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    VORRICHTUNGEN ZUR AUSSENDUNG UND/ODER ZUM EMPFANG ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG UND VERFAHREN ZUR BEREITSTELLUNG DERSELBEN
    2.
    发明申请
    VORRICHTUNGEN ZUR AUSSENDUNG UND/ODER ZUM EMPFANG ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG UND VERFAHREN ZUR BEREITSTELLUNG DERSELBEN 审中-公开
    对版本和/或接收电磁辐射和方法的装置，用于提供SAME

    公开(公告)号：WO2015059222A1

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：PCT/EP2014/072735

    申请日：2014-10-23

    Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT CHEMNITZ

    Inventor： GESSNER, Thomas ,  OTTO, Thomas ,  SCHULZ, Stefan ,  HERMANN, Sascha ,  BLAUDECK, Thomas ,  SPUDAT, Christian

    IPC: B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/423 ,  H01L29/775 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0352 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L33/06 ,  H01L29/41

    CPC classification number: H01L51/502 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L25/046 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/127 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/775 ,  H01L33/16 ,  H01L33/34 ,  H01L33/38 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/428 ,  H01L51/447 ,  H01L51/5296 ,  H01L51/56

    Abstract: Vorrichtungen zur Aussendung und oder zum Empfang elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zur Bereitstellung derselben Die Erfindung beschreibt eine Vorrichtung zur Aussendung oder Detektion elektromagnetischer Strahlung (11 o ; 11 i). Die Vorrichtung weist eine erste und eine zweite Elektrode (14a, 14b) auf, die über eine elektrisch leitfähige Nanostruktur (12), z. B. einen Nanodraht oder ein Nanoröhrchen (CNT), miteinander verbunden sind. Die elektrisch leitfähige Nanostruktur ist ausgebildet, um Elektronen (16) und Löcher (18) aus der ersten und zweiten Elektrode zu empfangen oder zu der ersten und der zweiten Elektrode zu transportieren. Die Vorrichtung umfasst ferner ein an einer Umfangsfläche der elektrisch leitfähigen Nanostruktur (12) angeordnete(s/r) Strahlungsmolekül / Quantenpunkt (22). Das Strahlungsmolekül / Der Quantenpunkt (22) ist ausgebildet, um Elektronen und Löcher oder elektromagnetische Strahlung (11 i) aufzunehmen und bei einer Rekombination von aufgenommenen Elektronen und aufgenommenen Löchern die elektromagnetische Strahlung (11 o ) zu emittieren oder basierend auf der aufgenommenen elektromagnetischen Strahlung (11 i) Elektronen und Löcher zu emittieren. Die elektrisch leitfähige Nanostruktur (12) ist an einem an der ersten oder zweiten Elektrode (14a, 14b) angeordneten Ende im Bereich (26a, 26b) einer Umfangsfläche der elektrisch leitfähigen Nanostruktur zumindest teilweise von der ersten oder zweiten Elektrode umschlossen, um einen elektrischen Kontakt der ersten oder zweiten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Nanostruktur bereitzustellen.

    Abstract translation: 装置，用于发送和或接收电磁辐射和方法，用于提供相同的本发明涉及一种设备，用于发射或检测电磁辐射（11O，11 i）中。 该装置包括第一和第二电极（14A，14B），其通过导电纳米结构（12）中，z。 例如，纳米线或纳米管（CNT），相互连接。 导电纳米结构被设计为接收的电子（16）和所述第一和第二电极的通孔（18）或将它们传送到所述第一和第二电极。 该装置还包括一个在所述导电纳米结构（12）的外周表面设置（S / R）辐射分子/量子点（22）。 辐射分子/量子点（22）被配置为接收电子和空穴，或电磁辐射（11 i）和电磁辐射（11O）的拍摄和记录的孔或基于所接收的电磁辐射的电子的再结合以发射（11 i）至发射电子和空穴。 导电纳米结构（12）是在所述第一或第二电极中的一个（14A，14B）在该区域排列端部（26A，26B）至少部分地封闭由所述第一或第二电极的导电纳米结构的一个周面的电接触 提供在第一或第二电极和导电纳米结构。

    半導体発光素子、その製造方法及び光源装置
    3.
    发明申请
    半導体発光素子、その製造方法及び光源装置 审中-公开
    半导体发光元件，其制造方法和光源装置

    公开(公告)号：WO2013114480A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：PCT/JP2012/005972

    申请日：2012-09-20

    Applicant: パナソニック株式会社

    Inventor： 藤田　稔之 ,  井上　彰 ,  横川　俊哉

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2933/0091

    Abstract: 　半導体発光素子（１０１）は、非極性面又は半極性面を主面とし、偏光光を発光する活性層（２２）を含む窒化物系半導体からなる半導体積層構造（２０）を備えている。半導体発光素子（１０１）は、偏光光の出射経路を横切る位置に設けられ、複数の凹部を含むストライプ構造（５０）を有し、凹部（５０ｂ）における延伸方向と偏光光における偏光方向とがなす角度は、０°以上且つ４５°以下である。複数の凹部（５０ｂ）は、該複数の凹部（５０ｂ）の表面の少なくとも一部に凹部５０ｂの深さよりも浅い微細な凹凸構造（テクスチャ）（５１）を有している。

    Abstract translation: 半导体发光元件（101）设置有包括氮化物系半导体的半导体层叠结构（20），该氮化物系半导体包括用于发射偏振光的有源层（22），非极性表面或半极性表面 主面。 半导体发光元件（101）具有条状结构（50），该条状结构（50）包括设置在与偏振光的出射光束相交的位置的多个凹部，以及在凹部（50b）的延伸方向之间形成的角度， 并且偏振光的偏振方向不小于0°且不大于45°。 在多个凹部（50b）的外表面的至少一部分中，多个凹部（50b）具有比凹部（50b）的深度浅的微细凹凸结构（纹理）51， 。

    光子出力装置、光子出力方法、及び光子出力装置に用いる半導体の製造方法
    4.
    发明申请
    光子出力装置、光子出力方法、及び光子出力装置に用いる半導体の製造方法 审中-公开
    光电输出装置，光电输出方法和用于制造在光电输出装置中使用的半导体的方法

    公开(公告)号：WO2013018583A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：PCT/JP2012/068684

    申请日：2012-07-24

    Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  水落 憲和 ,  山崎 聡 ,  牧野 俊晴 ,  加藤 宙光 ,  竹内 大輔 ,  小倉 政彦

    Inventor： 水落　憲和 ,  山崎　聡 ,  牧野　俊晴 ,  加藤　宙光 ,  竹内　大輔 ,  小倉　政彦

    IPC: H01L33/34

    CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/58

    Abstract: 　本発明による光子出力装置は、ｐ型ダイヤモンド層１１、ｎ型ダイヤモンド層１２、及びｐ型ダイヤモンド層１１とｎ型ダイヤモンド層１２との間に積層されたｉ型ダイヤモンド層１３からなるＰＩＮ構造の半導体を含む発光素子１０と、ｉ型ダイヤモンド層内において発生した光子を通過させる光学素子２０とを備える。光学素子２０は、ｉ型ダイヤモンド層１３の所定の位置において発生した光子を通過させ、ｉ型ダイヤモンド層１３の別の位置、ｐ型ダイヤモンド層１１およびｎ型ダイヤモンド層１２において発生した光子をカットすることが好ましい。

    Abstract translation: 根据本发明的光子输出装置设置有包括PIN半导体的发光元件（10），该半导体包括p型金刚石层（11），n型金刚石层（12）和i型金刚石层 金刚石层（13）层压在p型金刚石层（11）和n型金刚石层（12）之间; 以及透射在i型金刚石层中产生的光子的光学元件（20）。 优选地，光学元件（20）透射在i型金刚石层（13）中的指定位置产生的光子，并且切断在i型金刚石层（13）中的其它位置产生的光子， 型金刚石层（11）和n型金刚石层（12）。

    CMOS BASED MICRO-PHOTONIC SYSTEMS
    5.
    发明申请
    CMOS BASED MICRO-PHOTONIC SYSTEMS 审中-公开
    CMOS基微电子系统

    公开(公告)号：WO2012075511A3

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：PCT/ZA2011000090

    申请日：2011-11-30

    Applicant: TSHWANE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ,  SNYMAN LUKAS WILLEM

    Inventor： SNYMAN LUKAS WILLEM

    IPC: H01L31/12 ,  G02B6/42 ,  H01L31/16 ,  H01L31/173 ,  H01L33/34 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L31/173 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/428 ,  G02B6/43 ,  H01L33/34

    Abstract: This invention relates to CMOS based micro-photonic systems comprising an optical source, means for optical transmission, and a detector, wherein the optical source is capable of emitting light having a wavelength being in a range in which a nitride comprising layer of said means for optical transmission is transparent and being below a detection threshold of said detector so as to enable the generation of a micro-photonic system in silicon integrated circuit technology.

    Abstract translation: 本发明涉及包括光源，光传输装置和检测器的基于CMOS的微光子系统，其中光源能够发射具有波长范围内的光，其中包括所述装置的层的氮化物 光传输是透明的并且低于所述检测器的检测阈值，以便能够在硅集成电路技术中产生微光子系统。

    AN ALL SILICON 750nm AND CMOS-BASED OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM UTILIZING MOD-E AVALANCHE LEDs
    6.
    发明申请
    AN ALL SILICON 750nm AND CMOS-BASED OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM UTILIZING MOD-E AVALANCHE LEDs 审中-公开
    所有采用MOD-E AVALANCHE LED的硅750nm和基于CMOS的光通信系统

    公开(公告)号：WO2011035348A3

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：PCT/ZA2010000032

    申请日：2010-06-15

    Applicant: TSHWANE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ,  SNYMAN LUKAS WILLEM

    Inventor： SNYMAN LUKAS WILLEM

    IPC: H01L33/00 ,  G02B6/122 ,  H01L33/34 ,  H04B10/12

    CPC classification number: H04B10/801 ,  G02B6/12004 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/34 ,  H04B10/40

    Abstract: An optical communication system is provided comprising of a three terminal silicon based light emitting device operating by means of avalanche carrier multiplication and emitting at the below threshold wavelength detection range for Silicon of 850nm; a low loss optical waveguide operating in the below threshold wavelength detection range for Silicon of 850nm; and an optical detector, wherein a complete and all-silicon optical communication system is formed being capable of transferring electrical signals in terms of optical intensity variations, such intensities then being propagated through the waveguide and being detected by the optical detector; and being converted back to electrical signals. In a particular mode of operation of the system, wavelength modulation may be obtained. In other applications, transponding action and optical amplification may be obtained.

    Abstract translation: 提供了一种光通信系统，包括：三端子硅基发光器件，其借助于雪崩载波相乘并在850nm以下的硅的阈值下限波长检测范围内发射; 在低于850nm的硅的阈值波长检测范围内工作的低损耗光波导; 以及光学检测器，其中形成完整的全硅光通信系统，其能够根据光强度变化传输电信号，然后这些强度通过波导传播并且由光检测器检测; 并被转换回电信号。 在系统的特定操作模式中，可以获得波长调制。 在其他应用中，可以获得转发动作和光放大。

    LIGHT EMITTING APPARATUS
    8.
    发明申请
    LIGHT EMITTING APPARATUS 审中-公开
    发光装置

    公开(公告)号：WO2010096606A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：PCT/US2010/024651

    申请日：2010-02-19

    Applicant: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION ,  XU, Jian ,  ASHOK, S.

    Inventor： XU, Jian ,  ASHOK, S.

    IPC: H01L33/34

    CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L33/34 ,  H01S5/3009 ,  H01S5/3031 ,  Y10S438/933

    Abstract: A light emitting apparatus may include a gate metal positioned between a p-type contact and an n-type contact, a gate oxide or other dielectric stack positioned below and attached to the gate metal, a Ge or Si 1-z Gez channel positioned below and attached to the gate dielectric stack, a buffer, and a silicon substrate positioned below and attached to the buffer. The light emitting apparatus may alternatively include a gate metal positioned between a p-type contact and an n-type contact, a wide bandgap semiconductor positioned below and attached to the gate metal, a Ge or Si 1-z Gez channel positioned below and attached to the wide bandgap semiconductor, a buffer, and a silicon substrate positioned below and attached to the buffer. Embodiments of the light emitting apparatus may be configured for use in current-injected on-chip lasers, light emitting diodes or other light emitting devices.

    Abstract translation: 发光装置可以包括位于p型接触和n型接触之间的栅极金属，位于栅极金属下方并连接到栅极金属的栅极氧化物或其它电介质堆叠，位于下方并连接的Ge或Si1-zGez通道 到位于缓冲器下方并附着于栅极电介质叠层的缓冲器和硅衬底。 发光装置可以替代地包括位于p型触点和n型触点之间的栅极金属，位于栅极金属下方并附着于栅极金属的宽带隙半导体，位于下方并连接到栅极金属的Ge或Si1-zGez通道 宽带隙半导体，缓冲器和位于缓冲器下方并附着于其上的硅衬底。 发光装置的实施例可以被配置为用于电流注入的片上激光器，发光二极管或其它发光器件。

    SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION 审中-公开
    包含异质结的半导体发光器件

    公开(公告)号：WO2009095886A3

    公开(公告)日：2009-09-24

    申请号：PCT/IB2009050378

    申请日：2009-01-30

    Applicant: INSIAVA PTY LTD ,  SNYMAN LUKAS WILLEM ,  DU PLESSIS MONUKO

    Inventor： SNYMAN LUKAS WILLEM ,  DU PLESSIS MONUKO

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/34

    CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/02

    Abstract: A semiconductor light emitting device (10) comprises a semiconductor structure (12) comprising a first body (14) of a first semiconductor material (in this case Ge) comprising a first region of a first doping kind (in this case n) and a second body (18) of a second semiconductor material (in this case Si) comprising a first region of a second doping kind (in this case p). The structure comprises a junction region (15) comprising a first heterojunction (16) formed between the first body (14) and the second body (18) and a pn junction (17) formed between regions of the structure of the first and second doping kinds respectively. A biasing arrangement (20) is connected to the structure for, in use, reverse biasing the pn junction, thereby to cause emission of light.

    Abstract translation: 半导体发光器件（10）包括半导体结构（12），该半导体结构包括第一半导体材料（在该情况下为Ge）的第一主体（14），该第一半导体材料包括第一掺杂类型的第一区域（在这种情况下为n） 包括第二掺杂类型的第一区域（在这种情况下为p）的第二半导体材料（在这种情况下为Si）的第二主体（18）。 该结构包括包含在第一主体（14）和第二主体（18）之间形成的第一异质结（16）和在第一和第二掺杂的结构的区域之间形成的pn结（17）的结区域 种类。 偏置装置（20）连接到该结构，用于在使用中反向偏置pn结，从而引起光的发射。

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