公开(公告)号：WO2011135673A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/JP2010/057474

申请日：2010-04-27

申请人： 荏原ユージライト株式会社 ,  安田 弘樹 ,  君塚 亮一 ,  高須 辰治 ,  佐藤 琢朗 ,  石塚 博士 ,  小合 康裕 ,  尾山 祐斗 ,  外岡 優 ,  小坂 美紀子 ,  下村 彩 ,  清水 由美子

发明人： 安田　弘樹 ,  君塚　亮一 ,  高須　辰治 ,  佐藤　琢朗 ,  石塚　博士 ,  小合　康裕 ,  尾山　祐斗 ,  外岡　優 ,  小坂　美紀子 ,  下村　彩 ,  清水　由美子

IPC分类号： C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC分类号： C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/423

摘要： 　半導体用シリコン基板、有機材料基板、セラミック基板などの基板向けに高アスペクト比のビアホール、スルーホール等をフィリング可能とする銅めっき技術を提供することを目的とする。当該技術は、一般式(Ｉ)　(ただし、Ｒ １ はＣ ２ ～Ｃ ３０ で表されるグリコールエーテルであり、Ｒ ２ はＣ ３ ～Ｃ ８ で表される不飽和結合を有していてもよく、窒素原子または酸素原子で置換されていてもよい、５員環、６員環または５員環および６員環を形成する炭化水素である) で表される第３級アミン化合物、その第４級化合物およびこれらの化合物を含有する銅めっき用添加剤、銅めっき浴、銅めっき方法である。

摘要翻译： 本发明提供一种铜电镀技术，其能够在硅衬底，有机材料衬底和陶瓷衬底等半导体衬底中填充高纵横比的通孔和通孔。 所公开的技术涉及镀铜方法，镀铜浴和镀铜添加剂，其包括由通式1表示的叔胺化合物（其中R1部分是表示的C2-C30二醇醚，R2部分是形成5 元环，6元环或5-和6-元环，并且R 2部分可以包括C 3 -C 8不饱和键并且可以被氮原子或氧原子取代）和/或其季胺化合物。

公开(公告)号：WO2011135716A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/JP2010/057685

申请日：2010-04-30

申请人： 荏原ユージライト株式会社 ,  安田 弘樹 ,  君塚 亮一 ,  高須 辰治 ,  佐藤 琢朗 ,  石塚 博士 ,  小合 康裕 ,  尾山 祐斗 ,  外岡 優 ,  小坂 美紀子 ,  下村 彩 ,  清水 由美子

发明人： 安田　弘樹 ,  君塚　亮一 ,  高須　辰治 ,  佐藤　琢朗 ,  石塚　博士 ,  小合　康裕 ,  尾山　祐斗 ,  外岡　優 ,  小坂　美紀子 ,  下村　彩 ,  清水　由美子

IPC分类号： C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC分类号： C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

摘要： 　半導体用シリコン基板、有機材料基板、セラミック基板などの基板向けに高アスペクト比のビアホール、スルーホール等をフィリング可能とする銅めっき技術を提供することを目的とする。当該技術は、複素環化合物を、３つ以上のグリシジルエーテル基を有する化合物のグリシジルエーテル基のエポキシ基と反応させることにより得られる第３級アミン化合物、その第４級化合物およびこれらの化合物を含有する銅めっき用添加剤、銅めっき浴、銅めっき方法である。

摘要翻译： 提供一种铜电镀技术，其能够填充诸如硅衬底，有机材料衬底或陶瓷衬底的半导体衬底中的高纵横比通孔和通孔。 所公开的技术涉及包含叔胺化合物的铜电镀方法，铜电镀浴和镀铜添加剂，其通过使杂环化合物与具有三个或更多个缩水甘油基的化合物的缩水甘油醚基团的环氧基反应而获得 醚基和/或其季胺化合物。