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公开(公告)号：WO2012102313A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/JP2012/051574
申请日：2012-01-25
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/24 , H01L21/027
摘要： 本発明は、研磨基板と、該研磨基板上に形成された光吸収膜を少なくとも有するマスクブランクに、マスクパターン設計に基づいてマスクパターンを描画するフォトマスクの製造方法であって、複数枚の研磨基板の表面形状又は複数枚のマスクブランクの表面形状の少なくともどちらかを測定し、前記測定された表面形状に基づいて基準表面形状又は基準板厚分布を算出後、前記算出された基準表面形状又は基準板厚分布に基づいて前記マスクパターン描画時のマスクパターン形成位置を調整する、フォトマスクの製造方法に関する。
摘要翻译： 本发明涉及一种制造光掩模的方法，其中掩模图形根据掩模图案设计被绘制在至少包括抛光基板和设置在抛光基板上的光吸收膜的掩模板上，其中在 测量多个研磨基板的表面形状中的至少一个和多个掩模坯料的表面形状，基于测量的表面形状计算参考表面形状或参考基板厚度分布，并且基于计算出的 参考表面形状或参考基板厚度分布时，当绘制掩模图案时调整掩模图案形成位置。
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公开(公告)号：WO2010026998A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/JP2009/065360
申请日：2009-09-02
发明人： 生田 順亮
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16
摘要： ＥＵＶリソグラフィを実施する際に、マスクパターン領域の外周部の吸収膜表面からのＥＵＶ反射光による影響が抑制されたＥＵＶマスク、および、該ＥＵＶマスクの製造に用いるＥＵＶマスクブランク、ならびに、該ＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供。 基板上に、少なくとも高屈折率膜と低屈折率膜を交互に積層させＥＵＶ光を反射する多層反射膜を成膜し、該多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収膜を成膜するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、 前記多層反射膜を成膜後、前記多層反射膜表面のうち、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを用いて 作製 されるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクにおいてマスクパターン領域となる部位よりも外側の部位を加熱することにより、前記多層反射膜表面のうち加熱された部位におけるＥＵＶ光の反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
摘要翻译： 提供一种EUV掩模，其中当进行EUV光刻时，在掩模图案区域的外圆周处的反射在吸收膜表面上的EUV光的影响最小化，用于生产EUV掩模的EUV掩模 和EUV掩模毛坯的制造方法。 具体公开了一种用于制造用于EUV光刻（EUVL）的反射掩模板的方法，其中通过在衬底上交替沉积至少一种高折射率膜和低折射率膜而形成反射EUV光的多层反射膜，然后 在多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜。 该方法的特征在于，在形成多层反射膜之后，通过加热在多层反射膜形成之后的多层反射膜的表面的部分的部分的部分，以成为用于EUV光刻的反射掩模中的掩模图案区域的部分，其通过使用 用于EUVL的反射掩模坯料，从而降低多层反射膜表面上的加热部分中的EUV光的反射率。
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公开(公告)号：WO2009022428A1
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/JP2007/065968
申请日：2007-08-16
发明人： 生田 順亮
IPC分类号： C03C23/00 , C03C15/00 , C03C15/02 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/74 , C03C15/00 , C03C23/0005 , G03F1/82
摘要： ガラス基板の表面粗さを該基板の表面全体にわたって増加させることなしに、該基板表面に強固に付着した異物を除去する方法を提供。 ガラス基板表面から異物を除去する方法であって、前記ガラス基板表面の前記異物が存在する部位周辺に高エネルギービームを照射して、前記高エネルギービームが照射された部位周辺にガラス基板の構成材料の構造的変化による応力を生じさせる工程と、前記高エネルギービーム照射後のガラス基板表面をウェットエッチングする工程と、を含むことを特徴とするガラス基板表面から異物を除去する方法。
摘要翻译： 在不增加玻璃基板的整个基板表面的表面粗糙度的情况下，除去强烈地附着在玻璃基板的表面上的任何异物的方法。 提供从玻璃基板的表面去除任何异物的方法，其特征在于包括以下步骤：用高能量束照射外部物质所在位置周围的玻璃基板的表面，以产生归因于 构成玻璃基板周围的材料的结构变化在用能量束照射的部位上; 并且在用高能量束照射之后湿法蚀刻玻璃基板的表面。
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公开(公告)号：WO2003080526A1
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/JP2003/003759
申请日：2003-03-26
IPC分类号： C03C3/06
CPC分类号： G03F7/70958 , C03B19/1453 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03C3/06 , C03C23/0025 , C03C2201/21 , C03C2203/40 , C03C2203/50 , G02B1/02 , Y02P40/57
摘要： 波長１５０～１９０ｎｍの紫外線を光源とする装置に用いられ、波長１５０～１９０ｎｍの紫外光に対する耐紫外線性に優れた合成石英ガラスの提供を目的とする。 波長１５０～２００ｎｍの光に使用される合成石英ガラスにおいて、合成石英ガラス中のＯＨ基濃度が１ｐｐｍ未満であり、酸素過剰型欠陥濃度が１×１０ 16 個／ｃｍ 3 以下、水素分子濃度が１×１０ 17 分子／ｃｍ 3 未満、かつキセノンエキシマランプ光を照度１０ｍＷ／ｃｍ 2 で３ｋＪ／ｃｍ 2 照射した後、またはＦ 2 レーザ光をエネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ 2 ／パルスで１０ 7 パルス照射した後の非架橋酸素ラジカルの濃度が１×１０ 16 個／ｃｍ 3 以下であることを特徴とする合成石英ガラス。
摘要翻译： 用于使用150〜190nm波长的紫外线作为光源的单位的合成石英玻璃，其对紫外线的耐紫外线性优异，为150〜190nm。 用于150〜200nm波长的合成石英玻璃，其特征在于，在合成石英玻璃中，OH基浓度小于1ppm，氧过剩型缺陷的浓度为1×10 16个缺陷/ cm 3以下，氢分子的浓度小于1×10 17分子/ cm 3，非交联氧自由基的浓度在用氙准分子灯3kJ / cm 2照射后表现出 在10mW / cm 2的照射强度下，或以10mJ / cm 2 /脉冲的能量密度用F 2激光束进行10 <7>脉冲照射后的光为1×10 16 自由基/ cm 3以下。
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公开(公告)号：WO2012121159A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/055428
申请日：2012-03-02
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24
摘要： 本発明は、基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板において、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されており、該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板に関する。
摘要翻译： 本发明涉及具有基板和多层膜的多层基板，其中，在与基板侧表面相对的多层膜的表面上形成表示多层基板的基准位置的凹凸基准标记， 并且参考标记的表面的材料的至少一部分与在多层膜的与衬底侧相反的一侧上的最外表面层的材料不同。
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6.发明申请ＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク、および該反射層付基板の製造方法 审中-公开用于EUV LITHOGRAPHY的反射层设备衬底，用于EUV光刻的反射掩模层，用于EUV层析的反射掩模，以及用于生产反射层的衬底的工艺
公开(公告)号：WO2011071123A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/JP2010/072161
申请日：2010-12-09
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要： Ｒｕ保護層からの酸化による反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される反射層付基板、ならびに該反射層付基板の製造方法の提供。 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記反射層と、前記保護層と、の間に、窒素を０．５～２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５～９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
摘要翻译： 提供一种EUV掩模坯料，其中可以抑制由于Ru保护层的氧化引起的反射率的降低，用于制备EUV掩模板的反射层配备的衬底，以及用于制造反射层 - 设备基板。 所公开的用于EUV光刻的具有反射层的衬底具有用于反射EUV辐射的反射层和用于保护以上述顺序形成在衬底上的反射层的保护层，其特征在于：反射层为 Mo / Si多层反射膜; 保护层是Ru层或Ru化合物层; 并且在反射层和保护层之间形成含有0.5〜25at％的氮和75〜99.5原子％的Si的中间层。
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公开(公告)号：WO2008129914A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/JP2008/054808
申请日：2008-03-14
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/84 , G03F9/7076 , G03F9/7084
摘要： 球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定することができるＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、および機能膜付基板の提供。 ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板であって、基板の成膜面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。 （１）マークの大きさが球相当直径で３０～１００ｎｍ。 （２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
摘要翻译： 一个EUV掩模空白，可以准确地精确定位约30nm球当量直径的微小缺陷的位置; 以及具有功能膜的相关掩模空白基板和基板。 提供了一种用于EUV光刻的反射掩模板的基板，其特征在于，在基板的成膜表面上形成满足以下要求的至少三个标记：（1）球面上的标记尺寸范围为30至100nm 等效直径，和（2）在成膜表面上，三个标记不在同一虚拟直线上。
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公开(公告)号：WO2013031863A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/071905
申请日：2012-08-29
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F7/20
摘要： 本発明は、基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクにおいて、前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に凹状又は凸状に形成され、前記反射多層膜の基準位置を示す基準マークをさらに有し、該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される、反射型マスクブランクに関する。
摘要翻译： 本发明提供一种按照顺序列出的基板，用于反射曝光光的多层反射膜和用于吸收所述曝光光的吸收层的反射掩模板。 反射掩模坯料还具有用于指示所述多层反射膜的参考位置的参考标记，所述参考位置形成为从所述多层反射膜的表面或在所述多层反射膜的表面之间形成的凹部或形成在所述多层反射膜 和所述吸收层。 所述参考标记被形成为使得其反射率相对于具有规定波长的光围绕参考标记的区域的反射率不同，并被转印到在所述参考标记上形成的层膜。
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公开(公告)号：WO2011115131A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/056096
申请日：2011-03-15
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/60 , G03F7/70958
摘要： 本発明は、ガラス基板の成膜面および該成膜面に対する裏面を予備研磨する予備研磨工程、ガラス基板の最大板厚分布と平坦度を測定する測定工程、前記測定工程での測定結果に基づいて前記ガラス基板の裏面のみを局所研磨する修正研磨工程、をこの順に実施して、ＥＵＶＬ光学部材用基材を得る、ＥＵＶＬ光学部材用基材の製造方法に関する。
摘要翻译： 公开了一种用于制造用于EUV光刻的光学部件基材的方法，其包括按以下顺序执行以下步骤：预抛光步骤，用于对其上将要形成膜的表面进行预抛光玻璃基板 和相对于上述表面的后表面，其上将形成膜; 用于测量玻璃基板的平坦度和最大板厚分布的测量步骤; 以及用于基于在测量步骤中获得的测量结果仅局部抛光玻璃基板的后表面的校正抛光步骤。
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公开(公告)号：WO2011071126A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/JP2010/072169
申请日：2010-12-09
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要： Ｒｕ保護層からの酸化による反射率の低下が抑制されたＥＵＶＬ用多層膜ミラーおよびその製造方法の提供。 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーであって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記反射層と、前記保護層と、の間に、窒素を０．５～２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５～９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用ＥＵＶＬ用多層膜ミラー。
摘要翻译： 提供一种用于EUV光刻的多层反射镜，其中可以抑制由于Ru保护层的氧化引起的反射率的降低及其制造方法。 所公开的用于EUV光刻的多层反射镜具有用于反射EUV辐射的反射层和用于保护以上述顺序形成在基板上的反射层的保护层，其特征在于：反射层是Mo / Si多层膜 反光膜; 保护层是Ru层或Ru化合物层; 并且在反射层和保护层之间形成含有0.5〜25原子％的氮和75〜99.5原子％的Si的中间层。
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