公开(公告)号：WO2016079184A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015/076972

申请日：2015-11-18

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： FRANKEN, Walter ,  ZINTZEN, Bernhard ,  JANSSEN, Henricus Wilhelmus Aloysius

IPC: C23C16/54 ,  B01J3/03 ,  C23C14/12 ,  C23C14/56 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/545 ,  B01J3/02 ,  B01J3/03 ,  C23C14/12 ,  C23C14/54 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52

Abstract: Die Erfindung betrifft eine CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Gehäuse (1, 2) und einem am Gehäuse (1, 2) befestigten Gaseinlassorgan (7) mit einer Gasaustrittsöffnungen (8) aufweisenden Gasaustrittsfläche (7'). Es ist eine an einem oberen Abschnitt des Gehäuses (1) befestigte, gegen Verformungen und Temperatur stabilisierte Halteeinrichtung (3) vorgesehen, an welcher das Gaseinlassorgan (7) an einer Vielzahl von Aufhängestellen (6') befestigt ist, die mechanische Stabilisierungselemente (4, 5) aufweist und die von einem, an vertikalen Verbindungslinien miteinander verbundene Vertikalwände (4, 5) aufweisenden Halterahmen ausgebildet ist, wobei die Halteeinrichtung (3) ausschließlich an ihrem horizontalen Rand (3') am Gehäuse (1, 2) befestigt ist. Das Gaseinlassorgan (7) ist mit einer Vielzahl von über die gesamte horizontale Erstreckungsfläche verteilt angeordnete Hänger (6) an der Halteeinrichtung (3) befestigt.Zwischen Halteeinrichtung (3) und Gaseinlassorgan (7) befindet sich ein aktiv gekühltes Wärmeschild.

Abstract translation: 本发明涉及一种CVD或PVD涂覆装置与外壳进气口构件（7）上的壳体（1,2）固定的和一个（1，2）的气体出口孔（8），其具有气体排出表面（7“）。 它是在固定的抗变形和温度的壳体（1）的上部，稳定保持其固定装置（3）被提供给在多个悬挂点（6“），机械稳定元件（4进气元件（7）， 5）和中的一个（4互连到垂直的连接线垂直壁，5），其具有保持框形成，其中，所述保持装置（3）设置在壳体（1上其水平边缘（3“）排他地连接，2）。 气体入口构件（7）与各种在整个水平延伸表面的分布设置的吊架（6）的保持装置（3）上befestigt.Zwischen保持装置（3）和进气元件（7）是一个主动冷却热屏蔽。

公开(公告)号：WO2016075022A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/EP2015/075797

申请日：2015-11-05

Applicant: VON ARDENNE GMBH

Inventor： HÄUSLER, Christoph ,  KRAUSE, Jochen ,  BORCHEL, Ronny

IPC: C23C16/54 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C14/56

Abstract: Eine Vakuumkammeranordnung (1000) kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen Folgendes aufweisen: mehrere Vakuumkammern (1002a bis 1002e), ein Transportsystem (324) zum Transportieren eines Substrats (306) entlang einer Transportrichtung durch die mehreren Vakuumkammern (1002a bis 02e) hindurch; wobei die Vakuumkammern (1002a bis 1002e) in 10 der Transportrichtung mittels Vakuumkammer-Seitenwänden (104a, 104b, 1304a, 1304b), welche sich quer zu der Transportrichtung erstrecken, voneinander getrennt sind; wobei jede Vakuumkammer eine Kammerdecken-Öffnung (104o) aufweist; mehrere Kammerdeckel, wobei jeweils ein Kammerdeckel einer Kammerdecken-Öffnung (104o) zugeordnet ist zum vakuumdichten Verschließen der jeweiligen Vakuumkammer; wobei mindestens ein Kammerdeckel (102) der mehreren Kammerdeckel mehrere Hochvakuumpumpen-Anschlussöffnungen (106a, 106b, 106c) aufweist zum Anschließen jeweils einer Hochvakuumpumpe; wobei mindestens eine Vakuumkammer der mehreren Vakuumkammern (1002a bis 1002e) als Gasseparationskammer (100) eingerichtet ist und aufweist: eine in der Gasseparationskammer (100) angeordnete Gasseparationsstruktur (312) welche einen Gasseparationskanal (311) begrenzt, wobei die Gasseparationsstruktur (312) mehrere Gastrennflächenelemente (112, 322, 412) aufweist, welche derart in der Gasseparationskammer (100) angeordnet sind, dass sie in Transportrichtung mindestens drei Bereiche (111a, 111b, 111c) voneinander gasseparieren, wobei ein mittlerer Bereich (111c) der mindestens drei Bereiche (111a, 11b, 111c) durch eine Durchgangsöffnung (312c) in der Gasseparationsstruktur (312) hindurch mit dem Gasseparationskanal (311) verbunden ist, wobei sich mindestens zwei Gastrennflächenelemente (112, 412) quer zu 3 der Transportrichtung erstrecken; wobei sich das Transportsystem (324) durch den Gasseparationskanal (311) hindurch erstreckt, wobei die Gasseparationskammer (100) dem Kammerdeckel (102) mit mehreren Hochvakuumpumpen-Anschlussöffnungen (106a, 106b, 106c) zugeordnet ist.

Abstract translation: 的真空室组件（1000）可以根据各种实施例包括：用于通过所述多个真空室（1002A到02E）穿过其输送沿输送方向的基板（306）一个多个真空室（1002A到1002E），传输系统（324）; 其中，所述真空室（1002A到1002E）在输送方向10通过真空腔侧壁的装置（104A，104B，1304A，1304B），它横向延伸于输送方向彼此分开; 其中，每个真空腔室包括腔室天花板开口（104o）; 几个室盖，其特征在于，在每种情况下的腔室的天花板开口（104o）的腔室盖被分配给相应的真空室的真空密封的方式密封; 其中，至少所述多个腔室盖几个高真空泵连接开口（106A，106B，106C），用于连接每一个高真空泵的每一个的腔室盖（102）; 其中，多个真空室（1002A到1002E），为气体分离室（100）被布置成与包括至少一个真空室：在气体分离室设置在一个（100）气体分离结构（312），其限定一个气体分离通道（311），其中所述气体分离结构（312）的多个气体分离表面元素 （112，322，412），其被布置在所述气体分离室（100），它们在输送方向的至少三个区域（111A，111B，111C）胡同彼此招架，其中，所述至少三个区域的中央部（111C）（111A ，11B，111C）（通过通孔312C）（在气体分离结构312）穿过其中（与气体分离通道311），所述至少两个气体分离表面元件（112，横向延伸于输送方向的3 412）; 其中，所述传送系统（324）通过所述气体分离通道（311）延伸穿过其中，所述气体分离室（100）具有多个高真空泵连接开口（106A，106B，106C）的腔室盖（102）相关联。

公开(公告)号：WO2016005661A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/FI2015/050483

申请日：2015-07-03

Applicant: BENEQ OY

Inventor： SOININEN, Pekka ,  SÖDERLUND, Mikko ,  PELTONIEMI, Janne

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/54

Abstract: The invention relates to a nozzle head (2), an apparatus and method for subjecting a surface (8) of a substrate (6) to successive surface reactions of at least a first precursor (A) and a second precursor (B). The nozzle head (2) having an output face (3) comprises at least one precursor nozzle (22) for supplying precursor (A, B) to the surface (8) of the substrate (6) and at least one discharge channel (24, 26) for discharging precursor (A, B) from the surface (8) of the substrate (6). The output face (3) comprises in the following order: a discharge channel (24), at least one at least one precursor nozzle (22; 21, 23) arranged to supply the first precursor (A) and the second precursor (B) and a discharge channel (24).

Abstract translation: 本发明涉及一种喷嘴头（2），一种用于对基底（6）的表面（8）进行至少第一前体（A）和第二前体（B）的连续表面反应的装置和方法。 具有输出面（3）的喷嘴头（2）包括至少一个用于将前体（A，B）供给到基底（6）的表面（8）的前体喷嘴（22）和至少一个排出通道 ，26），用于从基板（6）的表面（8）排出前体（A，B）。 输出面（3）按照以下顺序包括：排出通道（24），至少一个至少一个设置成供应第一前体（A）和第二前体（B）的前体喷嘴（22; 21,23） 和排出通道（24）。

公开(公告)号：WO2015192872A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2014/062560

申请日：2014-06-16

Applicant: EUROPEAN SPACE AGENCY

Inventor： JARVIS, David, John ,  VOICE, Wayne, Eric

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  C23C18/08

CPC classification number: C23C16/08 ,  C23C16/46 ,  C23C16/545 ,  C23C18/08

Abstract: A method of forming an alloy wire or shaped alloy component is described. A length of elongated core is exposed to a fluid mixture comprising two or more different metal halides, sufficient heat is applied to the length of halide-exposed elongated core to initiate dissociation of the two or more metal halides and maintained for sufficient time to deposit on the length of elongated core an alloy coating comprising the two or more metals, thereby forming an alloy wire. The elongated core may be coiled into a desired shape, optionally with the aid of a mandrel, allowing the formation of a shaped alloy component.

Abstract translation: 描述了形成合金丝或成形合金部件的方法。 一长度的细长芯暴露于包含两种或更多种不同金属卤化物的流体混合物，足够的热被施加到卤化物暴露的细长核心的长度上以引发两种或更多种金属卤化物的解离并保持足够的时间沉积在 细长芯的长度为包含两种或更多种金属的合金涂层，从而形成合金丝。 细长的芯可以任选地借助于心轴卷成期望的形状，允许形成成形的合金部件。

公开(公告)号：WO2015180798A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/EP2014/061280

申请日：2014-05-30

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  LINDENBERG, Ralph ,  KLEIN, Wolfgang ,  LAU, Simon ,  BERGER, Thomas

Inventor： LINDENBERG, Ralph ,  KLEIN, Wolfgang ,  LAU, Simon ,  BERGER, Thomas

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  G03F7/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  C03B35/20

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/562 ,  C23C16/458 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/68721

Abstract: A carrier (100) for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transportation path is provided. The carrier (100) includes a carrier body (110) configured for transportation along the linear transportation path (133), and at least one substrate supporting arrangement (120) provided at the carrier body (110) and configured for supporting the substrate (101), wherein the substrate supporting arrangement (120) is configured to define at least one bending axis (130) for the substrate (101), wherein the at least one bending axis (130) has an essentially vertical orientation.

Abstract translation: 提供了一种用于在具有线性传送路径的真空处理室中支撑衬底的载体（100）。 载体（100）包括构造成沿着线性传送路径（133）传送的载体主体（110）和设置在载体主体（110）处并构造成用于支撑基板（101）的至少一个基板支撑装置（120） ），其中所述基板支撑装置（120）被配置为限定用于所述基板（101）的至少一个弯曲轴线（130），其中所述至少一个弯曲轴线（130）具有基本垂直的取向。

公开(公告)号：WO2015176750A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/EP2014/060359

申请日：2014-05-20

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  ZILBAUER, Thomas, Werner ,  HELLMICH, Anke ,  HINTERSCHUSTER, Reiner ,  MÜHLFELD, Uwe ,  STOCK, Bernhard ,  WOLF, Hans, Georg ,  BENDER, Marcus

Inventor： ZILBAUER, Thomas, Werner ,  HELLMICH, Anke ,  HINTERSCHUSTER, Reiner ,  MÜHLFELD, Uwe ,  STOCK, Bernhard ,  WOLF, Hans, Georg ,  BENDER, Marcus

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C14/56 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/54

Abstract: A deposition apparatus (300) for deposition of a material on a substrate is provided. The deposition apparatus (300) includes a first processing chamber (310) and a second processing chamber (320); at least one first deposition source (311) in the first processing chamber (310) and at least one second deposition source (321) in the second processing chamber (320); and at least one first shield device (350). The at least one first shield device (350) is configured to be moveable at least between a first position and a second position, wherein the at least one first shield device (350) is configured to shield the at least one first deposition source (311) when the at least one first shield device (350) is in the first position. The at least one first shield device (350) is configured to be moveable at least between the first processing chamber (310) and the second processing chamber (320).

Abstract translation: 提供了用于将材料沉积在基板上的沉积设备（300）。 沉积设备（300）包括第一处理室（310）和第二处理室（320）; 第一处理室（310）中的至少一个第一沉积源（311）和第二处理室（320）中的至少一个第二沉积源（321）; 和至少一个第一屏蔽装置（350）。 所述至少一个第一屏蔽装置（350）被配置为至少在第一位置和第二位置之间可移动，其中所述至少一个第一屏蔽装置（350）被配置为屏蔽所述至少一个第一沉积源 ），当所述至少一个第一屏蔽装置（350）处于所述第一位置时。 所述至少一个第一屏蔽装置（350）被配置为至少在所述第一处理室（310）和所述第二处理室（320）之间可移动。

公开(公告)号：WO2015151680A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/JP2015/055835

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社神戸製鋼所

Inventor： 沖本　忠雄 ,  瀬川　利規 ,  黒川　好徳

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/3277 ,  H05H1/48 ,  H05H1/50 ,  H05H2001/485

Abstract: 　成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。　プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空チャンバ１と、帯状の基材が当該成膜ローラ２の外周面のうちの周方向の一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ２と、成膜ローラ２の内部に配置され、成膜ローラ２の外周面のうちの基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部３と、成膜ローラ２に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ２に印加する電源４と、成膜ローラ２の外周面のうちの基材Ａが巻き掛けられる部分２ａに対して当該成膜ローラ２の回転軸を挟んで反対側に位置する部分であって当該基材Ａに接触していない部分２ｂを覆うカバー９とを備えている。

Abstract translation: 提供了一种等离子体CVD膜形成装置，用于防止在成膜辊的轴向上形成膜的区域中不包裹基板的部分发生异常放电。 等离子体CVD膜形成装置（10）装备有：真空室（1）; 金属成膜辊（2），其具有在圆周方向上缠绕在其外周面的一部分上的带状基材; 用于在所述成膜辊（2）的外周面的外侧产生磁场的磁场产生单元（3），所述磁场产生单元（3）围绕所述基板被包裹并位于所述成膜辊（2）的内部， ; 用于向成膜辊（2）施加用于在磁场区域内产生等离子体的AC电压并连接到成膜辊（2）的电源（4）。 以及用于覆盖成膜辊（2）的外周面的部分（2b）的盖（9），其不与基板（A）接触，并且与所述部分（2a）相对定位， 衬底（A）被包裹，其中成膜辊（2）的旋转轴线插入其间。

公开(公告)号：WO2015095674A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/US2014/071442

申请日：2014-12-19

Applicant: NUVOSUN, INC.

Inventor： HACHTMANN, Bruce ,  CLOVER, Preston ,  HOLLARS, Dennis ,  WALL, Arthur, C. ,  TAYLOR, Rocky ,  PENG, Gang, Grant

IPC: B65H20/06 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/20

CPC classification number: C23C2/24 ,  B65H20/06 ,  B65H2301/51214 ,  B65H2301/5162 ,  B65H2401/213 ,  B65H2404/20 ,  B65H2404/694 ,  B65H2515/71 ,  B65H2701/1121 ,  B65H2801/87 ,  C23C18/02 ,  C23C18/1204 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Disclosed are methods and systems for processing a web. The web (402) has a first surface, a second surface opposite the first surface, and includes a magnetic material. An example system includes a processing bed (202) configured to support the web while the first surface of the web undergoes one or more processing steps. The system also includes magnets (300) positioned relative to the processing bed so as to exert a magnetic force on the web that pulls the center of the web (403) toward the processing bed. The system further includes a conveyor belt (404) configured to move the web over the processing bed (202). The conveyor belt (404) has a first contact surface and a second contact surface opposite the first contact surface. The first contact surface is configured to contact the second surface of the web, and the second contact surface is configured to contact the processing bed.

Abstract translation: 公开了用于处理网络的方法和系统。 网（402）具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，并且包括磁性材料。 示例性系统包括被配置为在纤维网的第一表面经历一个或多个处理步骤时支撑幅材的处理床（202）。 该系统还包括相对于处理床定位的磁体（300），以便对卷筒纸（403）的中心向处理床施加磁力。 所述系统还包括被配置为将所述幅材移动到所述处理床（202）上的传送带（404）。 传送带（404）具有与第一接触表面相对的第一接触表面和第二接触表面。 第一接触表面构造成接触幅材的第二表面，并且第二接触表面构造成接触处理床。

公开(公告)号：WO2015067729A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/EP2014/073998

申请日：2014-11-07

Applicant: MAAN RESEARCH & DEVELOPMENT B.V.

Inventor： JANSEN, Andreas Willibrordus Maria ,  SNITJER, Johannes Schelto

IPC: B29C53/14 ,  H05H1/24 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/50 ,  B29C59/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/32376 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: The invention relates to a device (1) for treating a surface (2) by moving the device over the surface in a treatment direction (T), which device comprises a number of treatment elements (5) arranged in at least one row, wherein the treatment elements within a row are parallel to each other and wherein the longitudinal axis of each treatment element has at least, in use, a directional component parallel to the treatment direction.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过在处理方向（T）上移动装置在表面上来处理表面（2）的装置（1），该装置包括布置在至少一排中的多个处理元件（5），其中 一排中的处理元件彼此平行，并且其中每个处理元件的纵向轴线在使用中至少具有平行于处理方向的方向分量。

公开(公告)号：WO2015053189A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/076547

申请日：2014-10-03

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 廣瀬　達也 ,  大石　清

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/545 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/202 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50

Abstract: 　本発明の課題は、炭素原子及び酸素原子の組成が連続的に傾斜しているガスバリアー層を生産性の高い条件で形成しても、高いガスバリアー性と折り曲げ耐性を具備するガスバリアーフィルムを提供することである。　本発明のガスバリアーフィルムは、　可撓性基材上に少なくともケイ素、酸素、及び炭素を構成元素として含有するガスバリアー層を有するガスバリアーフィルムであって、炭素量と酸素量との比をプロットした炭素／酸素分布曲線において、少なくとも１組の隣接する極値の間隔が１～１０ｎｍの範囲内にあり、かつ、当該ガスバリアー層の基材界面から３０ｎｍの距離範囲内に、炭素原子比率が１０～３０ａｔ％の範囲内で分布する領域が存在することを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决了即使当在高生产率条件下形成具有连续梯度的碳和氧含量比的阻气层时，也提供了具有高阻气性和高耐弯曲性的阻气膜的问题。 在柔性基板上具有包含硅，氧和碳作为必要构成元素的气体阻隔层的阻气膜，其特征在于，在绘制碳/氧含量比的碳/氧分布曲线上， 彼此相邻的至少一对极值之间的距离为1〜10nm; 以及区域中的碳的原子比分布在10〜30原子％的范围内的区域，在从衬底界面延伸至30nm的区域的区域中存在阻气层。