公开(公告)号：WO2016128384A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/EP2016/052698

申请日：2016-02-09

Applicant: TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG

Inventor： NITSCHKE, Moritz

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32944 ,  H02J3/14 ,  H02J9/062 ,  H03F3/2175

Abstract: Bei einem Leistungsversorgungssystem (1) für einen Plasmaprozess mit einer ersten Leistungsversorgung (2), und einer zweiten baugleichen oder bauähnlichen redundanten Leistungsversorgung (3), wobei die erste und zweite Leistungsversorgung (2, 3) über eine Datenaustauschverbindung (4) datentechnisch verbunden sind, ist die erste Leistungsversorgung (2) ausgelegt, in einem Standbymodus Daten von der zweiten im Normalbetriebsmodus arbeitenden Leistungsversorgung (3) zu erhalten, die notwendig sind, um die bislang von der zweiten Leistungsversorgung (3) an den Plasmaprozess gelieferte Leistung an Stelle der zweiten Leistungsversorgung (3) dem Plasmaprozess zuzuführen.

Abstract translation: 在电源系统（1）一种用于等离子体处理与第一电源（2），和第二个相同的或在结构上类似的冗余电源（3），其中，通过数据通信链路（4）在第一和第二电源（2,3）连接进行数据传输， 第一电源（2）被设计成进入待机模式，从在正常操作模式电源的第二操作数据（3），这是必要的，以第二电源（3）的日期代替供应到等离子体处理的第二电源的 （3）提供到等离子处理。

公开(公告)号：WO2015187389A3

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015032177

申请日：2015-05-22

Applicant: UNIV MICHIGAN STATE

Inventor： ASMUSSEN JES ,  LU JING ,  GU YAJUN ,  NAD SHREYA

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/274 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/3321

Abstract: The disclosure relates to microwave cavity plasma reactor (MCPR) apparatus and associated tuning and process control methods that enable the microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPACVD) of a component such as diamond. Related methods enable the control of the microwave discharge position, size and shape, and enable efficient matching of the incident microwave power into the reactor prior to and during component deposition. Pre-deposition tuning processes provide a well matched reactor exhibiting a high plasma reactor coupling efficiency over a wide range of operating conditions, thus allowing operational input parameters to be modified during deposition while simultaneously maintaining the reactor in a well-matched state. Additional processes are directed to realtime process control during deposition, in particular based on identified independent process variables which can effectively control desired dependent process variables during deposition while still maintaining a well-matched power coupling reactor state.

Abstract translation: 本公开涉及使微波等离子体辅助化学气相沉积（MPACVD）等元件如金刚石的微波空腔等离子体反应器（MCPR）装置和相关的调谐和过程控制方法。 相关方法能够控制微波放电位置，尺寸和形状，并且能够在组件沉积之前和期间有效地将入射的微波功率匹配到反应器中。 预沉积调谐过程提供了良好匹配的反应器，其在宽范围的操作条件下表现出高等离子体反应器耦合效率，从而允许在沉积期间修改操作输入参数，同时将反应器维持在良好匹配的状态。 额外的过程涉及沉积期间的实时过程控制，特别是基于所确定的独立过程变量，其可以在沉积期间有效地控制期望的依赖过程变量，同时仍保持良好匹配的功率耦合反应器状态。

公开(公告)号：WO2013168509A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/JP2013/060852

申请日：2013-04-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 高場　裕之

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 　一実施形態においては、被処理基体をエッチングする方法は、（ａ１）被処理基体を収容した処理容器内にエッチャントガスを供給する工程と、（ｂ１）処理容器内を排気する工程と、（ｃ１）処理容器内に希ガスを供給する工程と、（ｄ１）処理容器内にマイクロ波を供給して処理容器内において希ガスのプラズマを励起する工程と、を含む。エッチャントガスを供給する工程、排気する工程、希ガスを供給する工程、及び希ガスのプラズマを励起する工程を含む一連の工程が繰り返されてもよい。

Abstract translation: 在本发明的一个实施例中，用于待处理衬底的蚀刻方法包括：（a1）将蚀刻剂气体供应到容纳待处理衬底的处理容器中的步骤：（b1） 处理容器内部被抽真空; （c1）向处理容器供给惰性气体的工序; 和（d1）将微波供给到处理容器中以激发处理容器内的惰性气体的等离子体的步骤。 可以重复包括提供蚀刻剂气体的步骤，排气步骤，供给稀有气体的步骤以及激发稀有气体的等离子体的步骤的顺序方法。

公开(公告)号：WO2013114870A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/JP2013/000487

申请日：2013-01-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 秋元　敏和 ,  河南　博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/10 ,  H01L22/20 ,  H05H1/0037 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 【課題】１回の枚葉プラズマ処理の中でプラズマプロセスのゆらぎやばらつきを精緻に抑制する。 【解決手段】ＯＥＳ計測部１１０は、各ステップの終了時または終了直後に分光計測値ＭＯＥＳ i を出力する。ＣＤ推定部１４０は、推定モデル記憶部１４２より取り込むＣＤ推定モデルＡＭ i と分光計測値ＭＯＥＳ i とを用いて各ステップ分のＣＤ推定値ＡＣＤ i を求める。プロセス制御部１３２は、次のステップにおいて、レシピ記憶部１３６より取り込んだ次のステップ分のプロセス条件設定値ＰＣ i+1 および制御モデル記憶部１３８より取り込んだ次のステップ分のプロセス制御モデルＣＭ i+1 に加えて、ＣＤ推定部１４０より受け取った前ステップ分のＣＤ推定値ＡＣＤ i を制御対象１３０の自動制御に用いる。

Abstract translation: [问题]精确地抑制一次性片状等离子体处理中的等离子体处理中的波动和不均匀。 [解决方案] OES测量单元（110）在每个步骤完成之后或之后输出光谱测量值（MOESi）。 CD估计单元（140）使用从估计模型存储单元（142）引入的光谱测量值（MOESi）和CD估计模型（AMi）来找出每个步骤的CD估计值（ACDi）。 在对要被控制的被摄体（130）的自动控制中，处理控制单元（132）使用从CD估计单元（140）获取的用于下一步骤的前一步骤的CD估计值（ACDi） 除了从配方存储单元（136）引入的下一步骤的处理条件设定值（PCi + 1）以及从控制引入的下一步骤的处理控制模型（CMi + 1） 模型存储单元（138）。

公开(公告)号：WO2009158556A3

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/US2009048747

申请日：2009-06-26

Applicant: LAM RES CORP ,  KEIL DOUGLAS ,  BOOTH JEAN-PAUL ,  THORGRIMSSON CHRISTOPHER

Inventor： KEIL DOUGLAS ,  BOOTH JEAN-PAUL ,  THORGRIMSSON CHRISTOPHER

IPC: H05H1/36 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32954 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/263

Abstract: A method for automatically characterizing plasma during substrate processing is provided. The method includes collecting a set of process data, which includes at least data about current and voltage. The method also includes identifying a relevancy range for the set of process data, wherein the relevancy range includes a subset of the set of process data. The method further includes determining a set of seed values. The method yet also includes employing the relevancy range and the set of seed values to perform curve-fitting, wherein the curve-fitting enables the plasma to be automatically characterized.

Abstract translation: 提供了一种用于在衬底处理期间自动表征等离子体的方法。 该方法包括收集一组过程数据，其至少包括关于电流和电压的数据。 所述方法还包括识别所述一组过程数据的相关范围，其中所述相关范围包括所述一组过程数据的子集。 该方法还包括确定一组种子值。 该方法还包括采用相关范围和种子值集合进行曲线拟合，其中曲线拟合使等离子体能够被自动表征。

公开(公告)号：WO2016177766A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/EP2016/059970

申请日：2016-05-04

Applicant: TRUMPF HUETTINGER SP. Z O. O.

Inventor： GLAZEK, Wojciech ,  BUGYI, Rafal

IPC: H01J37/32 ,  H03H7/38

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H03H7/38

Abstract: A plasma impedance matching unit (13) for a plasma power supply system (10, 100) comprises a. a first power connector (40) for coupling the matching unit (13) to a power source (11), b. a second power connector (41) for coupling the matching unit (13) to a plasma load (20), c. a data link interface (45) for directly coupling the impedance matching unit (13) to another plasma impedance matching unit (14) of the plasma power supply system (10, 100) via a data link (48), d. a controller (42) configured to control the matching unit (13) in order to match the impedance from the first power connector (40) to the impedance at the second power connector (41), wherein e. the controller (42) is configured to operate as a master for at least one other impedance matching unit (14) and/or at least one RF power source (11, 12) of the plasma power supply system (10, 100), wherein the controller (42) communicates via the data link interface (45) with the other impedance matching unit(s) (14) and/or RF power source(s) (11, 12) of the plasma power supply system (10, 100).

Abstract translation: 一种用于等离子体供电系统（10,100）的等离子体阻抗匹配单元（13）包括a。 b）用于将匹配单元（13）耦合到电源（11）的第一电源连接器（40），b。 用于将匹配单元（13）耦合到等离子体负载（20）的第二电源连接器（41），c。 数据链路接口（45），用于经由数据链路（48）将阻抗匹配单元（13）直接耦合到等离子体供电系统（10,100）的另一个等离子体阻抗匹配单元（14）。 控制器（42），被配置为控制所述匹配单元（13），以便将来自所述第一电源连接器（40）的阻抗与所述第二电源连接器（41）处的阻抗相匹配，其中e。 控制器（42）被配置为作为用于等离子体供电系统（10,100）的至少一个其它阻抗匹配单元（14）和/或至少一个RF电源（11,12）的主站，其中 控制器（42）经由数据链路接口（45）与等离子体供电系统（10,100）的另一个阻抗匹配单元（14）和/或RF电源（11,12）进行通信 ）。

公开(公告)号：WO2015118696A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2014/056411

申请日：2014-03-12

Applicant: 株式会社京三製作所

Inventor： 譲原　逸男 ,  相川　諭 ,  大間　亮介

IPC: H01T15/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32926 ,  H05H2001/4645

Abstract: 高周波電源装置はプラズマ着火するパルス電力を供給するプラズマ着火工程と、発生したプラズマを維持する駆動電力を供給する駆動電力供給工程とを備える。プラズマ着火工程において、着火パルス出力動作で印加する着火パルスを、着火を促すメインパルスと、メインパルスの前段階で印加され、メインパルスよりも低電力のプリパルスとによって構成する。着火パルスをメインパルスとプリパルスとで構成することによって、反射波電力から高周波電源を保護するとともにプラズマの確実な着火を行う。

Abstract translation: 该高频电源装置具有：等离子体点火步骤，其中提供用于点燃等离子体的脉冲功率; 以及驱动电力供给步骤，其中提供用于维持所产生的等离子体的驱动功率。 在等离子体点火步骤中，通过点火脉冲输出操作施加的点火脉冲由引起点火的主脉冲和在主脉冲之前的阶段施加的预脉冲构成，并且其功率比 主脉冲。 作为从主脉冲和预脉冲配置点火脉冲的结果，高频电源被保护免受反射波功率的影响，等离子体被可靠地点燃。

公开(公告)号：WO2015118096A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/EP2015/052490

申请日：2015-02-06

Applicant: TRUMPF HUETTINGER SP. Z O.O.

Inventor： GIERALTOWSKI, Andrzej ,  GRABOWSKI, Adam ,  LACH, Piotr ,  ZELECHOWSKI, Marcin

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32944 ,  G01R19/165 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935

Abstract: A Method of monitoring the discharge in a plasma process comprises the steps: a. supplying a plasma process with a periodic power supply signal (71a); b. determining a first power supply signal waveform within a first time interval (Δt) within a first period of the power supply signal; c. determining a second power supply signal waveform (31, 51) within a second time interval (Δt) within a second period of the power supply signal, wherein the second time interval (Δt) is at a position in the second period which corresponds to the position of the first time interval (Δt) within the first period; d. comparing the second power supply signal waveform (31, 51) of the second time interval with the first power supply signal waveform of the first time interval or a reference signal waveform (50, 60), and determining a first comparison result; e. if the first comparison result corresponds to a given first comparison result, time shifting one of the second power supply signal waveform (31, 51) in the second time interval (Δt), the first power supply waveform in the first time interval (Δt) or the reference signal waveform (50, 60), and comparing the time shifted signal with one of the signal waveforms that were not time shifted, thereby obtaining a second comparison result.

Abstract translation: 一种监测等离子体工艺中的放电的方法包括以下步骤：a。 向等离子体处理提供周期性电源信号（71a）; 湾 在所述电源信号的第一周期内确定第一时间间隔（Δt）内的第一电源信号波形; C。 在所述电源信号的第二周期内，在第二时间间隔（Δt）内确定第二电源信号波形（31,51），其中所述第二时间间隔（Δt）在与所述第二时间间隔 在第一时段内的第一时间间隔（Δt）的位置; 天。 将第二时间间隔的第二电源信号波形（31,51）与第一时间间隔的第一电源信号波形或参考信号波形（50,60）进行比较，并确定第一比较结果; 即 如果第一比较结果对应于给定的第一比较结果，则在第二时间间隔（Δt）中时间移位第二电源信号波形（31,51）中的一个，第一时间间隔（Δt）中的第一电源波形 或参考信号波形（50,60），并且将时移信号与未被时移的信号波形之一进行比较，从而获得第二比较结果。

公开(公告)号：WO2011131769A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/056460

申请日：2011-04-21

Applicant: IMPEDANS LTD ,  SCULLIN, Paul ,  GAHAN, David ,  O'SULLIVAN, Donal

Inventor： SCULLIN, Paul ,  GAHAN, David ,  O'SULLIVAN, Donal

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34

Abstract: A system for monitoring a condition in an enclosed plasma processing space (102). The system comprises a sensor (338), arranged to be provided within the enclosed plasma processing space, for sensing a condition in the enclosed plasma processing space and a modulation circuit (342), connected to the sensor, and arranged to modulate an output of the sensor to provide a modulated signal. The system further comprises a first transmission line coupler (330) arranged to be disposed within the enclosed plasma processing space. The first transmission line coupler (546) is connected to the modulation circuit and is arranged to couple the modulated signal to a transmission line, which is arranged to deliver energy into the enclosed plasma space. The system further comprises a second transmission line coupler, arranged to be disposed outside the enclosed plasma processing space and coupled to the transmission line and a demodulator (550), connected to the second coupler, for receiving and demodulating the modulated signal.

Abstract translation: 一种用于监测封闭等离子体处理空间（102）中的状况的系统。 该系统包括传感器（338），被布置成设置在封闭的等离子体处理空间内，用于感测封闭的等离子体处理空间中的状态，以及连接到传感器的调制电路（342），并且被配置成调制 传感器提供调制信号。 该系统还包括布置成设置在封闭的等离子体处理空间内的第一传输线耦合器（330）。 第一传输线耦合器（546）连接到调制电路，并且被布置成将调制信号耦合到传输线，传输线被布置成将能量传递到封闭的等离子体空间中。 该系统还包括第二传输线耦合器，其布置成设置在封闭等离子体处理空间外部并耦合到传输线，以及连接到第二耦合器的解调器（550），用于接收和解调调制信号。

公开(公告)号：WO2008123186A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/JP2008/055415

申请日：2008-03-24

Applicant: 三井造船株式会社 ,  滝澤 一樹

Inventor： 滝澤 一樹

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/0043 ,  G01J3/443 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32954 ,  H01J37/32972

Abstract: 　ヘリウムガスの準安定状態の原子を励起させる波長のレーザ光を、生成したプラズマに照射して、準安定状態の原子を励起させ、レーザ光の吸収量を表す吸収量情報を取得し、吸収量情報に基いて、プラズマ中におけるヘリウムガスの準安定状態の原子の密度を算出する。加えて、プラズマ中における、ヘリウムガスの異なる２つの励起状態からの下位準位遷移過程それぞれによる各発光を計測し、各発光の発光強度比を求める。その後、算出したヘリウムガスの準安定状態の原子の密度と、発光強度比とに基いて、生成したプラズマの電子温度を算出する。これにより、プラズマ雰囲気の条件によらず比較的高い精度で、プラズマの電子温度を算出することができる。

Abstract translation: 具有能够在亚稳态的氦原子的波长的激光束被引导到产生的等离子体，并且激发亚稳态的原子。 获取表示吸收的激光束的量的吸收量信息，根据吸收量计算等离子体中的亚稳态的氦原子的密度。 测量从两个不同的激发态转换到较低的等离子体所产生的等离子体中氦气的光的发射，确定发射强度之间的比例。 所产生的等离子体的电子温度是从亚稳态中氦气原子的计算密度和计算出的发射强度比计算的。 由此，与等离子体气氛的条件无关地，可以以相对高的精度计算等离子体电子温度。