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公开(公告)号:WO2010123027A1
公开(公告)日:2010-10-28
申请号:PCT/JP2010/057058
申请日:2010-04-21
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246
Abstract: 【課題】流動性を高く保った状態の顆粒状の有機材料を効率的に昇華・溶解させることが可能な蒸着処理装置および蒸着処理方法を提供する。 【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給装置と、前記基板に薄膜を成膜する成膜装置を備え、前記材料供給装置は材料を定量する定量部と、前記定量部を通過した材料を気化させる材料ガス生成部を有する、蒸着処理装置が提供される。
Abstract translation: 提供一种气相沉积设备和气相沉积方法,其中保持高流动性状态的颗粒状有机材料可以有效升华和溶解。 通过气相沉积在基板上沉积薄膜的气相沉积装置包括供应材料气体并可以自由降低压力的材料供应装置,以及在基板上沉积薄膜的成膜装置,其中材料供应装置 具有确定材料量的确定单元和使通过确定单元的材料气化的原料气体生成单元。
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公开(公告)号:WO2012014881A1
公开(公告)日:2012-02-02
申请号:PCT/JP2011/066944
申请日:2011-07-26
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 大島 澄美 , 林 輝幸 , 石川 拓 , 斉藤 美佐子
IPC: H05B33/10 , H01L21/304 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67028 , H01L21/67173 , H01L21/67253 , H01L51/5206 , H01L51/56
Abstract: 【課題】基板処理装置において洗浄用の洗浄室を設けることなく、短時間で効率的に基板表面を均一に洗浄することができ、基板処理のスループット向上を図ることが可能な基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板搬入用の搬入室と、基板に成膜処理を行う成膜室と、前記搬入室と前記成膜室との間で基板を搬送させる基板搬送機構を有する搬送室とを備える基板処理装置であって、前記搬入室と前記搬送室は隣接した状態で接続され、前記搬入室または前記搬送室のいずれか一方の外部には、基板の搬送経路上に光を照射する光照射機構と、前記光照射機構から照射される光の照射量および照射強度を制御する制御部が設けられ、前記光照射機構が設けられた前記搬入室または前記搬送室には前記光照射機構から照射された光を透過させる透過窓が設けられ、前記光照射機構から基板に照射される光は基板に対して相対的に移動しながら照射される、基板処理装置が提供される。
Abstract translation: 公开了一种基板处理装置,其能够在不设置清洗用清洁室的情况下,能够在短时间内有效且均匀地清洗基板表面,能够提高基板的加工量。 基板处理装置设置有:接收基板的接收室; 成膜室,其对所述基板进行成膜处理; 以及输送室,具有将上述接收室与上述成膜室之间的基板输送的基板输送机构。 上述接收室和上述输送室在相邻状态下连接,上述接收室或上述输送室的外部设置有:在基板的输送路径上散发光的光辐射机构; 以及控制单元,其控制从上述光辐射机构辐射的光的量和强度。 在上述接收室或上述提供上述光辐射机构的输送室中的一个上设置允许从上述光辐射机构辐射的光通过的透射窗口。 从相对于基板相对移动光,照射从上述光辐射机构向基板辐射的光。
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公开(公告)号:WO2007080934A1
公开(公告)日:2007-07-19
申请号:PCT/JP2007/050271
申请日:2007-01-11
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 近藤 昌樹 , 林 輝幸 , 斉藤 美佐子
IPC: C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4408 , C23C16/54 , H01L21/02041 , H01L21/67196 , H01L21/67288 , Y10S414/139
Abstract: 排気機構24は、一定の排気量または排気速度で真空搬送室10内を真空排気する。定常時は、排気弁36が開状態に保持され、パージガス供給源30よりパージガス(N 2 ガス)がMFC34および開閉弁36を通って真空搬送室10内に供給される。主制御部38は、MFC34に対する流量設定値を通じて真空搬送室10内の圧力を所定の範囲内に制御すると同時に、真空計40を通じて真空搬送室10内の圧力をモニタし、圧力が所定の上限値を超えたときは異常と判断し、MFC34に対する流量設定値の変更、アラームの発生、装置運転の停止等の処置をとる。
Abstract translation: 排气机构(24)以恒定的排气量或排气速率排出真空输送室(10)的内部。 排气阀(36)保持常开,并且吹扫气体(N 2气体)通过MFC(34)从吹扫气体供应源(30)供应到真空输送室(10) )和开/关阀(36)。 主控制单元(38)通过设置在MFC(34)的流量值将真空输送室(10)中的压力控制在规定范围内,同时监视真空输送室 (40),并且当压力超过规定的上限时判断异常,以采取改变设定到MFC(34)的流量值的动作,发出警报并停止装置的操作。
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公开(公告)号:WO2006132156A1
公开(公告)日:2006-12-14
申请号:PCT/JP2006/311114
申请日:2006-06-02
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 斉藤 美佐子 , 林 輝幸
CPC classification number: G01N30/06 , G01N2030/062 , G01N2030/128
Abstract: 測定装置(2)は、処理システム内の対象空間から対象雰囲気を引き出してその中の有機物ガスの濃度を測定する。装置(2)は、対象空間に接続された導入口を有する捕集容器(20)を有する。捕集容器(20)に排気系(36)が接続される。捕集容器(20)内に、有機物ガスを吸着することにより捕集有機物ガスを得るための捕集部材(22)が収容される。ヒータ(24)を含む温度調整機構によって、捕集部材(22)の温度を調整することにより有機物ガスの吸着/脱離が制御される。捕集有機物ガスから取り出した脱離ガスを搬送するためのキャリアガスがキャリアガス供給系(32)から供給される。濃度測定部(56)により、脱離ガスを搬送するキャリアガス中の有機物ガスの濃度が測定される。
Abstract translation: 在测量装置(2)中,分析从处理系统中的目标空间取出的目标气体的有机气体浓度。 设备(2)具有收集器(20),该收集器具有连接到目标空间的方法。 收集器(20)连接到排气系统(36),并且用于制备捕获的有机气体的吸附构件(22)保持在收集器(20)中。 包括加热器(24)的温度控制机构通过吸附部件(22)的温度控制来控制有机气体的吸附/脱附。 从载气供给系统(32)供给载气,以便将从被捕获的有机气体中取出的解吸附气体转移,并且在浓度测定部(56)中求出转移脱附气体的载气中的有机气体浓度 )。
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公开(公告)号:WO2010114118A1
公开(公告)日:2010-10-07
申请号:PCT/JP2010/056064
申请日:2010-04-02
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/24 , H01L51/001 , H01L51/50
Abstract: 【課題】従来の小型基板のみならず、大型の基板に対しても各部での噴出量が均一化され、かつ均熱性の担保された材料ガスを噴出し、均一な薄膜を成膜させることができる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える成膜装置を提供する。 【解決手段】基板に薄膜を成膜する蒸着処理装置内に設けられ、基板に向けて材料ガスを噴出させる蒸着ヘッドであって、外側ケーシングと、前記外側ケーシング内に配置され、材料ガスが導入される内側ケーシングとを備え、前記内側ケーシングには、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部が形成され、前記外側ケーシングの外面または前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に材料ガスを加熱するヒータが配設される、蒸着ヘッドが提供される。
Abstract translation: 提供了一种沉积头,其不仅相对于常规的小基板,而且对于大的基板,每个部分具有均匀的喷射量,喷射可靠地具有均匀加热特性并形成均匀薄膜的材料气体。 还提供了一种设置有沉积头的成膜设备。 沉积头设置在沉积设备中,该沉积设备在衬底上形成薄膜并将材料气体射向衬底。 沉积头设置有外壳和设置在外壳中并具有引入其中的材料气体的内壳。 在内壳中形成有向原材料气体喷射的开口部,在外壳的外表面或外壳与内壳之间配置加热材料气体的加热器。
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公开(公告)号:WO2012026483A1
公开(公告)日:2012-03-01
申请号:PCT/JP2011/069027
申请日:2011-08-24
CPC classification number: H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。 【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。
Abstract translation: 公开了一种能够在基板上沉积薄膜的同时进行膜厚控制的气相沉积处理装置。 通过气相沉积在基板上形成薄膜的气相沉积处理装置设置有供给材料气体并且能够自由降低压力的材料供应单元,以及用于在上述薄膜上沉积薄膜的沉积单元 基质。 上述沉积单元具有用于测量喷射到上述基板上的原料气体的蒸汽浓度的检测装置,并且设置有控制单元,该控制单元基于上述检测装置中的测量结果来控制沉积条件。
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公开(公告)号:WO2012056641A1
公开(公告)日:2012-05-03
申请号:PCT/JP2011/005767
申请日:2011-10-14
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 田村 明威 , 藤原 馨 , 斉藤 美佐子
IPC: G01N33/569 , G01N33/533 , G01N37/00
CPC classification number: G01N33/56983 , G01N15/06 , G01N2015/0038 , G01N2015/0046 , G01N2015/0065 , G01N2015/0693 , G01N2333/09 , G01N2333/11
Abstract: 【課題】気体中のウィルスをリアルタイムに精度良く検出することができる技術を提供すること。 【解決手段】主配管8にダスト除去部1、霧化部4、レーザー光が照射される蛍光測定部5、吸引ポンプ7をこの順に設け、吸引ポンプ7により主配管8内に吸引流を形成する。一方、各々流路幅が微細な液体流路35とこれに隣接して並ぶ気体流路34とを備えた拡散部3を用い、蛍光抗体Fが含まれる水溶液及び大気を夫々液体流路35及び気体流路34を通過させる。これら流路34、35の出口側に形成され、気体と水溶液とを分離して送り出す分岐部から分岐された案内路40を通して水溶液を前記霧化部4に送り、ここで得られたミスト群が蛍光測定部5に送られる。ウィルスVが取り込まれたミストMの蛍光強度は、ウィルスVが取り込まれない蛍光強度よりも大きいため、蛍光強度を監視することでウィルスVが検出される。
Abstract translation: [问题]提供一种用于在空气中实时和高精度地检测病毒的技术。 [解决方案]主管(8)具有除尘部(1),雾化部(4),照射激光的荧光测定部(5)和抽吸泵(7) ,其中通过所述抽吸泵(7)在所述主管(8)中形成吸入流。 同时,使用具有液体流路(35)和相邻气体流路(34)的扩散部(3),每个流路具有窄流路宽度,以使含有荧光抗体(F)和 空气分别通过液体流路(35)和气体流路(34)。 水溶液通过形成在流路(34,35)的出口侧的引导路(40)供给到雾化部(4),并从用于供给气体的分支部分和水溶液 另外,在雾化部(4)中产生的雾进入荧光测定部(5)。 含有病毒(V)的雾(M)的荧光强度高于不含病毒(V)的雾的荧光强度。 因此,可以通过监测荧光强度来检测病毒(V)。
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公开(公告)号:WO2008018463A1
公开(公告)日:2008-02-14
申请号:PCT/JP2007/065451
申请日:2007-08-07
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 斉藤 美佐子 , 林 輝幸 , 藤原 馨
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , G01N23/225 , G01R31/302 , H01L21/027
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N21/956 , G01N2223/646 , G01R31/2831 , G01R31/305 , G01R31/307 , G01R31/308 , G01R31/311 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法において、基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う該領域を選択する。選択された領域に対して、電子線を用いた2次検査を行って欠陥を検出する。
Abstract translation: 提供了用于检查形成在基板上的形状的缺陷的缺陷检查方法。 通过光学方法按照分别在基板上的多个分割区域中形成的规定图案进行初次检查,从区域中选择要进行二次检查的区域。 通过使用电子束对所选择的区域进行二次检查,并且检测到缺陷。
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公开(公告)号:WO2007142058A1
公开(公告)日:2007-12-13
申请号:PCT/JP2007/060791
申请日:2007-05-28
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 土橋 和也 , 林 輝幸 , 継田 浩平 , 斉藤 美佐子
CPC classification number: G01N1/32 , G01N21/3103 , G01N33/38
Abstract: 開示される、石英部材の分析方法は、石英部材に凹状に形成されたエッチング液保持部にエッチング液を供給して該石英部材をエッチングする供給工程と、前記供給工程で用いた前記エッチング液を分析する分析工程と、を備える。
Abstract translation: 本发明公开了一种石英部件的分析方法,其特征在于,包括:向蚀刻液体保持部供给蚀刻液的供给工序,所述蚀刻液保持部形成为石英部件的凹部,用于蚀刻所述石英部件;以及分析步骤, 分析在供给步骤中使用的蚀刻液。
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公开(公告)号:WO2007094157A1
公开(公告)日:2007-08-23
申请号:PCT/JP2007/051178
申请日:2007-01-25
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 斉藤 美佐子 , 林 輝幸
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/611
Abstract: 基板上の第1の層上に該第1の層と組成の異なる第2の層が積層された積層構造上に、該第2の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に1次電子を照射する電子放出手段と、前記1次電子の照射により生成される2次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された2次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記1次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記1次電子が、前記第2の層が露出した部分で前記第1の層と前記第2の層の界面近傍以外の、前記第1の層または前記第2の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。
Abstract translation: 提供一种基板检查装置,用于检查图案形成的缺陷,使得在包括形成在基板上的第一层和与第一层不同的组成的第二层并形成在第一层上的层叠结构中, 第二层部分露出。 基板检查装置包括:用于将一次电子施加到基板上的电子发射装置; 用于检测通过施加一次电子产生的二次电子的电子检测装置; 用于处理由电子检测装置检测的二次电子数据的数据处理装置; 以及用于控制一次电子加速电压的电压控制装置。 电压控制装置控制加速电压,使得一次电子在除了第一层和第二层之间的边界附近的第二层露出部分处到达第一层或第二层内部。
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