Abstract:
Verfahren zur elektrischen Isolierung eines elektrischen Leiters insbesondere eines Bauteilmoduls und Bauteilmodul Bei dem Verfahren zur elektrischen Isolierung eines Leiters insbesondere eines Bauteils (10) wird als elektrischer Leiter zumindest ein mit einem offenporigen Material (60) gebildeter Leiter herangezogen und innenliegende Bereiche des offenporigen Materials werden mittels Poren des offenporigen Materials zumindest bereichsweise mit elektrisch isolierendes Material (210) versehen. Das Bauteilmodul ist mit einem Bauteil mit zumindest einem elektrisch leitfähigen Kontakt gebildet, an welchem zumindest ein offenporiges Kontaktstück galvanisch angebunden ist. Das Bauteilmodul ist insbesondere mittels eines vorgenannten Verfahrens gebildet.
Abstract:
Integrated circuit package comprising an integrated circuit, external connection elements (3) connected to the integrated circuit, a package material (2) enclosing the integrated circuit, and a mechanical element (5, 6, 7) allowing a mechanical connection of a further element to the integrated circuit package (1). The mechanical element (5, 6, 7) is e.g. an attachment element (5); a mechanical element (5), optionally with a thread; a bushing element; a bearing element (7); an electrical connector (6).
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), - Aufbringen einer Vielzahl von Anordnungen (20) von elektrisch leitenden ersten Kontaktelementen (21) und zweiten Kontaktelementen (22) auf dem Hilfsträger (1), - Aufbringen jeweils eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf dem zweiten Kontaktelement (22) jeder Anordnung (20), - elektrisch leitendes Verbinden der optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit den ersten Kontaktelementen (21) der jeweiligen Anordnung (20), - Umhüllen der ersten Kontaktelemente (21) und der zweiten Kontaktelemente (22) mit einem Umhüllungsmaterial (4), und - Vereinzeln in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, wobei - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (21b) eines jeden ersten Kontaktelements (21) abschließt, und - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (22b) eines jeden zweiten Kontaktelements (22) abschließt.
Abstract:
A lead frame and a semiconductor package including the lead frame. The lead frame includes, a base material, a first metal layer formed on at least a surface of the base material by using copper, and a second metal layer formed of an alloy including at least silver (Ag), and palladium (Pd) on a surface of the first metal layer.
Abstract:
A carrier 100 for an electronic package 300 is provided, wherein the carrier 100 comprises a surface area having defined at least one recess, and wherein the recess 100 is adapted to accommodate at least one contacting point of a bondwire 307. In particular, the surface area may be substantially planar or flat.
Abstract:
A semiconductor device includes a semiconductor substrate and low dielectric film wiring line laminated structure portions which are provided in regions on the semiconductor substrate except a peripheral portion thereof. Each of the laminated structure portions has a laminated structure of low dielectric films and a plurality of wiring lines. An insulating film is provided on an upper side of the laminated structure portion. Connection pad portions for electrodes are arranged on the insulating film to be electrically connected to the connection pad portions of uppermost wiring lines of the laminated structure portion. Bump electrodes for external connection are provided on the connection pad portions for the electrodes. A sealing film is provided on the insulating film and on the peripheral portion of the semiconductor substrate. Side surfaces of the laminated structure portions are covered with the insulating film or the sealing film.