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    成膜装置及び成膜方法
    1.
    发明申请
    成膜装置及び成膜方法 审中-公开
    胶片形成装置和胶片形成方法

    公开(公告)号：WO2013024769A1

    公开(公告)日：2013-02-21

    申请号：PCT/JP2012/070225

    申请日：2012-08-08

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  鎌田 美子 ,  林 輝幸 ,  小野 裕司

    Inventor： 鎌田　美子 ,  林　輝幸 ,  小野　裕司

    IPC: C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/546 ,  H01L51/001

    Abstract: 【課題】成膜処理において膜厚測定に用いられる水晶振動子の長寿命化を図ることにある。さらに、複数種の材料ガスを用いて成膜を行う際に、個別の材料ガスについての成膜量と混合ガスについての成膜量の関係性に基き膜厚制御を行うことが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 【解決手段】基板に薄膜を成膜させる成膜装置であって、キャリアガスおよび材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板の上面に材料ガスを噴射させるヘッドと、を備え、前記材料供給部と前記ヘッドは材料ガス供給路を介して連通し、前記材料ガス供給路には、材料ガス供給路から分岐する分岐流路が設けられ、前記分岐流路には材料ガスの成膜量を測定する測定装置が接続されている、成膜装置が提供される。

    Abstract translation: [问题]为了提高成膜工序中用于测量膜厚度的石英谐振器的使用寿命，并且提供一种成膜装置和成膜方法，由此可以根据膜厚度的关系来控制膜厚度 使用多种材料气体形成膜时，混合气体的成膜以及各种原料气体的成膜量。 [解决方案]提供一种用于在基板上形成薄膜的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置的特征在于包括：用于供给载气和原料气体的材料供给部，所述材料供给部能够减压; 以及用于将材料气体喷射到基板的顶表面上的头部; 材料供应部分和头部通过材料气体供应通道连通; 用于从材料气体供应通道分支的分支流动通道，其被提供到材料气体供应通道; 以及用于测量连接到分支流动通道的原料气体的成膜量的测量装置。

    表示デバイス製造装置、表示デバイスの製造方法、及び表示デバイス
    2.
    发明申请
    表示デバイス製造装置、表示デバイスの製造方法、及び表示デバイス 审中-公开
    显示装置制造装置，显示装置制造方法和显示装置

    公开(公告)号：WO2012077659A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：PCT/JP2011/078133

    申请日：2011-12-06

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  石川 拓 ,  林 輝幸

    Inventor： 石川　拓 ,  林　輝幸

    IPC: H05B33/10 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

    CPC classification number: H01L51/5253 ,  C23C16/54 ,  G09F13/22

    Abstract: 　表示デバイスの仮封止体を大気中に暴露して一時保管を行うことが可能であり、要求性能に応じた種々の膜構造を有する表示デバイスの最終製品を得ることができ、良好なスループットを有する表示デバイス製造装置、表示デバイスの製造方法、及び表示デバイスを提供する。　第１封止膜形成装置２７により、有機ＥＬ素子の表面に第１封止膜が形成され、仮封止体が得られる。該仮封止体は、ＬＬ２８により減圧空間から大気圧空間内にある仮封止体保管部２９へ取り出される。仮封止体は、第１封止膜により耐透湿性が確保された状態で仮封止体保管部２９に一時保管された後、タイミングを図って搬送装置により、各第２封止膜形成部６の各ＳｉＮ膜形成装置３０へ搬送され、各ＳｉＮ膜形成装置３０において仮封止体に第２封止膜が形成される。

    Abstract translation: 公开了一种显示装置制造装置，其能够暴露于大气并临时存储显示装置的临时密封体，能够根据性能要求获得具有各种膜结构的显示装置最终产品，并且具有良好的生产能力; 还公开了显示装置制造方法和显示装置。 通过第一密封膜形成装置（27）在有机EL元件的表面上形成第一密封膜以获得临时密封体。 所述临时密封体通过LL（28）从减压空间提取到临时密封的体积存储单元（29），在大气压的空间中。 在通过第一密封膜确保耐潮湿传播的状态下将临时密封体临时存储在临时密封体存放单元（29）中之后，所述临时密封体通过适当的时间由输送装置输送到SiN膜 第二密封膜形成单元（6）的形成装置（30），其中在临时密封体上形成第二密封膜。

    蒸着ヘッドおよび成膜装置
    3.
    发明申请
    蒸着ヘッドおよび成膜装置 审中-公开
    沉积头和成膜装置

    公开(公告)号：WO2010114118A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：PCT/JP2010/056064

    申请日：2010-04-02

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  小野 裕司 ,  江面 知彦 ,  林 輝幸 ,  田村 明威 ,  斉藤 美佐子

    Inventor： 小野　裕司 ,  江面　知彦 ,  林　輝幸 ,  田村　明威 ,  斉藤　美佐子

    IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H01L51/001 ,  H01L51/50

    Abstract: 【課題】従来の小型基板のみならず、大型の基板に対しても各部での噴出量が均一化され、かつ均熱性の担保された材料ガスを噴出し、均一な薄膜を成膜させることができる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える成膜装置を提供する。 【解決手段】基板に薄膜を成膜する蒸着処理装置内に設けられ、基板に向けて材料ガスを噴出させる蒸着ヘッドであって、外側ケーシングと、前記外側ケーシング内に配置され、材料ガスが導入される内側ケーシングとを備え、前記内側ケーシングには、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部が形成され、前記外側ケーシングの外面または前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に材料ガスを加熱するヒータが配設される、蒸着ヘッドが提供される。

    Abstract translation: 提供了一种沉积头，其不仅相对于常规的小基板，而且对于大的基板，每个部分具有均匀的喷射量，喷射可靠地具有均匀加热特性并形成均匀薄膜的材料气体。 还提供了一种设置有沉积头的成膜设备。 沉积头设置在沉积设备中，该沉积设备在衬底上形成薄膜并将材料气体射向衬底。 沉积头设置有外壳和设置在外壳中并具有引入其中的材料气体的内壳。 在内壳中形成有向原材料气体喷射的开口部，在外壳的外表面或外壳与内壳之间配置加热材料气体的加热器。

    ホール形成方法、ホール形成装置及びプログラム
    4.
    发明申请
    ホール形成方法、ホール形成装置及びプログラム 审中-公开
    孔形成方法，孔形成装置和程序

    公开(公告)号：WO2009122764A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/JP2009/050760

    申请日：2009-01-20

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  田村 明威 ,  林 輝幸 ,  藤原 馨

    Inventor： 田村 明威 ,  林 輝幸 ,  藤原 馨

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6831

    Abstract: ホール５１１、５１２の形成位置となる複数領域の内、一の領域を囲む他の領域のシリコン酸化膜５１上に円柱を形成する。具体的には、４以上の複数領域の内、平面視において一の領域を囲む他の領域のシリコン酸化膜５１上に円柱を形成する。次いで、シリコン酸化膜５１及び円柱上にシリコン窒化膜を形成する。シリコン窒化膜はエッチバックされる。このエッチバックにより円柱を囲むサイドウォール５４１が形成される。円柱はエッチングされる。最後に、サイドウォール５４１をマスクにシリコン酸化膜５１をエッチングする。これにより一の領域に対応するホール５１２及び他の領域に対応するホール５１１が形成される。

    Abstract translation: 在形成孔（511,512）的多个区域之中，在围绕一个区域的区域中的氧化硅膜（51）上形成列。 具体而言，在平面图中，在四个以上的区域中，在围绕一个区域的区域中的氧化硅膜（51）上形成列。 然后，在氧化硅膜（51）和列上形成氮化硅膜。 氮化硅膜被回蚀刻。 围绕柱的侧壁（541）通过这种回蚀而形成。 柱蚀刻。 最后，通过使用侧壁（541）作为掩模来蚀刻氧化硅膜（51）。 因此，形成与一个区域对应的孔（512）和与其他区域对应的孔（511）。

    低分子化合物の分子レジストの蒸着装置
    7.
    发明申请
    低分子化合物の分子レジストの蒸着装置 审中-公开
    用于沉积低分子量化合物组成的分子电阻的装置

    公开(公告)号：WO2012093683A1

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：PCT/JP2012/050079

    申请日：2012-01-05

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  石川 拓 ,  林 輝幸 ,  松岡 孝明 ,  小野 裕司

    Inventor： 石川　拓 ,  林　輝幸 ,  松岡　孝明 ,  小野　裕司

    IPC: H01L21/027 ,  B05C9/08 ,  B05C13/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67225

    Abstract: 　基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジストパターンを形成する基板処理システムは、基板上にレジスト膜を成膜する成膜装置と、前記成膜されたレジスト膜を露光する露光装置と、前記露光されたレジスト膜を現像する現像装置と、を備える。前記成膜装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、前記保持台に保持された基板に対して、前記分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッドと、前記処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有する。

    Abstract translation: 用于在基板上由低分子量化合物构成的分子抗蚀剂形成抗蚀剂图形的基板处理系统包括在基板上形成抗蚀剂膜的成膜装置，曝光所形成的抗蚀剂膜的曝光装置， 以及用于显影曝光的抗蚀剂膜的显影装置。 成膜装置具有：容纳基板的处理容器; 用于保持基板的保持平台，平台设置在处理容器中; 用于将蒸发的分子抗蚀剂供给到保持在保持平台上的基板的抗蚀剂膜沉积头; 以及用于将处理容器中的环境压力降低到真空气氛的减压机构。

    基板処理システム
    8.
    发明申请
    基板処理システム 审中-公开
    基板加工系统

    公开(公告)号：WO2011040538A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：PCT/JP2010/067109

    申请日：2010-09-30

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  戸部 康弘 ,  西村 優 ,  八木 靖司 ,  林 輝幸 ,  小野 裕司 ,  下茂 文夫

    Inventor： 戸部　康弘 ,  西村　優 ,  八木　靖司 ,  林　輝幸 ,  小野　裕司 ,  下茂　文夫

    IPC: H01L21/677 ,  B65G49/06 ,  C23C14/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L21/6776 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67253 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

    Abstract: 【課題】既存の搬送技術やモジュール設備を用いることが可能であり、さらに、各ＰＭ同士を接続するＴＭとは別に調圧を行うパススルーモジュールを設け、調圧帯域の異なるモジュールの接続を容易にすることで、スループットの悪化を回避し、十分な生産性を確保することが可能な基板処理システムを提供する。 【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、真空引き可能な複数のトランスファーモジュールによって直線状の搬送経路が構成され、前記各トランスファーモジュールの側面には、基板処理を行う処理室が接続され、前記各トランスファーモジュールの間には、調圧可能なパススルーモジュールが設けられる、基板処理システムが提供される。

    Abstract translation: 公开了一种基板处理系统，其中可以使用现有的转移技术和模块装置，此外，除了TM之外，还可以通过提供调节压力的直通模块来确保生产率的降低，并且可以确保足够的生产率 其将PMs彼此连接，并且促进具有不同压力调节范围的模块之间的连接。 在处理基板的基板处理系统中，使用多个转印模块来配置线性传送路径，从该传送模块可释放空气。 在每个传送模块的侧表面上连接有用于处理基板的处理室，并且在传送模块之间设置可调节压力的直通模块。

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