公开(公告)号：WO2013131868A2

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/EP2013/054317

申请日：2013-03-05

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

Inventor： SEIFFE, Johannes ,  RENTSCH, Jochen ,  HOFMANN, Marc ,  TROGUS, Daniel ,  PILLATH, Florian

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2256 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen einer Dotierschicht auf die Halbleiterschicht, welche Dotierschicht mindestens einen Dotierstoff zum Erzeugen des Dotierbereiches enthält; B Eindiffundieren des Dotierstoffes in die Halbleiterschicht durch Wärmeeinwirkung; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrensschritt A in einem Verfahrensschritt AO eine Passivierungsschicht mittelbar oder unmittelbar auf eine Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebracht wird, in Verfahrensschritt A die Dotierschicht mittelbar oder unmittelbar auf die Passivierungsschicht aufgebracht wird und in Verfahrensschritt B der Dotierstoff aus der Dotierschicht durch die Passivierungsschicht hindurch in die Halbleiterschicht eingebracht wird, wobei die Passivierungsschicht (4) mittels eines chemischen und/oder physikalischen Verfahrens aufgebracht wird, der Dotierstoff ein Dotierstoff aus der Gruppe Bor, Phosphor, Gallium, Arsen oder Indium ist und die Passivierungsschicht (4) in Verfahrensschritt A0 mit einer Dotierstoffkonzentration kleiner 5x10 19 cm -3 und die Dotierschicht in Verfahrensschritt A mit einer Dotierstoffkonzentration größer 10 20 cm -3 ausgebildet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于在半导体层中产生的掺杂区，其包括以下步骤：在沉积所述半导体层，其掺杂层包含用于产生所述掺杂区的至少一种掺杂剂在掺杂层A; 掺杂剂进入由热的作用的半导体层的B-扩散; 本发明的特征在于，一个钝化层步骤A之前在处理步骤AO直接或间接地施加到半导体层的表面，所述掺杂层是直接或间接沉积在步骤A和步骤B中从掺杂剂层通过掺杂剂的钝化层上 所述钝化层是传递引入半导体层，其中所述钝化层（4）通过化学和/或物理处理来施加，该掺杂剂是选自硼，磷，镓，砷或铟的掺杂剂，所述钝化层（4）在 A0步骤1020厘米-3与掺杂剂浓度小于5×1019厘米-3，并与掺杂浓度大于在步骤a中的掺杂层形成。

公开(公告)号：WO2013125254A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2013/050307

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩室　光則 ,  吉田　誠人 ,  野尻　剛 ,  町井　洋一 ,  織田　明博 ,  佐藤　鉄也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒、及び脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物を提供する。また本発明は、半導体基板上の全部又は一部に、前記不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層組成物層が形成された半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种含有含有供体元素或受体元素，分散介质和脂肪酸酰胺的化合物的杂质扩散层形成组合物。 本发明还提供一种制造具有杂质扩散层的半导体衬底的方法，该杂质扩散层具有用于施加杂质扩散层形成组合物以形成杂质扩散层形成用组合物层的全部或部分的步骤 半导体衬底，以及在其上形成有杂质扩散层组合物层的半导体衬底上进行热处理的步骤。

公开(公告)号：WO2013125253A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2013/050305

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤　鉄也 ,  吉田　誠人 ,  野尻　剛 ,  芦沢　寅之助 ,  倉田　靖 ,  町井　洋一 ,  岩室　光則 ,  織田　明博 ,  清水　麻理

IPC: H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明はドナー元素を含む化合物と、分散媒と、有機フィラーと、を含有するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層を有する半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。

Abstract translation: 本发明提供：一种用于形成n型扩散层的组合物，其包含含有施主元素，分散介质和有机填料的化合物; 一种具有n型扩散层的半导体衬底的制造方法; 以及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：WO2013015284A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/068720

申请日：2012-07-24

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  佐藤 鉄也 ,  吉田 誠人 ,  野尻 剛 ,  町井 洋一 ,  岩室 光則 ,  織田 明博

Inventor： 佐藤　鉄也 ,  吉田　誠人 ,  野尻　剛 ,  町井　洋一 ,  岩室　光則 ,  織田　明博

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/36 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明は、半導体層と、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＬｕからなる群より選ばれる金属原子の少なくとも１種、並びにｎ型不純物原子及びｐ型不純物原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の不純物原子を含む不純物拡散層と、を有する半導体基板を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体衬底，其具有以下部分：半导体层; 以及含有选自钾，钠，锂，钡，锶，钙，镁，铍，锌，铅，镉，钒，锡，锆，钼，镧中的至少一种金属元素的杂质扩散层 ，铌，钽，钇，钛，锗，碲和镥以及选自由n型杂质元素和p型杂质元素组成的组中的至少一种杂质元素。

公开(公告)号：WO2013005604A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/JP2012/066215

申请日：2012-06-26

Applicant: シャープ株式会社 ,  伊東 一篤 ,  北角 英人

Inventor： 伊東　一篤 ,  北角　英人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/225 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/385

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 　半導体装置（１００Ａ）は、酸化物半導体層（１１）を有する。酸化物半導体層（１１）は、チャネル領域（１１ｃ）とチャネル領域（１１ｃ）の両側に位置するソース領域（１１ｓ）とドレイン領域（１１ｄ）とを有する。ソース領域（１１ｓ）は、チャネル領域（１１ｃ）よりも抵抗の小さいソース低抵抗領域（１１ｓｘ）を有し、ドレイン領域（１１ｄ）は、チャネル領域（１１ｃ）よりも抵抗の小さいドレイン低抵抗領域（１１ｄｘ）を有する。ソース低抵抗領域（１１ｓｘ）およびドレイン低抵抗領域（１１ｄｘ）のキャリア濃度は、ソース電極（１７）とソース低抵抗領域（１１ｓｘ）との接続部分およびドレイン低抵抗領域（１１ｄｘ）とドレイン電極（１８）との接続部分からチャネル領域（１１ｃ）へ向かうほど低くなっている。

Abstract translation: 半导体器件（100A）具有氧化物半导体层（11）。 氧化物半导体层（11）具有位于沟道区域（11c）两侧的沟道区域（11c）和源极区域（11s）和漏极区域（11d）。 源极区域（11s）具有电阻低于沟道区域（11c）的电阻低的源极区域（11sx），漏极区域（11d）具有具有电阻的低电阻漏极区域（11dx） 低于沟道区域（11c）。 低电阻源区域（11sx）的载流子浓度和低电阻漏极区域（11dx）的载流子浓度从源极电极（17）和低电阻（11dx）之间的连接部朝向沟道区域（11c）降低 源极区域（11sx）以及低电阻漏极区域（11dx）和漏极电极（18）之间的连接部分。

公开(公告)号：WO2012161107A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/JP2012/062745

申请日：2012-05-18

Applicant: 日本合成化学工業株式会社 ,  佐藤 弘章 ,  勝間 勝彦 ,  加藤 邦泰 ,  堤 由佳

Inventor： 佐藤　弘章 ,  勝間　勝彦 ,  加藤　邦泰 ,  堤　由佳

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/228

Abstract: 　ポリビニルアルコール系樹脂（Ａ）、不純物（Ｂ）、および沸点が１００℃以上の多価アルコール（Ｃ）を含有し、該多価アルコール（Ｃ）の含有量が塗布液中の７０重量％以上の不純物拡散用塗布液である。このため、スクリーン印刷に好適であり、長時間の連続印刷や休止期間をおいた印刷が可能であり、皮膜形成後の半導体基板を直立状態で焼成したとしても抵抗値の上下の差が小さい半導体が得られる。

Abstract translation: 一种用于扩散杂质的涂布液，包括（A）聚乙烯醇类树脂，（B）杂质和（C）沸点为100℃以上的多元醇，其中多元醇（C）的含量 在涂布液中为70重量％以上。 因此，涂布液适用于丝网印刷，能够长时间连续印刷，在空转时间之后进行印刷，即使形成涂膜后的半导体基板在直立状态下烧成， 获得上部和下部之间的电阻小。

公开(公告)号：WO2012114935A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/JP2012/053356

申请日：2012-02-14

Applicant: 株式会社サンケイエンジニアリング ,  本間 孝治 ,  犬塚 仁

Inventor： 本間　孝治 ,  犬塚　仁

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/228 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】有毒なガスを使用せず、大気圧下で効率よく高濃度の不純物を含む膜を成膜する成膜方法等を提供する。 【解決手段】成膜方法を、ボロン又は五酸化リンなどの不純物の固体ソースを加熱蒸発させてガスを発生させ、得られたガスを予熱された基板の表面に噴射することによって前記基板上に不純物を含有する膜を成膜する構成とする。

Abstract translation: [问题]提供一种成膜方法等，其在大气压下有效地形成膜，该膜包括高浓度杂质而不使用有毒气体。 [解决方案]成膜方法具有对诸如硼或五氧化二磷的杂质的固体源进行热汽化并制成其气体的构造，并且通过将所获得的气体排放到预热基板的正面上，形成膜 在包含杂质的衬底上。

公开(公告)号：WO2012105163A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/JP2012/000167

申请日：2012-01-13

Applicant: 東京応化工業株式会社 ,  吉井 靖博 ,  高橋 元樹 ,  平井 隆昭

Inventor： 吉井　靖博 ,  高橋　元樹 ,  平井　隆昭

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 　実施の形態に係るケイ素含有膜形成組成物は、側鎖に環構造を持つシロキサンポリマー（Ａ）と、極性低分子化合物（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）と、を含有する。シロキサンポリマ－（Ａ）は、下記式（ａ－２）で表される構成単位を有する。極性低分子化合物（Ｂ）として、２級または３級のアルコールアミンまたはアルキルアミンなどの塩基性を有するアミン類が挙げられる。溶剤（Ｃ）は、シロキサンポリマー（Ａ）を溶解できるものであればよい。

Abstract translation: 用于形成本发明的一个实施方案的含硅膜的组合物包含（A）侧链具有环结构的硅氧烷聚合物，（B）极性低分子量化合物和（C）溶剂 。 硅氧烷聚合物（A）具有式（a-2）所示的结构单元。 极性低分子量化合物（B）的实例可以包括碱性胺如仲醇或叔醇胺和烷基胺。 对于溶剂（C），只要溶剂溶解硅氧烷聚合物（A）即可使用任何溶剂。

公开(公告)号：WO2012096018A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/JP2011/066107

申请日：2011-07-14

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  織田 明博 ,  吉田 誠人 ,  野尻 剛 ,  町井 洋一 ,  岩室 光則 ,  木沢 桂子 ,  足立 修一郎 ,  佐藤 鉄也

Inventor： 織田　明博 ,  吉田　誠人 ,  野尻　剛 ,  町井　洋一 ,  岩室　光則 ,  木沢　桂子 ,  足立　修一郎 ,  佐藤　鉄也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　ｐ型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも１種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。このｐ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。

Abstract translation: 该p型扩散层形成组合物包含：至少一种选自氮化硼和碳化硼的硼化合物; 和分散介质。 通过将p型扩散层形成组合物涂覆到半导体衬底上并进行热扩散处理，制造具有p型扩散层的p型扩散层和太阳能电池元件。

公开(公告)号：WO2011132744A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/JP2011/059845

申请日：2011-04-21

Applicant: シャープ株式会社 ,  小平 真継

Inventor： 小平　真継

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/383 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/223 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明の半導体装置の製造方法は、マスキング用インク（２４）を半導体基板（１０）に塗布してマスク（３１）を形成する工程と、拡散層（１２，１３）を形成する工程とを備え、マスキング用インク（２４）の塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか１つのタイミングで、マスキング用インク（２４）を加熱する工程およびマスキング用インク（２４）に光照射する工程の少なくとも一方の工程を含むことを特徴とする。

Abstract translation: 所公开的半导体器件的制造方法的特征在于，通过将掩模墨（24）施加到半导体基板（10）而形成掩模（31）的步骤，以及用于形成扩散层（12,13 ），并且通过包含至少一个步骤：在施加掩模油墨（24）之前，期间或之后的至少一个时刻加热掩蔽油墨（24）的步骤; 以及用于光掩蔽掩模油墨（24）的步骤。