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公开(公告)号：WO2017068997A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/JP2016/079894
申请日：2016-10-07
发明人： WAKIYAMA Satoru , SHIMIZU Kan , HAYASHI Toshihiko , NAKAMURA Takuya , JYO Naoki
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： An imaging device includes a first semiconductor element including at least one bump pad that has a concave shape. The at least one bump pad includes a first metal layer and a second metal layer on the first metal layer. The imaging device includes a second semiconductor element including at least one electrode. The imaging device includes a microbump electrically connecting the at least one bump pad to the at least one electrode. The microbump includes a diffused portion of the second metal layer, and first semiconductor element or the second semiconductor element includes a pixel unit.
摘要翻译： 成像装置包括第一半导体元件，该第一半导体元件包括至少一个具有凹形形状的凸块焊盘。 所述至少一个凸块焊盘包括在第一金属层上的第一金属层和第二金属层。 成像装置包括具有至少一个电极的第二半导体元件。 成像装置包括将至少一个凸块焊盘电连接到至少一个电极的微凸块。 微凸块包括第二金属层的扩散部分，第一半导体元件或第二半导体元件包括像素单元。
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2017050702A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/EP2016/072190
申请日：2016-09-19
CPC分类号： H01L24/37 , H01L24/05 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/04034 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37166 , H01L2224/37211 , H01L2224/37224 , H01L2224/37239 , H01L2224/37244 , H01L2224/37247 , H01L2224/37255 , H01L2224/37266 , H01L2224/3729 , H01L2224/37599 , H01L2224/376 , H01L2224/83447 , H01L2224/84447 , H01L2224/848 , H01L2224/8492 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/15798 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/05032 , H01L2924/09511 , H01L2924/0103
摘要： Verfahren zur elektrischen Isolierung eines elektrischen Leiters insbesondere eines Bauteilmoduls und Bauteilmodul Bei dem Verfahren zur elektrischen Isolierung eines Leiters insbesondere eines Bauteils (10) wird als elektrischer Leiter zumindest ein mit einem offenporigen Material (60) gebildeter Leiter herangezogen und innenliegende Bereiche des offenporigen Materials werden mittels Poren des offenporigen Materials zumindest bereichsweise mit elektrisch isolierendes Material (210) versehen. Das Bauteilmodul ist mit einem Bauteil mit zumindest einem elektrisch leitfähigen Kontakt gebildet, an welchem zumindest ein offenporiges Kontaktstück galvanisch angebunden ist. Das Bauteilmodul ist insbesondere mittels eines vorgenannten Verfahrens gebildet.
摘要翻译： 用于特别是在用于导体的电绝缘的方法的部件模块和部件模块的电导体的电绝缘的方法，特别是组分（10）被用作电导体，至少一个具有开孔的材料（60）形成的导体和所述的开孔材料的内部区域是通过以下方式 至少部分地与电绝缘材料（210）中提供的开孔材料的孔。 所述部件模块与具有至少一个导电接触，其中至少一个开孔的接触件电连接的构件形成。 组件模块由所述过程来形成，尤其如此。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2017039581A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/US2015/047420
申请日：2015-08-28
申请人： INTEL IP CORPORATION
发明人： PATTEN, Richard
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/8385 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/01029
摘要： A microelectronic package may include stacked microelectronic dice, wherein a first microelectronic die is attached to a microelectronic substrate, and a second microelectronic die is stacked over at least a portion of the first microelectronic die, wherein the microelectronic substrate includes a plurality of pillars extending therefrom, wherein the second microelectronic die includes a plurality of pillars extending therefrom in a mirror-image configuration to the plurality of microelectronic substrate pillars, and wherein the second microelectronic die pillars are attached to microelectronic substrate pillars with an attachment material.
摘要翻译： 微电子封装可以包括堆叠的微电子裸片，其中第一微电子管芯附接到微电子衬底，并且第二微电子管芯叠置在第一微电子管芯的至少一部分上，其中微电子衬底包括从其延伸的多个柱 ，其中所述第二微电子管芯包括多个柱，所述多个柱以镜像构型从所述多个微电子衬底柱延伸到所述多个微电子衬底柱中，并且其中所述第二微电子管柱与附接材料连接到微电子衬底柱。
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公开(公告)号：WO2017031222A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/US2016/047388
申请日：2016-08-17
CPC分类号： H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45193 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49096 , H01L2224/49175 , H01L2224/7815 , H01L2224/7825 , H01L2224/78301 , H01L2224/78601 , H01L2224/78611 , H01L2224/8502 , H01L2224/851 , H01L2224/85205 , H01L2224/8584 , H01L2224/8593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2224/05599 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2224/85399
摘要： Wire bonding operations can be facilitated through the use of metal nanoparticle compositions. Both ball bonding and wedge bonding processes can be enhanced in this respect. Wire bonding methods can include providing a wire payout at a first location from a rolled wire source via a dispensation head, contacting a first metal nanoparticle composition and a first portion of the wire payout with a bonding pad, and at least partially fusing metal nanoparticles in the first metal nanoparticle composition together to form an adhering interface between the bonding pad and the first portion of the wire payout. The adhering interface can have a nanoparticulate morphology. Wire bonding systems can include a rolled wire source, a dispensation head configured to provide a wire payout, and an applicator configured to place a metal nanoparticle composition upon at least a portion of the wire payout or upon a bonding pad.
摘要翻译： 通过使用金属纳米颗粒组合物可以促进引线接合操作。 在这方面，可以提高球接合和楔接合工艺。 引线接合方法可以包括通过分配头在轧制线源的第一位置提供电线支付，使第一金属纳米颗粒组合物和电线支付的第一部分与焊盘接触，并且至少部分地将金属纳米颗粒 所述第一金属纳米颗粒组合物一起在所述接合焊盘和所述电线支付的所述第一部分之间形成粘合界面。 粘附界面可以具有纳米颗粒形态。 引线接合系统可以包括卷绕的线源，被配置为提供引线支撑的分配头，以及施用器，其被配置为将金属纳米颗粒组合物放置在至少一部分导线支撑上或者在接合焊盘上。
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公开(公告)号：WO2016203659A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2015/070861
申请日：2015-07-22
申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、１７５℃～２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。 ワイヤ中にＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上を総計で０．０３～２質量％含有することによってＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を５０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．３μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。
摘要翻译： 本发明解决了如下问题：在HTS值为175〜100的情况下，将屈服应力比（= 0.2％屈服应力除以0.2％屈服应力）分别为1.1〜1.6， 在半导体器件用接合线中为200℃，所述接合线具有Cu合金芯和形成在Cu合金芯的表面上的Pd涂层。 通过在线中以0.03-2质量％的总比例包含Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种，可以提高HTS下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >相对于导线的长度方向的角度差不超过15度，至少为50％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.3μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。
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6.发明申请CONDUCTIVE PATHS THROUGH DIELECTRIC WITH A HIGH ASPECT RATIO FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开具有高半导体器件的高电平比例的电介质电导率
公开(公告)号：WO2016186788A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/US2016/028305
申请日：2016-04-19
申请人： INTEL IP CORPORATION
发明人： MEYER, Thorsten , WOLTER, Andreas
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/96 , H01L25/18 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0233 , H01L2224/02333 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/96 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要： Conductive paths through a dielectric are described that have a high aspect ratio for semiconductor devices. In one example, a plurality of conductive connection pads are formed on a semiconductor substrate to connect to circuitry formed on the substrate. A post is formed on each of a subset of the connection pads, the posts being formed of a conductive material. A dielectric layer is formed over the semiconductor substrate including over the connection pads and the posts. Holes are formed by removing the dielectric layer directly over the posts. The formed holes are filled with a conductive material and a connector is formed over each filled hole.
摘要翻译： 描述了通过电介质的导电路径，其具有用于半导体器件的高纵横比。 在一个示例中，多个导电连接焊盘形成在半导体衬底上以连接到形成在衬底上的电路。 在连接垫的子集中的每一个上形成柱，柱由导电材料形成。 在包括连接焊盘和柱上的半导体衬底之上形成介电层。 通过直接在柱上移除电介质层形成孔。 形成的孔填充有导电材料，并且在每个填充的孔上形成连接器。
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公开(公告)号：WO2016154315A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/US2016/023785
申请日：2016-03-23
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： RINCK, Helmut , BAUER, Gernot , ZRILE, Robert , SCHACHTSCHNEIDER, Kai-Alexander , OTTE, Michael , WIESNER, Harald
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/5226 , H01L23/53204 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/03622 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05558 , H01L2224/05657 , H01L2224/11005 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/94 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/01078 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01051
摘要： In described examples, a method (100) of forming bond pads includes providing (101) a substrate including at least one integrated circuit (IC) device formed thereon having an oxidizable uppermost metal interconnect layer, which provides a plurality of bond pads that are coupled to circuit nodes on the IC device. The plurality of bond pads includes a metal bond pad area. A cobalt-comprising connection layer is deposited (102) directly on the metal bond pad area. The cobalt-comprising connection layer is patterned (103) to provide a cobalt bond pad surface for the plurality of bond pads, and a solder material is formed (104) on the cobalt bond pad surface.
摘要翻译： 在所述实施例中，形成接合焊盘的方法（100）包括提供（101）包括形成在其上的至少一个集成电路（IC）器件的衬底，其具有可氧化的最上面的金属互连层，其提供多个接合焊盘， 到IC器件上的电路节点。 多个接合焊盘包括金属焊盘区域。 包含钴的连接层直接在金属焊盘区域上沉积（102）。 对包含钴的连接层进行图案化（103）以提供用于多个接合焊盘的钴键合焊盘表面，并且在钴焊盘表面上形成焊料材料（104）。
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公开(公告)号：WO2016125419A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/JP2015/086248
申请日：2015-12-25
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/48 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3716 , H01L2224/37639 , H01L2224/37655 , H01L2224/40137 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01032 , H01L2924/014 , H01L2924/013 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/2076
摘要： 半導体装置（１００）において、放熱板（２）は封止樹脂（８）内に封止されている。絶縁シート（３）は封止樹脂（８）内において放熱板（２）の一方の主表面に接するように装着されている。リードフレーム（４）は封止樹脂（８）内から封止樹脂（８）外に達するように延び、絶縁シート（３）の放熱板（２）と反対側の主表面上に接するように載置されている。半導体素子（１）は封止樹脂（８）内においてリードフレーム（４）の絶縁シート（３）と反対側の主表面の少なくとも一部に接合されている。絶縁シート（３）のリードフレーム（４）に接する側の表面が、絶縁シート（３）の平面視における最外端の少なくとも一部を含む端部領域においてリードフレーム（４）から離れるよう傾斜を有して低くなっている。封止樹脂（８）は、端部領域においてリードフレーム（４）と絶縁シート（３）との間に入り込んでいる。リードフレーム（４）は、少なくとも封止樹脂（８）内において平坦である。
摘要翻译： 在半导体装置（100）中，散热片（2）被密封在密封树脂（8）中。 绝缘片（3）被安装成与密封树脂（8）中的散热器（2）的一个主表面接触。 引线框架（4）从密封树脂（8）内延伸以到达密封树脂（8）的外部，并且在与散热器相对的一侧安装在绝缘片（3）的主表面上 （2）。 半导体元件（1）在密封树脂（8）内与绝缘片（3）相对的一侧与引线框架（4）的主表面的至少一部分接合。 与引线框架（4）接触的一侧的绝缘片（3）的表面在包括至少一部分的端部区域中与引线框架（4）隔开而倾斜并且较低 的绝缘片（3）的最外端。 密封树脂（8）在端部区域中已经进入引线框架（4）和绝缘片（3）之间。 引线框架（4）至少在密封树脂（8）内是平坦的。
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公开(公告)号：WO2016035251A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/003860
申请日：2015-07-31
申请人： 株式会社デンソー
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/09 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/0612 , H01L2224/0912 , H01L2224/16104 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01046 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554 , H01L2224/29099
摘要： 複数個の電極パッドは、半導体素子（１０）の一面（１１）においてコーナー（１３）側に位置する第１のパッド（２１）と、第１のパッド（２１）よりもコーナー（１３）から遠くに位置する第２のパッド（２２）とを含む。第１のパッド（２１）に接続されている第１のワイヤ（５１）は、第２のパッド（２２）に接続されている第２のワイヤ（５２）よりもヤング率が小さいものとされている。第１のワイヤ（５１）と第１のパッド（２１）により形成される金属間化合物層（７１）の厚さ（ｄ１）は、第２のワイヤ（５２）と第２のパッド（２２）により形成される金属間化合物層（７２）の厚さ（ｄ２）よりも厚い。
摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其中多个电极焊盘包括：位于半导体元件（10）的一个表面（11）的拐角（13）侧的第一焊盘（21）; 以及比第一垫片（21）更靠近角部（13）定位的第二垫片（22）。 连接到第一焊盘（21）的第一布线（51）的杨氏模量小于连接到第二焊盘（22）的第二布线（52）的杨氏模量。 通过每个第一布线（51）和第一布局（21）形成的金属间化合物层（71）的厚度（d1）大于金属间化合物的厚度（d2） 通过每个第二导线（52）和每个第二垫（22）形成的层（72）。
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公开(公告)号：WO2016019335A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/US2015/043283
申请日：2015-07-31
申请人： KYOCERA AMERICA, INC. , LIEU, Dinah
发明人： LIEU, Dinah
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/11003 , H01L2224/1134 , H01L2224/1182 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1356 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/16258 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81201 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/8149 , H01L2224/81815 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Forming the chip attachment system includes obtaining a chip having a bump core on a die. The method also includes obtaining an intermediate structure having a transfer pad on a substrate. The method further includes transferring the transfer pad from the substrate to the bump core such that the transfer pad becomes a solder layer on the bump core.
摘要翻译： 形成芯片附接系统包括在芯片上获得具有凸块的芯片。 该方法还包括获得在基底上具有转移垫的中间结构。 该方法还包括将转移垫从衬底转移到凸起芯，使得转移垫变为凸点芯上的焊料层。
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