Abstract:
Verfahren, Beschichtungsvorrichtung und Prozessieranordnung. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) Folgendes aufweisen: Erzeugen eines Vakuums in einem Beschichtungsbereich (803) und in einem Auffangbereich (805); Emittieren von Feststoffpartikel mit einer ersten Haupt-Ausbreitungsrichtung (102e) durch den Beschichtungsbereich (803) hindurch in den Auffangbereich (805); Verdampfen eines Beschichtungsmaterial mit einer zweiten Haupt-Ausbreitungsrichtung (104e) in den Beschichtungsbereich (803) hinein, wobei die erste Haupt-Ausbreitungsrichtung (102e) und die zweite Haupt-Ausbreitungsrichtung (104e) in einem Winkel zueinander verlaufen derart, dass das Beschichtungsmaterial an dem Auffangbereich (805) vorbei verdampft wird.
Abstract:
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsanordnung (100a, 100b, 900) Folgendes aufweisen: eine Beschichtungskammer (102), in welcher ein Beschichtungsbereich (104) bereitgestellt ist; eine Beschichtungsmatenalquelle (106) zum Beschichten eines Substrats (410) in dem Beschichtungsbereich (104) mit einem Beschichtungsmaterial, eine Auffangstruktur (108, 108a, 108b) zum Auffangen von Beschichtungsmaterial, welche einen Abschirmbereich (110) gegenüber der Beschichtungsmatenalquelle (106) abschirmt, welcher an den Beschichtungsbereich (104) angrenzt und einen Abstand (110d) von der Beschichtungsmatenalquelle (106) aufweist; wobei eine Ausdehnung (110q) des Abschirmbereichs (110) größer ist als der Abstand (110d); und eine in der Beschichtungskammer (102) angeordnete Transportvorrichtung (114, 1204), mittels welcher die Auffangstruktur (108, 108a, 108b) in die Beschichtungskammer (102) hinein und/oder aus der Beschichtungskammer (102) heraus transportierbar ist.
Abstract translation:
宝石。 根据各种实施例,涂覆装置(100a,100b,900)可以包括:涂覆室(102),涂覆区域(104)设置在涂覆室(102)中; 一个Beschichtungsmatenalquelle(106),用于与涂层材料,收集结构(108,108A,108B),用于对Beschichtungsmatenalquelle的OVER收集具有屏蔽(110)的涂层材料涂覆在涂覆区域(104)的衬底(410)(106) (104)相邻并与Beschichtungsmatenalquelle(106)相距一定距离(110d)的屏蔽层; 其中屏蔽区域(110)的范围(110q)大于距离(110d); 并且在涂布室(102),布置输送装置(114,1204),通过该收集结构(108,108A,108B)是在涂覆室(102)进入和/或流出涂覆室出来(102)可移动的 P >
Abstract:
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Kammeranordnung (100a) Folgendes aufweisen: ein Kammergehäuse (802), welches mehrere Prozessierbereiche (803a, 803b) aufweist, von denen jeder Prozessierbereich eine Übergabeposition (813a, 813b) definiert und von jeweils einer Öffnung in dem Kammergehäuse (802) freigelegt ist; mehrere Positionierung-Kammerstrukturen (833a, 833b), von denen jede Positionierung-Kammerstruktur genau einem Prozessierbereich der mehreren Prozessierbereiche (803a, 803b) zugeordnet ist und zum Positionieren einer dazu passenden Servicevorrichtung (100b) in dessen Übergabeposition (813a, 813b) eingerichtet ist; wobei das Kammergehäuse (802) derart eingerichtet ist, dass, wenn die Servicevorrichtung (100b) mittels einer Positionierung-Kammerstruktur der mehreren Positionierung-Kammerstrukturen (833a, 833b) positioniert ist, eine Prozessiereinheit durch die jeweilige Öffnung hindurch zwischen einem der Positionierung-Kammerstruktur zugeordneten Prozessierbereich und der Servicevorrichtung (100b) verlagert werden kann.
Abstract:
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozesskammerabdeck-Anordnung (100) Folgendes aufweisen: eine Prozesskammerabdeckung (102) zum Abdecken einer Öffnung (200g) einer Prozesskammer (200p); undeine Blitzlampenanordnung mit mindestens einer Blitzlampe(106), wobei die Blitzlampenanordnung an der Prozesskammerabdeckung (102) an ihrer Prozesskammerseite (102i) befestigt ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Gasentladungslampenanordnung, aufweisend eine Gasentladungslampe (1) mit einem rohrförmigen, langgestreckten Lampenkörper (3) sowie einer ersten, in dem Lampenkörper aufgenommenen Elektrode (5), eine erste, langgestreckte elektrische Leiterstruktur (10) mit einem ersten Längsendabschnitt (10a), der mit einem aus dem Lampenkörper herausgeführten Kontaktierungsabschnitt (5a) der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, und eine erste Gehäusestruktur (20), die einen Hohlraum (26) definiert, durch welchen hindurch sich die erste elektrische Leiterstruktur erstreckt und in dem die erste elektrische Leiterstruktur unter Ausbildung eines Lampenlängsdehnungs-Puffers einmal oder mehrmals aus einer ersten, im Wesentlichen linearen Erstreckungsrichtung heraus vorgebogen ist. Alternativ kann die Leiterstruktur einen Lampenlängsdehnungs-Pufferabschnitt aufweisen, der zur Aufnahme axialer Ausdehnungen oder Verschiebungen der Gasentladungslampe stauchbar ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit Partikeln, bei welchen unter Vakuum folgende Verfahrensschritte ausgeführt werden: - Positionieren einer zu beschichtenden Substratoberfläche des Substrats (7) in einem Vakuum und in Richtung eines Bereichs, in dem Feststoffpartikel angeordnet sind, mit denen die Substratoberfläche beschichtet werden soll, und - Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel zur elektrostatischen Aufladung der Feststoffpartikel derart, dass eine durch die elektrostatische Aufladung bewirkte Kraft die Feststoffpartikel voneinander trennt und in Richtung der Substratoberfläche des Substrats (7) beschleunigt zum Beschichten der Substratoberfläche mit zumindest einem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel. Eine dazu verwendbare Vorrichtung weist einen Partikelbehälter, eine Substrathalterung und eine Elektronenquelle auf.
Abstract:
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100a, 200a, 700, 800) Folgendes aufweisen: Transportieren einer Folienstruktur (302) in einem Beschichtungsbereich in einer Vakuumkammer, wobei die Folienstruktur (302) eine Dicke von weniger als 40 μm aufweist; und Beschichten der Folienstruktur (302) unter Verwendung eines gasförmigen Beschichtungsmaterials.
Abstract:
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung (100) bereitstellt, wobei diese Folgendes aufweisen kann: eine Trägerplatte (102) mit einer Aussparung (112), wobei sich die Aussparung (112) von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt; einen Halterahmen (132a), welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist; wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Transfermaske für Transferlithografieverfahren mit verbessertem Auflösungsvermögen und ein Verfahren zu deren Herstellung. Eine solche Maske umfasst einen transparenten Träger T und eine darüber angeordnete Funktionsschicht FS, welche absorbierende Bereiche AB und reflektierende Bereiche RB aufweist, wobei die absorbierenden Bereiche AB und die reflektierenden Bereiche RB gemeinsam in einer Ebene vorliegen und ohne direkten Kontakt über Freiräume F zueinander beabstandet angeordnet sind.
Abstract:
Ein Kammerdeckel (100) zum Abdichten einer Kammeröffnung (104o) in einer Gasseparationskammer (300), wobei sich der Kammerdeckel (100) im Wesentlichen entlang einer Kammerdeckel-Ebene erstreckt, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen Folgendes aufweisen: einen Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) zum Anschließen einer Hochvakuumpumpe (804a, 804b) an den Kammerdeckel (100); wobei der Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) eine Öffnung (106a, 106b) aufweist, welche den Kammerdeckel (100) durchdringt; und ein Trennelement (110), welches sich quer zur Kammerdeckel-Ebene in der Öffnung (106a, 106b) derart erstreckt, dass der Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) mittels des Trennelements (110) in zumindest einen ersten Öffnungsbereich (113a) und einen zweiten Öffnungsbereich (113b) separiert ist.