公开(公告)号：WO2016103915A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2015/080827

申请日：2015-10-30

Applicant: 竹本容器株式会社 ,  廣瀬 文彦

Inventor： 廣瀬　文彦 ,  竹本　えつこ ,  藤森　宏 ,  間島　剛史 ,  坂本　仁志 ,  石橋　健一

IPC: B65D23/02 ,  B32B9/00 ,  B65D23/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/45527 ,  B32B9/00 ,  B65D23/02 ,  B65D23/08 ,  B65D23/0835 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/50

Abstract: 本発明は、樹脂製の容器（１０１）と、前記容器（１０１）の内面及び外面の少なくとも一方に設けられた金属酸化物膜（１０２）とを具備し、前記金属酸化物膜（１０２）は、当該金属酸化物膜を構成する金属が原子単位で堆積した原子層を複数層積層して５ｎｍ～１００ｎｍの膜厚を有する。

Abstract translation: 树脂容器设置有设置在所述容器（101）的内表面和/或外表面上的树脂容器（101）和金属氧化物膜（102）。 对于金属氧化物膜（102），层叠以构成所述金属氧化物膜的金属为原子单位的多个原子层，金属氧化物膜的膜厚为5〜100nm。

公开(公告)号：WO2008065908A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/JP2007/072248

申请日：2007-11-16

Applicant: 株式会社フィズケミックス ,  廣瀬 文彦 ,  大山 直樹 ,  小椋 謙 ,  坂本 仁志 ,  富田 祐吾 ,  泉 和也 ,  大嶋 重利

Inventor： 廣瀬 文彦 ,  大山 直樹 ,  小椋 謙 ,  坂本 仁志 ,  富田 祐吾 ,  泉 和也 ,  大嶋 重利

IPC: H01L21/285 ,  C01B33/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28097 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/28026

Abstract: 　真空容器であるチャンバ１の内部に配設されたハロゲン化物を形成する金属を含む材料で形成した被エッチング部材１１にハロゲンを含む作用ガスをプラズマ化して得られるハロゲンラジカルを作用させることにより、金属とハロゲンの化合物である前駆体を形成する一方、表面にＩＶ族元素膜、その下側に酸化膜を有する基板３を前記チャンバ１内に収納し、前記基板３の温度を前記被エッチング部材１１よりも低温に保持して前記前駆体を前記ＩＶ族元素膜の表面に吸着させるとともに前記ハロゲンのラジカルを作用させることにより、前記ＩＶ族元素膜を金属ＩＶ族元素化合物膜とするに際し、前記作用ガスのフラックスと前記前駆体のフラックスとの和である総フラックス、前記作用ガスのフラックス、及び前記前駆体のフラックスの少なくとも１つを制御することにより、所望の仕事関数を有する金属ＩＶ族元素化合物膜を形成する。

Abstract translation: 通过使含卤素作用气体的等离子体化产生的卤素自由基作用于由含有用于形成卤化物的金属的材料形成的蚀刻部件（11），形成作为前体的金属和卤素的化合物 设置在室（1）内作为真空室。 另外，在其表面上具有IV族元素膜的基板（3）和设置在基板的下侧的氧化膜容纳在该室（1）内。 将基板（3）的温度保持在低于蚀刻部件（11）的温度的值，以将前体吸附到IV族元素膜的表面上，并且使卤素的自由基能够使基团 IV元素膜与IV族金属元素复合膜。 在这种情况下，具有期望的功函数的IV族金属元素化合物膜可以通过调节作为气体的通量与前体的通量的总和的总通量中的至少一个来形成， 作用气体和前体的通量。

公开(公告)号：WO2015093389A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/082840

申请日：2014-12-11

Applicant: 廣瀬 文彦

Inventor： 廣瀬　文彦 ,  鹿又　健作

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

Abstract: 固体基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法において、反応容器１内に固体基板３を設置し、固体基板の温度を、０℃より高く、１５０℃以下に保持し、反応容器内にテトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウムあるいは、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウムを含む有機金属ガスを充満させる工程と、前記有機金属ガスを前記反応容器から排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程と、酸素と水蒸気とを含むガスをプラズマ化して酸素及び水蒸気を励起したプラズマガスを生成し、当該プラズマガスを前記反応容器に導入する工程と、前記反応容器からプラズマガスを排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程とを含む一連の工程を繰り返すことにより酸化物薄膜を形成する。

Abstract translation: 一种在固体基板上形成氧化物薄膜的方法，其中通过重复一系列步骤形成氧化物薄膜，所述步骤包括：将固体基质（3）设置在反应容器（1）中并进行反应的步骤 在含有四（乙基甲基氨基）铪或四（乙基甲基氨基）锆的有机金属气体中填充容器，同时将固体基质保持在高于0℃但是150℃或更低的温度; 其中有机金属气体从反应容器中排出或反应容器中填充有惰性气体; 将含有氧气和水蒸汽的气体激发到等离子体中以产生激发的氧气和水蒸气的等离子体气体并将等离子体气体引入到反应容器中的步骤; 以及其中等离子体气体从反应容器中排出或反应容器填充有惰性气体的步骤。