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公开(公告)号：WO2021067581A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：PCT/US2020/053771
申请日：2020-10-01
摘要： In described examples of a CMOS IC, an ultrasonic transducer (1200) having terminals is formed on a substrate (1230) of the IC. CMOS circuitry (1236) having ultrasonic signal terminals is formed on the substrate. At least one metal interconnect layer (1238) overlies the ultrasonic transducer and the CMOS circuitry. The at least one metal interconnect layer connects the CMOS circuitry ultrasonic signal terminals to the terminals of the ultrasonic transducer.
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公开(公告)号：WO2021066845A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：PCT/US2019/054862
申请日：2019-10-04
发明人： CUMBIE, Michael Wayne , SCHWEITZER, Paul David , STUDER, Anthony Donald , LUTNESKY, Gary Gerard , DAVIS, John Edward
摘要： Examples of molded substrates are described herein. In some examples, a molded substrate may support integrated circuitry. In some examples, the molded substrate and the integrated circuitry are included in a circuitry package for a replaceable print component. In some examples, the molded substrate is relatively flat. In some examples, molding remnants may be on the molded substrate.
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43.发明申请
公开(公告)号：WO2021054829A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/NL2020/050578
申请日：2020-09-18
申请人： BERKIN B.V.
发明人： SPARREBOOM, Wouter , GROENESTEIJN, Jarno , VAN PUTTEN, Jack Herman , DE BOER, Meint Jelle , WIEGERINK, Remco John , VELTKAMP, Henk-Willem , YU, Qihui , YARIESBOUEI, Mahdieh , RODRIGUEZ OLGUIN, Miguel A. , LÖTTERS, Joost Conrad
IPC分类号： B81C1/00
摘要： The invention relates to a microelectromechanical system (MEMS) component or microfluidic component comprising a free-hanging or free-standing microchannel (1), as well as methods for manufacturing such a microchannel, as well as a flow sensor, e.g. a thermal flow sensor or a Coriolis flow sensor, pressure sensor or multi-parameter sensor, valve, pump or microheater, comprising such a microelectromechanical system component or microfluidic component. The MEMS component allows to increase the flow range and/or decrease the pressure drop of for instance a micro Coriolis mass flow meter by increasing the channel diameter, while maintaining its advantages.
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44.发明申请
公开(公告)号：WO2021053454A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/IB2020/058319
申请日：2020-09-08
发明人： BUCAILLE, Jean-Luc
IPC分类号： F16F1/02 , C30B29/06 , C30B29/60 , B81C1/00 , G04B17/04 , B81B3/00 , G04B17/34 , C30B29/66 , G04B11/00 , G04B21/06 , G04F7/08
摘要： L'invention propose un procédé de réalisation d'un ressort horloger (1, 2) en matériau monocristallin comprenant les étapes suivantes : dessiner le ressort (1, 2); identifier une ou des zones de faiblesse (4) du ressort (1, 2) par laquelle ou par au moins une desquelles le ressort (1, 2) rompra en cas de déformation excessive; fabriquer le ressort (1, 2) à partir d'une plaquette de matériau monocristallin s'étendant suivant un plan déterminé, en orientant le ressort (1, 2) dans la plaquette de telle sorte que la direction (D) des contraintes macroscopiques dans la ou chaque zone de faiblesse (4) lorsque le ressort (1, 2) est déformé soit sensiblement parallèle à un plan de clivage du matériau sécant au plan déterminé. L'invention propose aussi un ressort horloger (1, 2) obtenu par un tel procédé.
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45.发明申请
公开(公告)号：WO2021052664A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/EP2020/071360
申请日：2020-07-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ZAMORA, Ricardo , BUTZ, Juergen , KUHN, Timo , WILL, Barbara
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/67 , G03F7/42
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum lokalen Entfernen und/oder Modifizieren eines Polymermaterials auf einer Oberfläche (WO) eines Wafers (W), aufweisend die Schritte: a) Ausrichten einer Maske (2) gegenüber der Oberfläche (WO); b) Lokales Belichten der Oberfläche (WO) durch die Maske (2) mittels einer VUV Lichtquelle (3), wobei gleichzeitig ein Gasgemisch zugeführt wird, welches wenigstens Sauerstoff (O2) enthält; c) Spülen der Oberfläche (WO) mit einem Gasgemisch, welches wenigstens Stickstoff (N2) und Sauerstoff (O2) enthält, wobei die VUV Lichtquelle (3) ausgeschaltet ist; d) Wiederholen wenigstens der Schritte b) und c) bis das Entfernen und/oder Modifizieren des Polymermaterials abgeschlossen ist. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum lokalen Entfernen und/oder Modifizieren eines Polymermaterials (P) auf einer Oberfläche (WO) eines Wafers (W), aufweisend eine gegenüber der Oberfläche (WO) definiert ausrichtbare Maske (2), wobei mittels einer oberhalb der Maske angeordneten VUV-Lichtquelle (3) die Oberfläche (WO) belichtbar ist, wobei in einen Zwischenraum zwischen dem Wafer (W) und der Maske (2) ein Gasgemisch, welches wenigstens Stickstoff (N2) und/oder Sauerstoff (O2) enthält, einleitbar ist. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die Vorrichtung einen verstellbaren Wafertisch (1) zur Halterung des Wafers (W) aufweist und dazu eingerichtet ist, in einem ersten Betriebszustand zwischen dem Wafer (W) und der Maske (2) einen Belichtungsspalt GE einzustellen und in einem zweiten Betriebszustand zwischen dem Wafer (W) und der Maske (2) einen Spülungsspalt (GP) einzustellen, welcher größer ist als der Belichtungsspalt (GE).
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公开(公告)号：WO2021032927A1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：PCT/FR2020/051476
申请日：2020-08-18
摘要： L'invention concerne un procédé de scellement de cavités (11) par des membranes, le procédé comprenant : na) la formation de cavités (11) agencées de manière matricielle, d'une profondeur p, d'une dimension caractéristique a, et espacées d'un espacement b; b) la formation de membranes, scellant les cavités (11), par report d'un film de scellement; le procédé comprend une étape a1), exécutée avant l'étape b), de formation d'un premier contour sur la face avant (10a) et/ou sur la face de scellement (16a), le premier contour comprenant une première tranchée (21) présentant une largeur L et une première profondeur p1, la formation du premier contour étant exécutée de sorte qu'à l'issue de l'étape b) les cavités (11) soient circonscrites par le premier contour, ledit premier contour étant à une distance G des cavités comprise entre un cinquième de b et cinq b.
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公开(公告)号：WO2020263613A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/US2020/037837
申请日：2020-06-16
申请人： ANALOG DEVICES, INC.
摘要： Microelectromechanical system (MEMS) inertial sensors exhibiting reduced parasitic capacitance are described. The reduction in the parasitic capacitance may be achieved by forming localized regions of thick dielectric material. These localized regions may be formed inside trenches. Formation of trenches enables an increase in the vertical separation between a sense capacitor and the substrate, thereby reducing the parasitic capacitance in this region. The stationary electrode of the sense capacitor may be placed between the proof mass and the trench. The trench may be filled with a dielectric material. Part of the trench may be filled with air, in some circumstances, thereby further reducing the parasitic capacitance. These MEMS inertial sensors may serve, among other types of inertial sensors, as accelerometers and/or gyroscopes. Fabrication of these trenches may involve lateral oxidation, whereby columns of semiconductor material are oxidized.
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公开(公告)号：WO2020248466A1
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：PCT/CN2019/112934
申请日：2019-10-24
申请人： 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 一种背孔引线式压力传感器及其制备方法，其使用通孔引线技术制备压力传感器，实现无打线贴片封装，减小了压力传感器的封装尺寸；同时压力传感器的压阻（201、601）位于密封腔（220、630）内，导电垫（202、602）也通过通孔（212、612）与外部结构电连接，受外界环境影响较小，器件稳定性好，可用于液体或恶劣环境中压力的监测。
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公开(公告)号：WO2020204835A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/SG2020/050203
申请日：2020-04-01
IPC分类号： G01J5/12 , G01J5/04 , H01L31/0203 , B81C1/00
摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device embedded with microelectromechanical system (MEMS) components in a MEMS region. The MEMS components, for example, are infrared (IR) thermosensors. The device is encapsulated with a CMOS compatible IR transparent cap to hermetically seal the device using wafer-level vacuum packaging techniques.
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公开(公告)号：WO2020204834A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/SG2020/050202
申请日：2020-04-01
IPC分类号： B81C1/00
摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device integrated with micro-electro-mechanical system (MEMS) components in a MEMS region is disclosed. The MEMS components, for example, are infrared (IR) thermosensors. The MEMS sensors are integrated on the CMOS device heterogeneously. For example, a CMOS wafer with CMOS devices and interconnections as well as partially processed MEMS modules is bonded with a MEMS wafer with MEMS structures, post CMOS compatibility issues are alleviated. Post integration process to complete the devices includes forming contacts for interconnecting the sensors to the CMOS components as well as encapsulating the devices with a cap wafer using wafer-level vacuum packaging.
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