公开(公告)号：WO2003021652A1

公开(公告)日：2003-03-13

申请号：PCT/JP2002/005748

申请日：2002-06-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  布瀬 暁志 ,  藤本 究 ,  山口 智代

Inventor： 布瀬 暁志 ,  藤本 究 ,  山口 智代

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: An object to be process has a structure having an SiC film (61) and an organic Si low−dielectric constant film (62) formed on the SiC film (61). The SiC film (61) is etched using a plasma produced from an etching gas and using the organic Si low−dielectric constant film (62) as a mask. The etching gas contains CH 2 F 2 or CH 3 F.

Abstract translation: 要处理的对象具有在SiC膜（61）上形成有SiC膜（61）和有机Si低介电常数膜（62）的结构。 使用由蚀刻气体产生的等离子体并使用有机Si低介电常数膜（62）作为掩模来蚀刻SiC膜（61）。 蚀刻气体包含CH 2 S 2 CH 3或CH 3 S 3 F。

公开(公告)号：WO2012026483A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/069027

申请日：2011-08-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  鎌田 美子 ,  石川 拓 ,  小野 裕司 ,  林 輝幸 ,  布瀬 暁志 ,  斉藤 美佐子 ,  鎌田 豊弘 ,  大槻 志門

Inventor： 鎌田　美子 ,  石川　拓 ,  小野　裕司 ,  林　輝幸 ,  布瀬　暁志 ,  斉藤　美佐子 ,  鎌田　豊弘 ,  大槻　志門

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  C23C14/545 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。 【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。

Abstract translation: 公开了一种能够在基板上沉积薄膜的同时进行膜厚控制的气相沉积处理装置。 通过气相沉积在基板上形成薄膜的气相沉积处理装置设置有供给材料气体并且能够自由降低压力的材料供应单元，以及用于在上述薄膜上沉积薄膜的沉积单元 基质。 上述沉积单元具有用于测量喷射到上述基板上的原料气体的蒸汽浓度的检测装置，并且设置有控制单元，该控制单元基于上述检测装置中的测量结果来控制沉积条件。

公开(公告)号：WO2004003988A1

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：PCT/JP2003/007960

申请日：2003-06-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  山口 智代 ,  布瀬 暁志 ,  藤本 究 ,  本田 昌伸 ,  永関 一也 ,  高 明輝 ,  榎本 隆 ,  伊藤 弘治 ,  北村 彰規

Inventor： 山口 智代 ,  布瀬 暁志 ,  藤本 究 ,  本田 昌伸 ,  永関 一也 ,  高 明輝 ,  榎本 隆 ,  伊藤 弘治 ,  北村 彰規

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

Abstract: プラズマ処理方法は、表面に有機層を有する被処理体プラズマ処理方法は、表面に有機層を有する被処理体を準備する工程と、前記被処理体に対して、Ｈ ２ のプラズマを照射して前記有機層の耐プラズマ性を向上させる工程とを有する。

Abstract translation: 一种等离子体处理方法，包括提供其表面上具有有机层的待处理元件的步骤，以及将H 2等离子体施加到被处理元件以提高有机层的等离子体电阻的步骤。

公开(公告)号：WO2003081656A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：PCT/JP2003/002750

申请日：2003-03-07

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  山口 智代 ,  藤本 究 ,  北村 彰規 ,  丁 載榮 ,  布瀬 暁志 ,  小尾 真知子 ,  和田 暢弘

Inventor： 山口 智代 ,  藤本 究 ,  北村 彰規 ,  丁 載榮 ,  布瀬 暁志 ,  小尾 真知子 ,  和田 暢弘

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165

Abstract: 　対フォトレジスト選択比が高い、および／または、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供する。　処理容器内に導入した、１，１，１，４，４，５，５，５−オクタフルオロ−２−ペンチンを含むエッチングガスをプラズマ化して、この処理容器内にある被処理体Ｗ中のＳｉＯ ２ 膜（６１）を、この膜上にあるフォトレジストマスク（６２）の開口パターンを通してプラズマエッチングする。

Abstract translation: 一种等离子体蚀刻方法，其包括将含有1,1,1,4,4,5,5,5-八氟-2- penyne的气体引入处理室，并形成气体的等离子体，从而使SiO 2涂层 待处理制品（W）中的薄膜（61）存在于处理室中以通过具有放置在涂膜上的光致抗蚀剂掩模（62）的开口的图案进行等离子体蚀刻。 该方法可以用于以高选择比的涂膜和光致抗蚀剂进行等离子体蚀刻和/或抑制蚀刻停止现象。

公开(公告)号：WO2011115157A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/JP2011/056170

申请日：2011-03-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  岩谷産業株式会社 ,  土橋 和也 ,  布瀬 暁志

Inventor： 土橋　和也 ,  布瀬　暁志

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 　レジスト以外の基板材料を酸化させること無く、溶剤を用いた従来のレジスト除去方法に比べてレジストを効果的に除去することができるレジスト除去装置を提供することにある。　レジストを成膜したウェハＷからレジストを除去するレジスト除去装置に、有機系溶剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段３を備える。

Abstract translation: 提供了抗蚀剂除去装置，其能够比使用溶剂的常规抗蚀剂除去方法更有效地除去抗蚀剂，而不会氧化抗蚀剂以外的基材。 设置有从其上形成有抗蚀剂膜的晶片去除抗蚀剂的抗蚀剂去除装置，其具有簇状喷射装置（3），其将具有簇的晶片（W）喷射，每个簇包括多个有机溶剂分子。

公开(公告)号：WO2011115155A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/JP2011/056167

申请日：2011-03-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  岩谷産業株式会社 ,  土橋 和也 ,  布瀬 暁志

Inventor： 土橋　和也 ,  布瀬　暁志

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 　マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。　被洗浄物が付着したウェハＷを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハＷ及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハＷの面に沿って相対移動させる手段を備える。

Abstract translation: 提供了一种基材清洁装置，其可以从超低温气溶胶辐射中除去基材中更多种类的污染物，同时避免湿洗技术固有的技术问题，例如微观粗糙度，水印，基材损失和破坏 设备结构。 一种用于清洁外来物质所附着的晶片（W）的基板清洗装置，具有：通过聚集多个清洗制剂分子形成的簇喷射晶片（W）的簇喷射装置，吸入装置 通过聚簇喷雾清洗剂分子除去外来物质; 以及用于使晶片（W）和簇喷射装置相对于彼此沿异物附着的晶片（W）的表面移动的装置。

公开(公告)号：WO2003058700A1

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/JP2002/013861

申请日：2002-12-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  藤本 究 ,  丁 載榮 ,  布瀬 暁志

Inventor： 藤本 究 ,  丁 載榮 ,  布瀬 暁志

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: A method of plasma treatment which comprises etching an insulating film present on a Si-containing film (a barrier layer), conducting a cleaning within a treatment chamber, and then ashing a resist, or comprises conducting the etching of an insulating film present on the barrier layer and the ashing of a resist in separate treatment chambers, wherein, in either case, the ashing of a resist is conducted with a plasma of a mixed gas consisting of a major amount of N2 and a small amount of H2. In the case that the etching of an insulating film present on the barrier layer is directly followed by the ashing of a resist on the insulating film, a material (a F radical or the like) being reactive with the barrier layer is generated from by-products having been formed in the etching step and attached to an article (a part) in the treatment chamber, which results in the etching of the barrier layer.

Abstract translation: 一种等离子体处理方法，包括蚀刻存在于含Si膜（阻挡层）上的绝缘膜，在处理室内进行清洁，然后灰化抗蚀剂，或包括对存在于 阻挡层和抗蚀剂在单独的处理室中的灰化，其中，在任一种情况下，用由大量N 2和少量H 2组成的混合气体的等离子体进行抗蚀剂的灰化。 在阻挡层上存在的绝缘膜的蚀刻直接在绝缘膜上形成抗蚀剂灰化的情况下，与阻挡层反应的材料（F基团等） 已经在蚀刻步骤中形成并附着到处理室中的制品（一部分）的产品，这导致了阻挡层的蚀刻。