公开(公告)号：WO2013024769A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/JP2012/070225

申请日：2012-08-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  鎌田 美子 ,  林 輝幸 ,  小野 裕司

Inventor： 鎌田　美子 ,  林　輝幸 ,  小野　裕司

IPC: C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/546 ,  H01L51/001

Abstract: 【課題】成膜処理において膜厚測定に用いられる水晶振動子の長寿命化を図ることにある。さらに、複数種の材料ガスを用いて成膜を行う際に、個別の材料ガスについての成膜量と混合ガスについての成膜量の関係性に基き膜厚制御を行うことが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 【解決手段】基板に薄膜を成膜させる成膜装置であって、キャリアガスおよび材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板の上面に材料ガスを噴射させるヘッドと、を備え、前記材料供給部と前記ヘッドは材料ガス供給路を介して連通し、前記材料ガス供給路には、材料ガス供給路から分岐する分岐流路が設けられ、前記分岐流路には材料ガスの成膜量を測定する測定装置が接続されている、成膜装置が提供される。

Abstract translation: [问题]为了提高成膜工序中用于测量膜厚度的石英谐振器的使用寿命，并且提供一种成膜装置和成膜方法，由此可以根据膜厚度的关系来控制膜厚度 使用多种材料气体形成膜时，混合气体的成膜以及各种原料气体的成膜量。 [解决方案]提供一种用于在基板上形成薄膜的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置的特征在于包括：用于供给载气和原料气体的材料供给部，所述材料供给部能够减压; 以及用于将材料气体喷射到基板的顶表面上的头部; 材料供应部分和头部通过材料气体供应通道连通; 用于从材料气体供应通道分支的分支流动通道，其被提供到材料气体供应通道; 以及用于测量连接到分支流动通道的原料气体的成膜量的测量装置。

公开(公告)号：WO2012026483A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/069027

申请日：2011-08-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  鎌田 美子 ,  石川 拓 ,  小野 裕司 ,  林 輝幸 ,  布瀬 暁志 ,  斉藤 美佐子 ,  鎌田 豊弘 ,  大槻 志門

Inventor： 鎌田　美子 ,  石川　拓 ,  小野　裕司 ,  林　輝幸 ,  布瀬　暁志 ,  斉藤　美佐子 ,  鎌田　豊弘 ,  大槻　志門

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  C23C14/545 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。 【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。

Abstract translation: 公开了一种能够在基板上沉积薄膜的同时进行膜厚控制的气相沉积处理装置。 通过气相沉积在基板上形成薄膜的气相沉积处理装置设置有供给材料气体并且能够自由降低压力的材料供应单元，以及用于在上述薄膜上沉积薄膜的沉积单元 基质。 上述沉积单元具有用于测量喷射到上述基板上的原料气体的蒸汽浓度的检测装置，并且设置有控制单元，该控制单元基于上述检测装置中的测量结果来控制沉积条件。