公开(公告)号：WO2014083924A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/JP2013/075894

申请日：2013-09-25

Applicant: ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  幸 和芳

Inventor： 幸　和芳

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　シリコン基板と、シリコン基板内に設けられた埋め込みゲート電極溝と、埋め込みゲート電極溝の内壁上に設けられたゲート絶縁膜と、埋め込みゲート電極溝内を埋設するようにゲート絶縁膜上に設けられた埋め込みゲート電極であって窒化チタン膜とその上の第１金属膜を有する第１部分と窒化チタン膜の単層膜を有する第２部分とを有する埋め込みゲート電極と、埋め込みゲート電極の第１部分を構成する第１金属膜と電気的に接続されたコンタクトプラグと、を備えることを特徴とする半導体装置。

Abstract translation: 一种半导体器件，包括：硅衬底; 设置在硅衬底中的嵌入式栅极电极沟槽; 设置在嵌入式栅电极槽内的壁上的栅极绝缘膜; 嵌入栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，以安装在所述嵌入式栅电极槽的内部，所述嵌入式栅电极具有第一部分，所述第一部分具有氮化钛膜和第一金属膜;以及第二部分， 层氮化钛膜; 以及电连接到构成嵌入式栅电极的第一部分的第一金属膜的接触插塞。

公开(公告)号：WO2014123176A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/JP2014/052723

申请日：2014-02-06

Applicant: ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  幸 和芳

Inventor： 幸　和芳

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/76 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

Abstract: 　ワード線１０ｂと１０ｃの間でビット線１６で囲まれたコンタクトホール内に第２の導電材料を埋め込み、第２の方向で分離するツインプラグ形成工程において、従来のダミーワード線を形成せずに、ツインプラグ間に露出した半導体基板をさらにエッチングして拡散層分離用溝２９を形成し、拡散層分離絶縁膜３０を埋め込んで拡散層を分離すると共に、コンタクトプラグ２５ｂと２５ｃとを分離する。

Abstract translation: 提供一种双插塞形成处理，其中在字线（10b，10c）之间并由位线（16）包围的接触孔填充有第二导电材料并沿第二方向分离，其中不形成 通过进一步蚀刻在两个插塞之间露出的半导体衬底的表面形成扩散层分离沟槽（29），并且沟槽填充有扩散层分离绝缘膜（30）以分离扩散层， 和单独的接触插塞（25b，25c）。