公开(公告)号：WO2019107362A1

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：PCT/JP2018/043615

申请日：2018-11-27

Applicant: 日立造船株式会社

Inventor： 水田　健司

IPC: C30B29/66 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18

Abstract: カーボンナノチューブの成長温度までカーボンナノチューブ成長用基板を加熱する際に、高い昇温速度で加熱しても中間層にクラックを発生させないことを課題とする。カーボンナノチューブ成長用基板（１）は、金属からなる基材（２）と、基材（２）の表面に形成され、酸化ケイ素を含むシリカ層（３）と、シリカ層（３）の、基材（２）側とは反対側の表面に形成される触媒層（４）と、を備える。シリカ層（３）における酸化ケイ素は、組成式ＳｉＯ ｘ で表したときに、ｘの値が２より小さい。

公开(公告)号：WO2004090201A2

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：PCT/FR2004000740

申请日：2004-03-25

Applicant: SOITEC SILICON ON INSULATOR ,  LETERTRE FABRICE

Inventor： LETERTRE FABRICE

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/66 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36

Abstract: The invention relates to a method for the production of monocrystalline crystals comprising: a step for assembly of a first substrate (2) and at least one film (4) or at least one layer of a second monocrystalline material (6) and a step for the growth of said first material on the film or the thin layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备单晶晶体的方法，包括：用于组装第一衬底（2）和至少一个膜（4）或至少一层第二单晶材料（6）的步骤，以及用于 所述第一材料在薄膜或薄层上的生长。

公开(公告)号：WO2004063433A1

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/JP2004/000087

申请日：2004-01-08

Applicant: 日本板硝子株式会社 ,  吉井 哲朗

Inventor： 吉井 哲朗

IPC: C30B29/66

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152 ,  C30B7/00 ,  C30B29/02

Abstract: 本発明の製造方法は、ベンゼン誘導体（Ａ）を５０質量％以上の含有率で含む第１の溶媒と第１の溶媒に溶解したフラーレンとを含む溶液１２と、フラーレンの溶解度が第１の溶媒よりも低い第２の溶媒１３とを、液−液界面１４を形成するように接触させる工程と、溶液１２および第２の溶媒１３の相互拡散によって溶液１２と第２の溶媒１３とを混合させてフラーレンの結晶を析出させる工程とを含む。そして、ベンゼン誘導体（Ａ）は、ベンゼン環の２つ以上の水素が置換されたベンゼン誘導体、ハロゲン化ベンゼンおよびアルコキシベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも１種のベンゼン誘導体である。

Abstract translation: 制造富勒烯晶体的方法包括将含有不少于50质量％的苯衍生物（A）的第一溶剂和溶解在第一溶剂中的富勒烯的溶液（12）与 第二溶剂（13），其中富勒烯比第一溶剂中的溶解性低，形成液 - 液界面（14）;以及其中溶液（12）和第二溶剂（13）通过 溶液（12）和第二溶剂（13）的反扩散，从而沉淀富勒烯的晶体。 苯衍生物（A）为选自苯环中的两个以上氢原子被取代的苯衍生物，卤代苯，烷氧基苯等至少一种苯衍生物。

公开(公告)号：WO9901893A3

公开(公告)日：1999-05-27

申请号：PCT/EP9803992

申请日：1998-06-30

Applicant: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ,  BRENDEL ROLF

Inventor： BRENDEL ROLF

IPC: B01J19/08 ,  C30B29/06 ,  C30B29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/052 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/76259 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for producing layered structures, whereby a preferably porous material layer with hollow cavities is produced on or from a monocrystalline p-type or n-type Si substrate. The layered structure or a part thereof is applied to said layer and subsequently, the layered structure or a part thereof is separated from the substrate using said layer as a desired break-off point, e.g. by producing mechanical tension inside said layer or on a boundary surface of said layer. The method is characterized in that the surface of the substrate is structured before the porous layer is produced or that the surface of the porous layer is structured.

公开(公告)号：WO2021072239A1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：PCT/US2020/055044

申请日：2020-10-09

Applicant: GCL SOLAR MATERIALS US III, LLC

Inventor： DEHKORDI, Arash Mehdizadeh ,  NANDAN, Rituraj

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B29/66

Abstract: A method of growing a substantially dislocation-free hollowed core silicon crystal is disclosed, the method including providing a substantially circular silicon seed, the seed including a top surface, a bottom surface, an outer surface and a notch within the outer surface; securing the seed into a chuck by inserting a retainer piece into the notch on the outer surface of the silicon seed; lowering the silicon seed into molten silicon within a crucible; gradually withdrawing the silicon seed from the molten silicon to form a substantially dislocation-free hollowed core silicon crystal. Silicon crystal seeds are also disclosed, as are systems and apparatus for forming hollow silicon crystals.

公开(公告)号：WO2015001734A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/JP2014/003203

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社小糸製作所

Inventor： 榎本　公典 ,  大長　久芳 ,  四ノ宮　裕

IPC: C01B25/32 ,  A61L27/00 ,  B01J27/18 ,  B01J32/00 ,  B01J35/02 ,  C01B25/455 ,  C12N11/14 ,  C30B29/12 ,  C30B29/14 ,  C30B29/66

CPC classification number: C12N11/14 ,  A61L27/425 ,  A61L27/46 ,  A61L2430/02 ,  B01J27/1806 ,  B01J27/1856 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  C01B25/32 ,  C01B25/455 ,  C01P2004/13 ,  C30B7/105 ,  C30B29/14 ,  C30B29/602 ,  C30B29/607

Abstract: 　チューブ状のアパタイト結晶と、アパタイト結晶のチューブ内に収容され、該アパタイト結晶と異なる物性の材料で構成された機能部と、を有する。アパタイト結晶は、一般式がＭ ２ ５ （ＰＯ ４ ） ３ Ｘ（Ｍ ２ は２価のアルカリ土類金属及びＥｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素、Ｘはハロゲン元素及びＯＨからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素または分子を示す。）で表される単結晶であってもよい。

Abstract translation: 本发明具有：管状磷灰石晶体; 以及容纳在磷灰石晶体管内的功能部分，并且由具有与磷灰石晶体不同的物理特性的材料构成。 磷灰石晶体可以是由通式M2 5（PO 4）3 X表示的单晶（其中M2是选自Eu和二价碱土金属的至少一种元素，X表示至少一种选自以下的元素或分子： 由卤素元素或OH组成的组）。

公开(公告)号：WO2004048258A8

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：PCT/US0337576

申请日：2003-11-21

Applicant: CDREAM DISPLAY CORP

Inventor： KANG SUNG GU ,  BAE CRAIG

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/60 ,  C30B29/66 ,  C30B33/12 ,  C30B29/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/12 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

Abstract: Carbon nanotubes are formed on a surface of a substrate using a plasma chemical deposition process. After the nanotubes have been grown, a post-treatment step is performed on the newly formed nanotube structures. The post-­treatment removes graphite and other carbon particles from the walls of the grown nanotubes and controls the thickness of the nanotube layer. The post-treatment is performed with the plasma at the same substrate temperature. For the post-treatment, the hydrogen containing gas is used as a plasma source gas. During the transition from the nanotube growth stop to the post treatment step, the pressure in the plasma process chamber is stabilized with the aforementioned purifying gas without shutting off the plasma in the chamber. This eliminates the need to purge and evacuate the plasma process chamber.

Abstract translation: 使用等离子体化学沉积工艺在基板的表面上形成碳纳米管。 在纳米管已经生长之后，对新形成的纳米管结构进行后处理步骤。 后处理从生长的纳米管的壁上除去石墨和其他碳颗粒，并控制纳米管层的厚度。 在相同基板温度下用等离子体进行后处理。 对于后处理，使用含氢气体作为等离子体源气体。 在从纳米管生长停止转移到后处理步骤期间，等离子体处理室中的压力通过上述净化气体而稳定，而不关闭室中的等离子体。 这样就不需要清洗和排空等离子体处理室。

公开(公告)号：WO2004027108A3

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：PCT/CA0301355

申请日：2003-09-17

Applicant: HT INNOVATIVE TECHNOLOGIES LLC ,  KOSAKOVSKAYA ZOYA ,  IAROCHENKO ALEXANDRE

Inventor： KOSAKOVSKAYA ZOYA ,  IAROCHENKO ALEXANDRE

IPC: C01B31/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  C30B29/60 ,  C30B29/66 ,  C30B23/02 ,  C30B29/02

CPC classification number: C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/225

Abstract: The present invention provides a process of controllable growth of pure carbon structures including planar films, of single-walled fullerenes (SWF), multi-walled fullerenes (MWF), well oriented single-walled nanotubes (SWNT) and multi-walled nanotubes (MWNT) on various substrates. Structures can be built up on the surface which include any combination of fullerenes, nanotubes, bent or inclined nanotubes with single or multiple bends in the nanotubes.

Abstract translation: 本发明提供了包括平面膜，单壁富勒烯（SWF），多壁富勒烯（MWF），良好取向的单壁纳米管（SWNT）和多壁纳米管（MWNT）的纯碳结构的可控生长的方法 ）。 结构可以在表面上建立，其包括富勒烯，纳米管，弯曲或倾斜的纳米管与纳米管中的单个或多个弯曲的任何组合。

公开(公告)号：WO03035915A8

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/RU0200461

申请日：2002-10-22

Applicant: MARKOV GENNADIJ ALEXANDROVICH

Inventor： MARKOV GENNADIJ ALEXANDROVICH

IPC: B81C99/00 ,  B21C37/04 ,  C21D8/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/16 ,  C22F1/18 ,  C30B1/00 ,  C30B1/02 ,  C30B1/04 ,  C30B29/66 ,  D07B1/00 ,  D07B1/06

CPC classification number: C30B1/02 ,  C21D8/06 ,  C21D2201/04 ,  C22F1/18 ,  C30B1/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  Y02P10/212

Abstract: The invention relates to metallic articles for industrial use, more specifically to a method for producing a thin metallic monocrystalline wire having a diameter ranging from 0.01 to 5.0 mkm. The inventive method consists in carrying out the plastic deformation of a wire having a deformation rate of higher than 98 % by twisting two wires in spiral through time at a pitch angle ranging from 20 to 58° with respect to the longitudinal axis thereof and at a predetermined twisting speed through time during the thermal processing and the cleaning of the thus produced wire from polycrystalline metal residuals. Said method is also characterised in that the shear plastic deformation of the wire at a deformation rate of higher than 98 % is carried out by twisting one wire about the longitudinal axis thereof when the metal is in a yielded state in such a way that filamentary monocrystals are formed. In individual cases, the deformation of metallic wire is carried out at a temperature ranging from (-200°C) to 400 °C. All processing parameters are experimentally defined. The monocrystallinity of the wire is confirmed by X-ray analysis. In cases when the monocrystalline wire with polycrystalline residuals can not be used, the cleaning of a monocrystalline filament is carried out with the aid of a chemical method.

Abstract translation: 本发明涉及用于工业用途的金属制品，更具体地涉及一种直径范围为0.01至5.0m范围的薄金属单晶线材的制造方法。 本发明的方法包括通过以相对于其纵轴为20至58°的间距角以螺旋形式扭转两根线，并以一 在热处理期间的预定扭转速度和由此产生的线从多晶金属残留物的清洁。 所述方法的特征还在于，当金属处于屈服状态时，以高于98％的变形率的线材的剪切塑性变形是通过围绕其纵向轴线扭绞一条线来进行的，使得丝状单晶 形成。 在个别情况下，金属线的变形在（-200℃）〜400℃的温度范围内进行。 所有处理参数都是实验定义的。 线的单晶由X射线分析证实。 在不能使用具有多晶残渣的单晶线的情况下，借助于化学方法进行单晶丝的清洗。

公开(公告)号：WO9901893A8

公开(公告)日：1999-07-22

申请号：PCT/EP9803992

申请日：1998-06-30

Applicant: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ,  BRENDEL ROLF

Inventor： BRENDEL ROLF

IPC: B01J19/08 ,  C30B29/06 ,  C30B29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/052 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/76259 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for producing layered structures, whereby a preferably porous material layer with hollow cavities is produced on or from a monocrystalline p-type or n-type Si substrate. The layered structure or a part thereof is applied to said layer and subsequently, the layered structure or a part thereof is separated from the substrate using said layer as a desired break-off point, e.g. by producing mechanical tension inside said layer or on a boundary surface of said layer. The method is characterized in that the surface of the substrate is structured before the porous layer is produced or that the surface of the porous layer is structured.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产片状结构的一种方法，其中，或具有一个空腔，例如由单晶p型或n型Si衬底，优选形成多孔材料层，然后将片状结构或其一部分上 的空隙或多孔材料层被施加并随后层状结构或它们的使用空隙或多孔层作为预定断裂点，其具有例如通过空腔或多孔层内的机械张力的产生或具有在所述空腔或多孔的界面的一部分 层从衬底分离。 该方法的特征在于，所述衬底的所述表面的多孔层的，或在多孔层的表面被构造产生之前结构化。