターンの発生を抑制できる半導体ウェーハのラッピング方法を提供する。本発明の半導体ウェーハのラッピング方法は、半導体ウェーハＷのラッピングを停止する停止工程と、該停止工程の後、半導体ウェーハＷの、上定盤１０Ａおよび下定盤１０Ｂに対する対向面を反転させる反転工程と、該反転工程の後、対向面Ｗａ，Ｗｂの反転を維持したまま半導体ウェーハＷのラッピングを再開する再開工程と、を含むことを特徴とする。

Abstract translation: 提供了一种研磨半导体晶片的方法，该半导体晶片能够抑制纳米形貌图中出现环形图案。 本发明中，停止该半导体晶片W的缠绕，所述停止步骤之后的停止步骤的半导体晶片的包装的方法，所述半导体晶片W，扭转相对表面抵靠上压板10A的翻转工序和下表面板10B 并且在反转步骤之后维持相对表面Wa和Wb的反转的同时重新开始半导体晶片W的研磨。

公开(公告)号：WO2016135787A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2015/005085

申请日：2015-10-06

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 川崎　智憲

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/30

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/30625

Abstract: 　半導体ウェーハの平坦度を高め、かつ平坦度のばらつきを抑制できる枚葉式片面研磨方法および枚葉式片面研磨装置を提供する。　本発明の半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法は、半導体ウェーハ１を研磨する研磨工程と、半導体ウェーハ１を定盤１４０から該定盤外のトレイ１９０上に搬送し、半導体ウェーハ１および研磨ヘッド１２０の相対位置を研磨ヘッド１２０の回転方向に移動させ、その後半導体ウェーハ１を把持する持ち替え工程と、を含み、前記研磨工程を複数回行い、該複数回の研磨工程の合間に、前記持ち替え工程を少なくとも１回以上行うことを特徴とする。

Abstract translation: 提供了单晶片单面抛光方法和单晶片单面抛光装置，其可以提高半导体晶片的平坦度并抑制平坦度的变化。 根据本发明的用于半导体晶片的单晶片单面抛光方法的特征在于包括：用于抛光半导体晶片1的抛光步骤; 以及用于将半导体晶片1从表面板140输送到表面板外部的托盘190的重新保持步骤，沿着研磨头120的旋转方向移动半导体晶片1和抛光头120的相对位置， 然后保持半导体晶片1，其特征在于，进行多次抛光步骤，并且在多个抛光步骤之间的间隔期间进行至少一次重新保持步骤。

公开(公告)号：WO2016038980A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/JP2015/068144

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 沖田　恭子 ,  本家　翼

IPC: H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02035 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  B24B9/065 ,  B24B19/22 ,  B24D3/28 ,  B24D5/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/64 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 　炭化珪素単結晶基板（１）は、第１の主面（１ａ）と、第２の主面（１ｂ）と、周縁部（３）とを備える。第２の主面（１ｂ）は、第１の主面（１ａ）と反対側である。周縁部（３）は、第１の主面（１ａ）と第２の主面（１ｂ）とを繋ぐ。第１の主面（１ａ）に対して垂直な方向に沿って見た場合に、周縁部（３）は、直線状のオリエンテーションフラット部（ＯＦ１）と、第１の半径（Ｒ１）を有する第１の円弧部（Ａ１）と、オリエンテーションフラット部（ＯＦ１）と第１の円弧部（Ａ１）とを繋ぎ、かつ第１の半径（Ｒ１）よりも小さい第２の半径（Ｒ２）を有する第２の円弧部（Ａ２）を有する。炭化珪素エピタキシャル膜の表面に段差が発生することを抑制可能な炭化珪素単結晶基板およびその製造方法を提供する。

Abstract translation: 该碳化硅单晶基板（1）设置有第一主表面（1a），第二主表面（1b）和周边部分（3）。 第二主表面（1b）位于第一主表面（1a）的相反侧。 周边部分（3）连接第一主表面（1a）和第二主表面（1b）。 沿着垂直于第一主表面（1a）的方向观察时，周边部分（3）具有线性定向平面部分（OF1），具有第一半径（R1）的第一弧形部分（A1）和第二弧形部分 连接取向平面部（OF1）和第一圆弧部（A1）的部分（A2），并且具有比第一半径（R1）小的第二半径（R2）。 一种碳化硅单晶衬底，其能够抑制碳化硅外延膜表面的电平差的形成; 以及碳化硅单晶基板的制造方法。

公开(公告)号：WO2015053985A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2014/058268

申请日：2014-09-30

Applicant: CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： REISS, Brian ,  NALASKOWSKI, Jakub ,  LAM, Viet ,  JIA, Renhe ,  DYSARD, Jeffrey

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: The invention provides chemical-mechanical polishing compositions and methods of chemically-mechanically polishing a substrate with the chemical-mechanical polishing compositions. The polishing compositions comprise first abrasive particles, wherein the first abrasive particles are ceria particles, second abrasive particles, wherein the second abrasive particles are ceria particles, surface-modified silica particles, or organic particles, a pH-adjusting agent, and an aqueous carrier. The polishing compositions also exhibit multimodal particle size distributions.

Abstract translation: 本发明提供化学 - 机械抛光组合物和用化学 - 机械抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物包括第一磨料颗粒，其中第一磨料颗粒是二氧化铈颗粒，第二磨料颗粒，其中第二磨料颗粒是二氧化铈颗粒，表面改性二氧化硅颗粒或有机颗粒，pH调节剂和含水载体 。 抛光组合物还表现出多峰粒度分布。

公开(公告)号：WO2014129304A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2014/052540

申请日：2014-02-04

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 田中　利幸 ,  橋本　靖行 ,  橋井　友裕

IPC: H01L21/304 ,  B24B27/06 ,  B24B37/08

CPC classification number: H01L21/02013 ,  B24B7/228 ,  B24B27/0633 ,  B24B37/08 ,  B24B37/107 ,  B28D5/045

Abstract: 　半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いてスライスして得たウェーハの一方の面全面に硬化性材料を塗布した平坦な表面を基準面としてウェーハの他方の面を平面研削し、平面研削したウェーハの他方の面を基準面としてウェーハの一方の面を平面研削するウェーハの加工方法において、ウェーハをスライスした直後にウェーハの両面を同時に平坦化加工する。

Abstract translation: 一种用于处理晶片的方法，其中：通过使用线锯装置切割半导体单晶锭获得晶片; 使用通过将可固化材料施加到晶片的另一表面的整体而获得的平坦表面作为参考表面将晶片的一个表面研磨成平坦的表面; 使用已经被研磨成平坦的晶片的一个表面作为基准面，将晶片的另一个表面研磨成平面; 其中晶片的两个表面在晶片被切片之后立即被平坦化。

公开(公告)号：WO2015133064A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/000597

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 萩本　和徳 ,  篠宮　勝 ,  土屋　慶太郎 ,  後藤　博一 ,  佐藤　憲 ,  鹿内　洋志 ,  小林　昇一 ,  栗本　宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7806 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32

Abstract: 　本発明は、シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記作製されたエピタキシャルウェーハの外周部を観察する観察工程と、前記観察工程において観察されたクラック、エピタキシャル層剥れ、及び、反応痕の部分を取り除く除去工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーの半導体エピタキシャルウェーハを得ることが可能な半導体エピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是一种制造半导体外延晶片的方法，其特征在于具有：通过在硅系衬底上外延生长半导体层来制造外延晶片的步骤; 用于观察所制造的外延晶片的外周部的观察步骤; 以及去除在观察步骤中观察到的裂纹，外延层分层或反应标记部分的去除步骤。 由本发明提供的半导体外延晶片的制造方法可以获得完全没有裂纹的半导体外延晶片。

公开(公告)号：WO2015125412A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/JP2015/000295

申请日：2015-01-23

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 宇佐美　佳宏

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/17 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024

Abstract: 　本発明は、リング状ホルダーによって、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持して自転させるとともに、一対の砥石によって、前記リング状ホルダーにより支持した前記ワークの両面を同時に研削するワークの両頭研削方法であって、前記ワークの研削取り代１μｍあたりの前記砥石の摩耗量が、０．１０μｍ以上０．３３μｍ以下となるように設定して、前記ワークの両面を同時に研削することを特徴とするワークの両頭研削方法である。これにより、両頭研削工程において、平坦度を悪化させることなく、スライス工程等の前工程で形成されたナノトポグラフィを低減させることができるワークの両頭研削方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是一种双头工件研磨方法，其使用环状保持件从径向外侧向外侧支撑薄板状工件，并且相互旋转并且同时研磨环状保持器支撑的两个表面 工件使用一对磨石。 双头工件研磨方法的特征在于工件的两面同时磨削，将每1微米工件研磨余量的磨石磨损量设定为0.10μm至0.33μm。 由此提供了一种双头工件研磨方法，其能够减少在前述步骤中形成的纳米形貌，例如在双头磨削步骤期间不会使平整度恶化的切片步骤。

公开(公告)号：WO2015037188A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014/004239

申请日：2014-08-20

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 橋本　浩昌 ,  宇佐美　佳宏 ,  青木　一晃 ,  大葉　茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 　本発明は、シリコンインゴットからスライスされた複数のシリコンウェーハに対し、スライスによって生じた表面の歪みを除去するスライス歪み除去工程と、スライス歪み除去工程で生じた歪みを除去するエッチング工程と、エッチング後のシリコンウェーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程をそれぞれバッチ式で実施して、複数の鏡面研磨ウェーハを製造する鏡面研磨ウェーハの製造方法であって、両面研磨工程においてバッチ式で処理するシリコンウェーハを、スライス歪み除去工程において同一バッチ内で処理したシリコンウェーハの中から選択し、該選択するシリコンウェーハの数をスライス歪み除去工程において処理したシリコンウェーハの数と同一数又はその約数となるようにすることを特徴とする鏡面研磨ウェーハの製造方法である。これにより、平坦度が良好な鏡面研磨ウェーハを製造できる鏡面研磨ウェーハの製造方法が提供される。

Abstract translation: 根据本发明的用于镜面抛光晶片的制造方法产生多个镜面抛光晶片，并且包括以下列分批式步骤对从硅锭切片的多个硅晶片的表面进行处理：切片失真去除步骤 其中由于切片而发生的表面失真被去除; 去除在切片失真去除步骤中发生的失真的蚀刻步骤; 以及对于两个表面的抛光步骤，其中在蚀刻之后，硅晶片的两个表面被镜面抛光。 镜面抛光晶片的制造方法的特征在于，在切片变形去除步骤中，从同一批次处理的硅晶片中选择在两面的研磨步骤中分批处理的硅晶片，并且硅的数量 选择的晶片与在切片变形去除步骤中处理的硅晶片的数量相同或等份。 因此，所提供的镜面抛光晶片的制造方法能够制造具有良好平坦度的镜面抛光晶片。

公开(公告)号：WO2014208400A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/JP2014/065996

申请日：2014-06-17

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 佐々木　有三

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/0475 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

Abstract: ＳｉＣ基板(１)に備えられるＳｉ面(１ａ)及びＣ面(１ｂ)の両面に対し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により、Ｃ面／Ｓｉ面加工選択比を３．０以上として両面研磨加工を施すＣＭＰ工程を少なくとも具備する。

Abstract translation: 该SiC衬底的制造方法至少包括CMP步骤，其中通过化学机械抛光（CMP）方法对SiC衬底（1）的Si表面（1a）和C表面（1b）进行双面抛光， C表面/ Si表面加工选择性为3.0以上。

公开(公告)号：WO2014091929A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/JP2013/081897

申请日：2013-11-27

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 佐々木　有三 ,  鈴木　賢二

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

Abstract: 本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、ＳｉＣ基板（１）の表面（１ａ）を覆うように酸化膜（１０）を成膜する酸化膜形成工程と、ＳｉＣ基板（１）に対して、ＣＭＰ法によって酸化膜（１０）側から研磨を施すことで該酸化膜（１０）を除去するとともに、ＳｉＣ基板（１）の表面（１ａ）を研磨することで該表面（１ａ）を平坦化する平坦化工程と、を少なくとも具備する。

Abstract translation: 该SiC基板的制造方法至少包括：形成氧化膜（10）以覆盖SiC基板（1）的表面（1a）的氧化膜形成工序。 以及通过CMP方法对所述SiC衬底（1）进行从所述氧化膜（10）侧进行研磨而除去所述氧化物膜（10）的平坦化工序，并且，使所述SiC衬底（1）的所述表面（1a）平坦化， 抛光所述表面（1a）。