公开(公告)号：WO2010038345A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/JP2009/003753

申请日：2009-08-05

Applicant: パナソニック株式会社 ,  下石坂望 ,  中村嘉文 ,  長尾浩一

Inventor： 下石坂望 ,  中村嘉文 ,  長尾浩一

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　能動素子領域１ａを有する半導体素子１と、半導体素子の主面に形成された複数の素子電極２と、一つ以上の素子電極に接合部材８、９を介して接合された外部端子６、７と、半導体素子の主面に形成された一つ以上の第１放熱突起４と、半導体素子の主面と第１放熱突起とを被覆する絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層の第１放熱突起の表面に接する側とは反対側の面に接する放熱媒体１１とを備えた半導体装置。第１放熱突起の底面の領域に能動素子領域の少なくとも一部を含み、第１放熱突起は能動素子領域内では外部端子と接合しておらず、第１放熱突起の熱伝導率は絶縁樹脂層の熱伝導率よりも大きく、第１放熱突起の表面から放熱媒体までの絶縁樹脂層の厚みが、半導体素子の主面から放熱媒体までの絶縁樹脂層の厚みよりも薄い。実装された半導体素子の能動素子領域から放熱媒体への放熱スピードが向上する。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，包括具有有源分量区域（1a）的半导体元件（1），形成在半导体元件的主表面上的多个元件电极（2），外部端子（6,7） 通过接合构件（8,9），形成在半导体元件的主表面上的一个或多个第一散热突起（4），覆盖半导体元件的主表面的绝缘树脂层（10）和第一 散热突起和与绝缘树脂层的与第一散热突起的表面接触的一侧相反的一侧接触的散热介质（11）。 活性组分区域的至少一部分包含在第一散热突起的底表面下方的区域中，并且第一散热突起不与有源分量区域内的外部端子接合。 第一散热突起的热导率高于绝缘树脂层的导热率，从第一散热突起到散热介质的表面的绝缘树脂层的厚度比绝缘树脂的厚度薄 层形成半导体元件的主表面到散热介质。 因此，提高了从安装的半导体元件的有源元件区域到散热介质的散热速度。