公开(公告)号：WO2016195000A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/JP2016/066361

申请日：2016-06-02

申请人： シャープ株式会社

发明人： 中野　文樹 ,  宮本　忠芳

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/786

摘要： 　フォトセンサ基板の配線の抵抗を小さくする。フォトセンサ基板は、基板３１と、基板３１に配置され、第１方向に延びる複数のゲート線と、基板３１に配置され、第１方向とは異なる第２方向に延びる複数のソース線Ｓｉと、ソース線Ｓｉとゲート線との各交点に対応して配置され、ソース線Ｓｉ及びゲート線と接続されているトランジスタと、トランジスタを覆う絶縁層と、ソース線Ｓｉとゲート線との各交点に対応して配置され、絶縁層の第１コンタクトホールＣＨ３を介してトランジスタと接続されている光電変換素子４と、第２方向に延び、光電変換素子４と接続されている複数のバイアス線８とを備える。ソース線Ｓｉは、絶縁層の第２コンタクトホールＣＨ２を介してトランジスタと接続され、かつ、ソース線Ｓｉの線幅は、バイアス線８の線幅より広い。

摘要翻译： 降低光电传感器基板的布线的电阻。 该光电传感器基板设置有：基板31; 多个栅极线，布置在基板31上并沿第一方向延伸; 多个源极线Si，其布置在基板31上并沿与第一方向不同的第二方向延伸; 晶体管被配置为与源极线Si和栅极线的交点对应并且连接到源极线Si和栅极线; 覆盖晶体管的绝缘层; 光电转换元件4，其被配置为对应于源极线Si和栅极线的交点，并通过绝缘层的第一接触孔CH3连接到晶体管; 以及在第二方向上延伸并连接到光电转换元件4的多条偏置线8.源极线Si通过绝缘层的第二接触孔CH2连接到晶体管，源极线的线宽 Si比偏置线8的线宽宽。

公开(公告)号：WO2016185754A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/JP2016/055986

申请日：2016-02-29

申请人： 株式会社JOLED

发明人： 和泉　健一 ,  下川　啓介

IPC分类号： H05B33/04 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC分类号： G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

摘要： 　この機能性素子は、各々が可撓性を有すると共に対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間に形成された素子層と、素子層の内部に配置され、複数の凸部を含むと共に弾性において面内異方性を有する構造体とを備える。

摘要翻译： 该功能元件设置有：彼此相对设置的柔性第一基板和柔性第二基板; 形成在所述第一基板和所述第二基板之间的元件层; 并且设置在元件层内部的​​结构体包括多个突出部，并且具有面内各向异性的弹性。

公开(公告)号：WO2016185554A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/JP2015/064268

申请日：2015-05-19

申请人： オリンパス株式会社

发明人： 岡村　誠一郎

IPC分类号： H04N5/225 ,  G02B23/24 ,  H01L27/146

CPC分类号： G02B23/24 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

摘要： 撮像ユニットは、固体撮像素子が実装される基板と、基板に実装される電子部品であって発熱体と成り得る高発熱素子と、基板の表面、該基板に実装された固体撮像素子の外表面、当該基板に実装される高発熱素子の外表面、及び該高発熱素子以外の電子部品の外表面を覆う絶縁部材と、絶縁部材に密着して設けられる導電性熱伝導樹脂部材と、一端部と他端部とを有し、一端部が導電性熱伝導樹脂部材内に配設され、他端部が基板から予め定めた距離離間した位置に配置される放熱部材と、具備する。

摘要翻译： 提供了一种图像拾取单元，包括：其上安装有固态图像拾取元件的基板; 高发热元件，其是安装在基板上并且可以用作发热体的电子部件; 覆盖基板表面的绝缘构件，安装在基板上的固态图像拾取元件的外表面，安装在基板上的高发热元件的外表面和其他电子元件的外表面 比高发热元件高; 导电性导热性树脂构件，其与所述绝缘构件紧密接触; 以及散热构件，其具有第一端和第二端，并且其中所述第一端设置在所述导电性导热性树脂构件内，并且所述第二端设置在与所述基板间隔开预定位置的位置 距离。

公开(公告)号：WO2016178403A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/JP2016/063287

申请日：2016-04-27

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 高田　真宏 ,  梅田　賢一 ,  望月　文彦 ,  田中　淳

IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

摘要： 本発明の一実施形態は、溶媒、インジウムイオン及び硝酸イオンを含む溶液を、加熱された基板上に噴霧し、かつ、紫外線光源から基板に向かう方向に不活性ガスを供給しながら紫外線光源から基板に対して紫外線照射を行うことにより基板上にインジウム含有酸化物膜を形成する工程を有するインジウム含有酸化物膜の製造方法及びその応用を提供する。

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了含铟氧化物膜的制造方法及其应用，该方法包括将含有溶剂，铟离子和硝酸离子的溶液喷射到加热的基板上的步骤， 在从紫外光源朝向基板的方向供给惰性气体的同时从紫外线光源照射紫外线，在基板上形成含铟氧化膜。

公开(公告)号：WO2016167021A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/JP2016/054987

申请日：2016-02-22

申请人： ソニー株式会社

发明人： 寺戸　洋子

IPC分类号： H04N5/376 ,  H01L27/146 ,  H04N5/341 ,  H04N5/345 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/341 ,  H04N5/345 ,  H04N5/374 ,  H04N5/376

摘要： トランジスタの制御により間引き読出しが行われるトランジスタが設けられた固体撮像素子において画像データの画質を向上させる。　選択部は、画素アレイ部において所定の方向に沿って配列された画素からなる全てのラインから一部のラインを間引きラインとして間引いた残りのラインを読出しラインとして選択する。読出しライン転送信号供給部は、読出しラインへの転送信号の供給により所定のタイミングから一定期間に亘って読出しラインの転送トランジスタを導通状態に制御する。読出し部は、読出しラインから前記電荷の量に応じた画素信号を読み出す。間引きライン転送信号供給部は、間引きラインの転送トランジスタにおける導通状態の累積時間と導通状態への遷移回数との少なくとも一方を間引きラインへの転送信号の供給により読出しラインと同一に制御する。

摘要翻译： 本发明提供了一种固态成像元件中的图像数据的图像质量，该固态成像元件设置有通过控制晶体管执行稀疏读取的晶体管。 选择单元从像素阵列单元中沿着规定方向排列的像素的所有行中选择作为变稀线的一些线以及在变薄之后的剩余线作为读线。 读取线传送信号提供单元向读取的线路提供传输信号，从而控制读取线路的传输晶体管，使得这些晶体管在规定时间之后的固定时间段内处于导通状态。 读取单元从读取线读出与电荷量对应的像素信号。 减薄的线路传送信号提供单元通过将传输信号提供给与读取线路相同的方式来控制导线状态的累积时间和/或在细线的传输晶体管中转换到导通状态的次数 细线。

公开(公告)号：WO2016167005A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/JP2016/052641

申请日：2016-01-29

申请人： 浜松ホトニクス株式会社

发明人： 永野　輝昌 ,  鎌倉　正吾 ,  岩科　進也

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/301 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/02

摘要： 半導体基板１Ｎは、主面１Ｎａと主面１Ｎｂとが対向している方向から見て、互いに対向する一対の第一辺１Ｎ１と、互いに対向する一対の第二辺１Ｎ２と、一方の第一辺１Ｎ１の一端と一方の第二辺１Ｎ２の一端とに接続されている第三辺１Ｎ３とを有する。電極Ｅ３は、半導体基板１Ｎに配置されていると共に、複数の画素（アバランシェフォトダイオードＡＰＤ）と電気的に接続されている。電極Ｅ５は、搭載基板２０に配置されている。ボンディングワイヤＷ１は、電極Ｅ３に接続されている一端と、電極Ｅ５に接続されている一端とを有している。ボンディングワイヤＷ１は、主面１Ｎａと主面１Ｎｂとが対向している方向から見て第三辺１Ｎ３と交差するように配置されている。

摘要翻译： 在本发明中，当从半导体衬底1N的主表面1Na和主表面1Nb相对的方向观察时，半导体衬底具有一对相对的第一边缘1N1，一对相对的第二边缘1N2 以及连接到第一边缘1N1中的一个的一端和第二边缘1N2之一的一端的第三边缘1N3。 电极E3设置在半导体衬底1N上并电连接到多个像素（雪崩光电二极管APD）。 电极E5设置在安装基板20上。接合线W1的一端与电极E3连接，一端与电极E5连接。 当从主表面1Na和主表面1Nb相对的方向观察时，接合线W1布置成与第三边缘1N3交叉。

公开(公告)号：WO2016143195A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/JP2015/081480

申请日：2015-11-09

申请人： オリンパス株式会社 ,  パナソニック株式会社

发明人： 山下　友和 ,  五十嵐　考俊 ,  藤森　紀幸 ,  勝野　元成

IPC分类号： H01L27/14 ,  A61B1/04 ,  G02B23/24 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC分类号： A61B1/05 ,  A61B1/04 ,  G02B23/24 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L2224/11 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2256 ,  H04N5/369 ,  H04N2005/2255

摘要： 　絶縁部材の剥離を防止することにより、信頼性が高く、小型化可能な撮像装置を提供する。本発明における撮像ユニット４０は、撮像素子が形成された半導体チップ４４と、前記撮像素子上に接着層５４ｃを介して接着された保護ガラス４９と、を有し、半導体チップ４４は、入力された光を光電変換して画像信号を生成する受光部４４ａと、受光部４４ａから画像信号を受信し、かつ駆動信号を送信する周辺回路部４４ｂと、受光部４４ａおよび周辺回路部４４ｂの周囲を取り囲むガードリング４４ｄと、ガードリング４４ｄの外周に形成された複数のメタルドット４４ｅと、を備え、保護ガラス４９は、受光部４４ａ、周辺回路部４４ｂ、ガードリング４４ｄおよびメタルドット４４ｅを覆うように接着層５４ｃにより接着されることを特徴とする。

摘要翻译： 提供了一种防止绝缘构件的剥离并因此高度可靠并且可以减小尺寸的成像装置。 该成像单元40具有在其上形成有成像元件的半导体芯片44，并且其间具有粘合剂层54c而附着到成像元件的保护玻璃49，其特征在于，半导体芯片44设置有感光体 用于对输入光进行光电转换以产生图像信号的部分44a;用于从感光体部分44a接收图像信号并传输驱动信号的外围电路部分44b;环绕感光体部分44a周边的保护环44d和外围电路 部分44b，以及形成在防护环44d的外周上的多个金属点44e; 并且保护玻璃49用粘合剂层54c粘合以覆盖感光体部分44a，外围电路部分44b，保护环44d和金属点44e。

公开(公告)号：WO2016136486A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2016/054067

申请日：2016-02-12

申请人： ソニー株式会社

发明人： 田舎中　博士 ,  秋山　健太郎 ,  坂野　頼人 ,  大井上　昂志 ,  萩本　賢哉 ,  松村　勇佑 ,  佐藤　尚之 ,  宮波　勇樹 ,  上田　洋一 ,  松本　良輔

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/2173 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/35581 ,  H04N5/367 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

摘要： 　本技術は、ノイズを低減することができるようにする固体撮像装置及び電子機器に関する。 光電変換部と、光電変換部から転送された電荷を保持する電荷保持部と、光電変部から電荷保持部に電荷を転送する第１の転送トランジスタと、第１の遮光部及び第２の遮光部を備える遮光部とを備え、第１の遮光部は、光電変換部の受光面である第１の面と反対側の第２の面と、電荷保持部との間に配置され、第２の面を覆うとともに、第１の開口部が形成されており、第２の遮光部は、光電変換部の側面を囲んでいる。本技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像装置に適用できる。

摘要翻译： 本技术涉及：能够降低噪声的固态成像装置; 和电子设备。 一种固体摄像装置，具备：光电转换部; 电荷保持部，其保持从所述光电转换部转移的电荷; 将电荷从光电转换部转移到电荷保持部的第一转移晶体管; 以及设置有第一遮光部和第二遮光部的遮光部。 第一遮光部配置在电荷保持部和光电转换部的第二面之间，第二面位于作为受光面的第一面的背面，覆盖第二面，同时 设置有第一开口。 第二遮光部包围光电转换部的侧面。 本技术例如适用于背照式固态成像装置。

公开(公告)号：WO2016129298A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/JP2016/050156

申请日：2016-01-05

申请人： ソニー株式会社

发明人： 根岸　佑樹 ,  榎　修

IPC分类号： H01L27/146 ,  C09B47/00 ,  H01L31/10

CPC分类号： C09B47/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  Y02E10/549

摘要： 【課題】固体撮像素子の撮像特性を向上させる。 【解決手段】下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む、光電変換膜。前記一般式（１）において、　Ｘ １ およびＸ ２ の少なくとも１つ以上、Ｘ ３ およびＸ ４ の少なくとも１つ以上、ならびにＸ ５ およびＸ ６ の少なくとも１つ以上は、フッ素が２以上置換したパーシャルフルオロアルキル基、またはパーフルオロアルキル基であり、Ｚは、ホウ素に結合可能な任意の置換基である。

摘要翻译： [问题]提高固体摄像元件的成像特性。 [解决方案]含有通式（1）表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。 在通式（1）中，X 1和X 2中的至少一个，X 3和X 4中的至少一个以及X 5和X 6中的至少一个分别表示被两个或更多个氟原子取代的部分氟代烷基或全氟烷基 ; Z表示能够与硼原子形成键的任意取代基。

公开(公告)号：WO2016127645A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/CN2015/090085

申请日：2015-09-21

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  喻琼 ,  王蔚

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14698 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/16235

摘要： 一种封装方法及封装结构，所述封装方法包括：提供第一基板（100）和第二基板（200），所述第二基板（200）具有第一表面（200a）和与所述第一表面（200a）相对的第二表面（200b），将所述第一基板（100）的一侧表面和第二基板（200）的第一表面（200a）通过粘胶层（101）粘接；在第二基板（200）的第二表面（200b）形成凹槽结构（202）；提供基底（300），所述基底（300）具有第一表面（401）和与所述第一表面（401）相对的第二表面（402），所述基底（300）的第一表面（401）具有感应区（301）以及位于感应区周围的若干焊垫（302）；将所述第二基板（200）的第二表面（200b）与基底（300）的第一表面（401）压合，所述凹槽结构（202）与基底（300）之间构成空腔，使所述感应区位于所述空腔内。