公开(公告)号：WO2008119329A3

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008000518

申请日：2008-03-28

Applicant: SOLMIC GMBH ,  FATH PETER ,  MOZER ALBRECHT ,  STADLER MAXIMILIAN

Inventor： FATH PETER ,  MOZER ALBRECHT ,  STADLER MAXIMILIAN

IPC: C22B9/05 ,  C01B33/00

CPC classification number: C22B9/05 ,  C01B33/037 ,  C22B61/00

Abstract: The invention relates to a method for purifying melts. Said method comprises the step of adding (10) at least one reactant which reacts with at least one impurity, said impurity being contained in the melt (36), in such a manner that the impurity is converted to a gaseous compound (44). The invention also relates to devices for carrying out said method.

Abstract translation: 与供给其与在熔体中的至少一个（36）反应（10）的至少一个反应伙伴的工艺步骤现有污染，使得它变成气态化合物（44）被转移，以及用于执行该方法的设备用于熔融纯化的方法。

公开(公告)号：WO2008119330A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000519

申请日：2008-03-28

Applicant: SOLMIC GMBH ,  FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian ,  SCHICKLE, Karl

Inventor： FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian ,  SCHICKLE, Karl

IPC: C01B33/037 ,  C22B9/02

CPC classification number: C22B9/14 ,  C01B33/037 ,  C22B9/02 ,  Y02P10/234

Abstract: Verfahren zur Schmelzenreinigung, bei welchem aufeinanderfolgende Reinigungszonen (3; 23; 43a, 43b) durch die Schmelze (1) hindurchgeführt werden, wobei in den Reinigungszonen (3; 23; 43a; 43b) Temperaturen ausgebildet werden, die entweder alle über der Temperatur in der übrigen Schmelze (1) liegen oder alle unterhalb der Temperatur in der übrigen Schmelze (1) liegen, sowie Schmelzereinigungsvorrichtungen.

Abstract translation: （; 23; 43A; 43B 3）形成温度，这要么全部具有在温度（; 23 43A，43B 3）通过熔融物（1），其中，在所述清洗区通过一种用于熔融纯化，其中连续清洗区处理 熔融的其余部分（1）中的所有或低于在熔体中（1）位于其余部分的温度，以及熔体净化装置。

公开(公告)号：WO2008022671A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/EP2007/006172

申请日：2007-07-12

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Bei einem Verfahren zum Texturieren von Siliziumwafern zur Herstellung von Solarzellen wird bei dem Schritt des Einbringens eines Siliziumwafers eine Textuherlösung verwendet, die eine Temperatur von wenigstens 80 Grad Celsius aufweist und die aus Wasser versetzt mit 1 Gewichtprozent bis 6 Gewichtprozent KOH oder 2 Gewichtprozent bis 8 Gewichtprozent NaOH sowie mit einem Tensid oder einem Tensidgemisch mit weniger als 0,01 Gewichtsprozent besteht. Dadurch ist ein sehr wirtschaftliches Texturieren durchführbar.

Abstract translation: 在用于硅晶片的太阳能电池的生产的织构化的方法中，Textuherlösung在放置硅晶片，它具有至少80度的摄氏温度，并用1重量％至6重量％的KOH或2重量％混合，以8重量％的水的工序中使用 是NaOH，和用表面活性剂或具有小于0.01重量％的表面活性剂混合物。 这是一个非常经济的纹理是可行的。

公开(公告)号：WO1995005008A2

公开(公告)日：1995-02-16

申请号：PCT/DE1994000860

申请日：1994-07-25

Applicant: WILLEKE, Gerhard ,  FATH, Peter

IPC: H01L31/236

CPC classification number: F28F3/048 ,  B01D29/012 ,  B01D29/031 ,  B01D29/07 ,  B01D39/12 ,  B01D46/12 ,  B01J19/0093 ,  B01J35/04 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00828 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00873 ,  F28F13/02 ,  F28F2260/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00

Abstract: A process is disclosed for producing a flat component with a grid of through holes (7). In order to produce the through holes (7), a plurality of preferably equidistant, parallel, in particular V-shaped pits (8) are shaped on the front and rear side of a disk-shaped base body. The pits (8) on both sides enclose an angle with respect to each other and are deep enough for the through holes (7) to be automatically produced at the intersections of the pits (8). Also disclosed is the use of the disclosed component as a high-power solar cell, as well as a process for producing such a solar cell, its use as a microfilter, as a microsieve, as a catalyst base body, as an accelerating grid for loaded particles and for influencing the aerodynamic properties of bodies exposed to a circular flow.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有通孔（7）的栅格制造平板部件的方法。 通孔（7）形成在该上盘形基体的正面和背面分别具有多个，优选等距，平行的，特别是V形槽（8）被并入，其中彼此，所述沟槽（8）两侧的相对 包括角和各自如此之深，通孔（7）自动出现在沟槽（8）的交叉点。 本发明还涉及使用本发明的装置用作一个高性能的太阳能电池和用于制造这样的太阳能电池，其作为一个微过滤器的使用，如微筛作为催化剂基体的方法，作为加速栅极带电粒子和用于影响身体的在流动的流动行为。

公开(公告)号：WO2010010462A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/IB2009/006367

申请日：2009-07-27

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

Inventor： KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas.

Abstract translation: 一种用于制造具有两级掺杂（9,11）的太阳能电池的方法，包括在太阳能电池基板（1）的一部分上重掺杂（50）至少临时保护掺杂区域（8）的方法步骤， ，其中应该从蚀刻介质形成两级掺杂（9,11）的重掺杂区域（9）并且蚀刻回（54; 62,64,72,74）未受保护的掺杂区域（17） 太阳能电池基板（1）借助于蚀刻介质，其中为了保护掺杂区域，在被保护的区域（8）上形成牺牲结构（7），它们位于Ieast 在未受保护的掺杂区域的回蚀（54; 62,64,72,74）期间部分蚀刻（54; 62,64; 72,74）。

公开(公告)号：WO2008089733A3

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：PCT/DE2008000099

申请日：2008-01-22

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH PETER ,  MELNYK IHOR

Inventor： FATH PETER ,  MELNYK IHOR

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K3/1463 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111

Abstract: The invention relates to an etching solution (1) comprising water, nitric acid, hydrofluoric acid, and sulphuric acid, containing 15 to 40% by weight of nitric acid, 10 to 41% by weight of sulphuric acid and 0.8 to 2.0% by weight of hydrofluoric acid. The invention also relates to the use of said etching solution for etching silicon and to etching methods for silicon wafers.

Abstract translation: 蚀刻溶液（1），其包括水，硝酸，氢氟酸，和硫酸，其中含有按重量计的硝酸15％至40％，10-41重量％的硫酸和0.8〜2.0重量％的氢氟酸，使用该蚀刻液的硅和蚀刻方法的硅晶片蚀刻 ，

公开(公告)号：WO2008119329A2

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000518

申请日：2008-03-28

Applicant: SOLMIC GMBH ,  FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian

Inventor： FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian

CPC classification number: C22B9/05 ,  C01B33/037 ,  C22B61/00

Abstract: Verfahren zur Schmelzereinigung mit Verfahrensschritten des Zuführens (10) mindestens eines Reaktionspartners, welcher mit wenigstens einer in der Schmelze (36) vorhandenen Verunreinigung derart reagiert, dass diese in eine gasförmige Verbindung (44) überführt wird, und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens.

Abstract translation: 与供给其与在熔体中的至少一个（36）反应（10）的至少一个反应伙伴的工艺步骤现有污染，使得它变成气态化合物（44）被转移，以及用于执行该方法的设备用于熔融纯化的方法。

公开(公告)号：WO2008089733A2

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/DE2008/000099

申请日：2008-01-22

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

CPC classification number: C09K3/1463 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111

Abstract: Ätzlösung (1), aufweisend Wasser, Salpetersäure, Flusssäure, und Schwefelsäure, welche 15 bis 40 Gewichtsprozent Salpetersäure, 10 bis 41 Gewichtsprozent Schwefelsäure und 0,8 bis 2,0 Gewichtsprozent Flusssäure enthält, Verwendung dieser Ätzlösung zum Ätzen von Silizium sowie Ätzverfahren für Siliziumscheiben.

Abstract translation: 蚀刻溶液（1），其包括水，硝酸，氢氟酸，和硫酸，其中含有按重量计的硝酸15％至40％，10-41重量％的硫酸和0.8〜2.0重量％的氢氟酸，使用该蚀刻液的硅和蚀刻方法的硅晶片蚀刻 ，

公开(公告)号：WO2007082760A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：PCT/EP2007/000463

申请日：2007-01-19

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

IPC: H01L21/225 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (74; 140), insbesondere einer Solarzelle (140), mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen (70, 72; 120, 122) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (2; 14) einer die Diffusion eines Dotierstoffes hemmenden und für einen Dotierstoff durchdringbaren Schicht (58; 108) auf zumindest einem Teil (56; 106) der Oberfläche eines Halbleiterbauelementmaterials (50; 100), des wenigstens teilweises Entfernens (4;16a, 16b) der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) in wenigstens einem Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b), des Ausbildens (6; 18) einer Dotierstoff quelle (66; 116) auf der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) und in dem wenigstens einen Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b) und der Diffusion (8; 20) des Dotierstoffes aus der Dotierstoff quelle (66; 116) in das Halbleiterbauelementmaterial (50; 100) sowie dessen Ver wendung in integrierten Schaltungen, elektronischen Schaltungen, Solarzellenmodulen und zur Herstellung von Solarzellen (140) mit selektiver Emitterstruktur.

Abstract translation: ，特别是具有不同的重掺杂区域的太阳能电池（140）;包括在形成步骤（2; 14）;用于制造半导体设备（140 74）的方法（70，72 120，122）的抑制掺杂物的扩散和 上的至少一部分;半导体器件材料的表面;掺杂剂可穿透层（108 58）（56 106）（50; 100），所述至少部分地去除（4; 16A，16B）的抑制扩散层（58; 108）的至少一个 的抑制扩散层（58; 108）上;一个掺杂剂源（116 66）的高掺杂区（62; 112A，112B），形成（18 6）和在所述至少一个高掺杂区（62; 112A，112B）和扩散（ 8; 116）（在半导体装置材料50; 100）和在集成电路，电子电路及其应用版本，太阳能电池模块和Herstellun 20）从所述掺杂剂源（66中的掺杂剂的 克太阳能电池（140）具有选择性发射极结构的。

公开(公告)号：WO2002025743A3

公开(公告)日：2002-03-28

申请号：PCT/DE2001/003535

申请日：2001-09-13

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  FATH, Peter ,  KRESS, André

Inventor： FATH, Peter ,  KRESS, André

IPC: H01L31/18

Abstract: Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, daß sowohl bei konventionellen als auch bei neuartigen kristallinen Siliziumsolarzellen das Problem der elektrischen Isolation p- und n-leitender Dotierschichten auftritt. Mit der vorliegenden Erfindung wird dies in einfacher und eleganter Art und Weise gelöst. Auf zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates wird lokal eine Maskierpaste aufgebracht und anschließend getrocknet. In Folge wird eine Dotierstoffdiffusion durchgeführt wobei der Leitungstyp des Dotierstoffes entgegengesetzt zu der der Grunddotierung des kristallinen Siliziumsubstrates ist. In einem der folgenden Herstellungsschritte der Solarzelle werden die elektrischen Kontakte so aufgebracht, daß zumindest ein Teil der Kontakte durch die Maskierpaste elektrisch von Rest der Kontakte getrennt wird. Die Maskierpaste erlaubt also eine elektrische Trennung der beiden externen Kontakte einer Solarzelle indem die Eindiffusion eines Dotierstoffes durch ebendiese Paste verhindert wird. Andere Verfahren, die zum Ergebnis führen sind wesentlich komplizierter und teurer in der Anwendung.