公开(公告)号：WO2018226934A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/US2018/036423

申请日：2018-06-07

申请人： MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.

发明人： CARLSON, Douglas ,  BOLES, Timothy, E.

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0243 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0205 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/24 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

摘要： Structures and methods for reducing wafer bow during heteroepitaxial growth are described. Micro-trenches may be formed across a surface of a substrate and filled with polycrystalline material. Stress-relieving regions of material can be grown over the polycrystalline material in a layer of semiconductor material during heteroepitaxy.

公开(公告)号：WO2013175697A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/JP2013/002346

申请日：2013-04-04

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 左文字　克哉 ,  山中　一彦 ,  吉田　真治 ,  萩野　裕幸

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

摘要： 半導体発光装置(300)は、表面に極性面又は半極性面を有する窒化物半導体基板(201)上に窒化物半導体多層膜が積層された窒化物半導体発光素子(310)と、当該素子を搭載する搭載部(311)とを有する。窒化物半導体多層膜は電子ブロック層(204)を含む。電子ブロック層は、格子定数が窒化物半導体基板よりも小さい。搭載部は、少なくとも第１の搭載部基材(311a)を有する。第１の搭載部基材は、窒化物半導体発光素子が搭載される側に位置する。第１の搭載部基材は、熱膨張係数が窒化物半導体多層膜よりも小さい。第１の搭載部基材は、熱伝導率が窒化物半導体多層膜よりも大きい。

摘要翻译： 半导体发光器件（300）具有：氮化物半导体发光元件（310），其具有层叠在具有极性表面或半极性表面作为表面的氮化物半导体衬底（201）上的氮化物半导体多层膜; 和安装有元件的安装部（311）。 氮化物半导体多层膜包括电子阻挡层（204）。 电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体衬底的晶格常数。 安装部具有至少第一安装部基材（311a）。 第一安装部分基材位于要安装氮化物半导体发光元件的一侧。 第一安装部分基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。 第一安装部分基材的导热率高于氮化物半导体多层膜的导热率。

公开(公告)号：WO2012086150A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/JP2011/006956

申请日：2011-12-13

申请人： 住友化学株式会社 ,  井上 孝行 ,  中野 強 ,  市川 磨

发明人： 井上　孝行 ,  中野　強 ,  市川　磨

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02546 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3216

摘要： 　垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３－５族化合物半導体からなり、２×１０ １８ ｃｍ －３ 以上、１×１０ １９ ｃｍ －３ 以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。

摘要翻译： 提供了一种用于垂直腔表面发射激光器的半导体衬底。 半导体衬底具有用作接触层的p型晶体层，p型晶体层由3-5化合物半导体构成，并且半导体衬底含有浓度等于或高于2×2的氢原子 1018cm-3但等于或小于1×1019cm-3。 p型GaAs层可以用作p型晶体层。 p型晶体层可以含有碳原子作为p型杂质原子。

公开(公告)号：WO2012015990A3

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/US2011045633

申请日：2011-07-27

申请人： UNIV CALIFORNIA ,  ZHANG XIANG ,  SORGER VOLKER ,  OULTON RUPERT ,  MA REN-MIN

发明人： ZHANG XIANG ,  SORGER VOLKER ,  OULTON RUPERT ,  MA REN-MIN

IPC分类号： H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/30 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/341 ,  H01S5/4031

摘要： Hybrid plasmonic waveguides are described that employ a high-gain semiconductor nanostructure functioning as a gain medium that is separated from a metal substrate surface by a nanoscale thickness thick low-index gap. The waveguides are capable of efficient generation of sub-wavelength high intensity light and have the potential for large modulation bandwidth >1THz.

摘要翻译： 描述了采用高增益半导体纳米结构的混合等离子体波导，该高增益半导体纳米结构用作通过纳米级厚度厚的低折射率间隙与金属衬底表面分离的增益介质。 波导能够有效地产生亚波长高强度光，并具有大于1THz的大调制带宽的潜力。

公开(公告)号：WO2008018220A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：PCT/JP2007/060366

申请日：2007-05-21

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  松原 秀樹 ,  齊藤 裕久 ,  中西 文毅 ,  松川 真治

发明人： 松原 秀樹 ,  齊藤 裕久 ,  中西 文毅 ,  松川 真治

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

摘要： 　本面発光レーザ素子（１）の製造方法は、導電性ＧａＮ基板（１０）として、高転位密度高導電領域（１０ａ）と低転位密度高導電領域（１０ｂ）と低転位密度低導電領域（１０ｃ）とを含む導電性ＧａＮ複領域基板を準備する工程と、その基板上に発光層（２００）を含む複数のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体層積層体（２０）を形成する半導体層積層体形成工程と、半導体側電極（１５）および基板側電極（１１）を形成する電極形成工程とを含み、発光層（２００）中でキャリアが流入する発光領域（２００ａ）が低転位密度高導電領域（１０ｂ）内の上方に位置するように、半導体層および電極を形成することを特徴とする。これにより、発光領域における発光が均一な面発光レーザ素子が歩留まりよく得られる。

摘要翻译： 一种制造表面发射激光器元件（1）的方法包括制备包括高位错密度高导电性区域（10a），低位错密度高导电性区域（10b）的导电性GaN复合区域基板的工序，以及 作为导电性GaN衬底（10）的低位错密度低导电区域（10c），制造包括发光层（200）的III-V族化合物半导体层多层体（20）的半导体层多层体制造工序 ）和形成半导体侧电极（15）和基板侧电极（11）的电极形成工序。 该方法的特征在于，形成半导体层和电极，使得形成在发光层（200）中并且载流子流入的发光区域（200a）位于低通滤波器的上部， 位错密度高导电区域（10b）。 因此，能够以高的制造成品生产发光区域的发光均匀的表面发射激光元件。

公开(公告)号：WO2014088502A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/SE2013/051451

申请日：2013-12-04

申请人： HAMMAR, Mattias ,  MARCKS VON WÜRTEMBERG, Rickard ,  Yu, Xingang

发明人： HAMMAR, Mattias ,  MARCKS VON WÜRTEMBERG, Rickard ,  Yu, Xingang

IPC分类号： H01S5/062 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/06203 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34313

摘要： It is provided a transistor vertical-cavity surface-emitting laser, T-VCSEL comprising: a collector section (13) comprising a bottom substrate (11) and a base contacting layer (172), defining the collector region, an emitter section (14) and a base section (16), arranged between the emitter section (14) and the collector section (13), and comprising a collector contacting layer (171) and a light emitting active layer (17), arranged between layers (15, 15') of a base material. The emitter section (14) comprises a current confining blocking layer (110) that comprises a first material layer (112), having a first type of doping and comprising a current confining means (111, 21 1) and a second material layer (19), defining the emitter region, having a second type of doping and being provided on the base side of the material layer (112). This design allows electrical carriers injected from the emitter (14) to flow through the current confining blocking layer (110) confined by the current confining means (111) to arrive at the base (16) and activate the light emitting active layer (17). Methods for fabricating T-VCSELs according to these designs are also provided.

摘要翻译： 提供一种晶体管垂直腔表面发射激光器，T-VCSEL包括：收集器部分（13），包括底部基板（11）和限定集电极区域的基极接触层（172），发射极部分（14） ）和布置在发射器部分（14）和收集器部分（13）之间的基部部分（16），并且包括集电极接触层（171）和发光有源层（17） 15'）。 发射极部分（14）包括电流限制阻挡层（110），其包括第一材料层（112），其具有第一类型的掺杂并且包括电流限制装置（111,211）和第二材料层（19 ），限定发射极区域，具有第二类型的掺杂并且设置在材料层（112）的基极侧上。 这种设计允许从发射器（14）注入的电载流子流过由电流限制装置（111）限制的电流限制阻挡层（110）以到达基极（16）并激活发光有源层（17） 。 还提供了根据这些设计制造T-VCSEL的方法。

公开(公告)号：WO2013049578A3

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/US2012057931

申请日：2012-09-28

申请人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS

发明人： FAURIE JEAN-PIERRE ,  BEAUMONT BERNARD

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/3245 ,  C30B29/403 ,  C30B29/607 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate including a body comprising a Group III-V material and having an upper surface, the body comprising an offcut angle defined between the upper surface and a crystallographic reference plane, and the body further having an offcut angle variation of not greater than about 0.6 degrees.

摘要翻译： 一种衬底，包括包含III-V族材料并具有上表面的主体，所述主体包括限定在所述上表面和晶体参考平面之间的切割角，并且所述主体还具有不大于约0.6的切除角变化 度。

公开(公告)号：WO2012015990A2

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/US2011/045633

申请日：2011-07-27

申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  ZHANG, Xiang ,  SORGER, Volker ,  OULTON, Rupert ,  MA, Ren-Min

发明人： ZHANG, Xiang ,  SORGER, Volker ,  OULTON, Rupert ,  MA, Ren-Min

IPC分类号： H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/30 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/341 ,  H01S5/4031

摘要： Hybrid plasmonic waveguides are described that employ a high-gain semiconductor nanostructure functioning as a gain medium that is separated from a metal substrate surface by a nanoscale thickness thick low-index gap. The waveguides are capable of efficient generation of sub-wavelength high intensity light and have the potential for large modulation bandwidth >1THz.

摘要翻译： 描述了采用高增益半导体纳米结构的混合等离子体波导，所述高增益半导体纳米结构用作增益介质，所述增益介质通过纳米级厚度低折射率间隙与金属衬底表面分离。 波导能够有效地产生亚波长高强度光并且具有大于1THz的大调制带宽的潜力。

公开(公告)号：WO2010137511A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/058513

申请日：2010-05-20

申请人： 三洋電機株式会社 ,  口野 啓史

发明人： 口野　啓史

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

摘要： 【課題】生産性を向上させながら、素子特性が低下するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子１０の製造方法は、基板１上の、Ａ方向に略４００μｍのピッチＰ１で配置される欠陥集中領域２０同士の間に、３つの光導波路２ａを形成する工程と、隣接する欠陥集中領域２０同士の間に形成される３つの光導波路２ａのうち、中央の光導波路２ａを、欠陥集中領域２０同士の中心線Ｌ１１と光導波路２ａの中心線Ｌ２２とのＡ方向の距離が５μｍ以上３０μｍ以下になるように形成する工程とを備える。

摘要翻译： 本发明提供一种能够在提高生产率的同时防止元件特性劣化的氮化物系半导体激光元件的制造方法。 制造半导体激光元件（10）的方法包括以下步骤：在衬底上的A方向上以约400μm的间距（P1）排列的缺陷集中区域（20）之间形成三个光波导（2a） 1）; 以及在形成在相邻的缺陷集中区域（20）之间的三个光波导（2a）之间形成中心光波导（2a），使得在缺陷集中区域（20）之间的中心线（L11）之间的A方向上的距离 光波导（2a）的中心线（L22）为5μm以上且30μm以下。

公开(公告)号：WO2006112228A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：PCT/JP2006/305097

申请日：2006-03-15

申请人： 三菱電機株式会社 ,  蔵本 恭介

发明人： 蔵本 恭介

IPC分类号： H01S5/042

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 　貫通転位部での電流リークを低減することで、長期信頼性が高く、サージ耐性や静電気耐性が大きな半導体レーザを得る。転位密度が１×１０ ５ ｃｍ －２ 以上の高転位領域を持つ基板と、基板上に設けられ、活性層を有する半導体結晶と、半導体結晶上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、活性層へ電流を注入するために半導体結晶と導通された表面電極と、基板下に設けられた裏面電極とを含み、表面電極の面積が、レーザ共振器長をＬとしたときに、１２０×Ｌμｍ ２ 以下である。

摘要翻译： 半导体激光器在穿透位错部分具有长期可靠性和大的浪涌电阻和具有电流泄漏的静电电阻。 半导体激光器包括具有高位错密度的位错区域的衬底，其位错密度为至少1×10 -5 cm -2，设置在衬底上以具有 有源层，设置在半导体晶体上的绝缘膜，允许与用于向有源层注入电流的半导体晶体导电的前电极和设置在基板下方的后电极，其中前电极的面积达到 当激光谐振器的长度为L时，为120×Lμm 2。