公开(公告)号：WO2012061159A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：PCT/US2011/057754

申请日：2011-10-25

Applicant: MEDTRONIC ARDIAN LUXEMBOURG S.A.R.L. ,  KU, Vincent ,  BEETEL, Robert J. ,  WU, Andrew ,  ZARINS, Denise ,  ABOYTES, Maria G.

Inventor： KU, Vincent ,  BEETEL, Robert J. ,  WU, Andrew ,  ZARINS, Denise ,  ABOYTES, Maria G.

IPC: A61B18/14

CPC classification number: A61B18/1492 ,  A61B2018/00023 ,  A61B2018/00404 ,  A61B2018/00434 ,  A61B2018/00505 ,  A61B2018/00511 ,  A61B2018/00577 ,  A61B2018/1435 ,  A61B2018/1467 ,  A61M25/0041 ,  A61M25/0074 ,  A61M25/0133 ,  A61M25/0138 ,  A61M25/0147

Abstract: Catheter apparatuses, systems, and methods for achieving renal neuromodulation by intravascular access are disclosed herein. One aspect of the present technology, for example, is directed to a treatment device having a multi-electrode array configured to be delivered to a renal blood vessel. The array is selectively transformable between a delivery or low-profile state (e.g., a generally straight shape) and a deployed state (e.g., a radially expanded, generally helical shape). The multi-electrode array is sized and shaped so that the electrodes or energy delivery elements contact an interior wall of the renal blood vessel when the array is in the deployed (e.g., helical) state. The electrodes or energy delivery elements are configured for direct and/or indirect application of thermal and/or electrical energy to heat or otherwise electrically modulate neural fibers that contribute to renal function or of vascular structures that feed or perfuse the neural fibers.

Abstract translation: 本文公开了用于通过血管内通路实现肾神经调节的导管设备，系统和方法。 例如，本技术的一个方面针对一种具有被配置为递送到肾血管的多电极阵列的治疗装置。 阵列在递送状态或低轮廓状态（例如，大致笔直的形状）与展开状态（例如径向扩张的，大致螺旋形状）之间可选择性地变形。 多电极阵列的尺寸和形状被设计成使得当阵列处于展开（例如，螺旋状态）时电极或能量输送元件接触肾血管的内壁。 电极或能量输送元件被配置用于直接和/或间接地施加热能和/或电能以加热或以其他方式电调节有助于肾功能的神经纤维或供给或灌注神经纤维的血管结构。

公开(公告)号：WO2004106584B1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：PCT/US2004016715

申请日：2004-05-27

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  CHEN LING ,  KU VINCENT W ,  CHUNG HUA ,  MARCADAL CHRISTOPHE ,  GANGULI SESHADRI ,  LIN JENNY ,  WU DIEN-YEH ,  OUYE ALAN ,  CHANG MEI

Inventor： CHEN LING ,  KU VINCENT W ,  CHUNG HUA ,  MARCADAL CHRISTOPHE ,  GANGULI SESHADRI ,  LIN JENNY ,  WU DIEN-YEH ,  OUYE ALAN ,  CHANG MEI

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4487 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system (320). The apparatus includes a canister (300) having a sidewall (402), a top portion and a bottom portion. The canister (300) defines an interior volume (438) having an upper region (418) and a lower region (434). In one embodiment, the apparatus further includes a heater (430) partially surrounding the canister (300). The heater (430) creates a temperature gradient between the upper region (418) and the lower region (434). Also claimed is a method of forming a barrier layer from purified pentakis (dimethylamido) tantalum, for example a tantalum nitride barrier layer by atomic layer deposition.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于生成用于半导体处理系统（320）的前体的装置。 该装置包括具有侧壁（402），顶部和底部的罐（300）。 罐（300）限定具有上部区域（418）和下部区域（434）的内部容积（438）。 在一个实施例中，该装置还包括部分围绕罐（300）的加热器（430）。 加热器（430）在上部区域（418）和下部区域（434）之间产生温度梯度。 还要求保护的是通过原子层沉积从纯化的五（二甲基氨基）钽，例如氮化钽阻挡层形成阻挡层的方法。

公开(公告)号：WO2004106584A1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：PCT/US2004/016715

申请日：2004-05-27

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  CHEN, Ling ,  KU, Vincent W. ,  CHUNG, Hua ,  MARCADAL, Christophe ,  GANGULI, Seshadri ,  LIN, Jenny ,  WU, Dien-Yeh ,  OUYE, Alan ,  CHANG, Mei

Inventor： CHEN, Ling ,  KU, Vincent W. ,  CHUNG, Hua ,  MARCADAL, Christophe ,  GANGULI, Seshadri ,  LIN, Jenny ,  WU, Dien-Yeh ,  OUYE, Alan ,  CHANG, Mei

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4487 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system (320). The apparatus includes a canister (300) having a sidewall (402), a top portion and a bottom portion. The canister (300) defines an interior volume (438) having an upper region (418) and a lower region (434). In one embodiment, the apparatus further includes a heater (430) partially surrounding the canister (300). The heater (430) creates a temperature gradient between the upper region (418) and the lower region (434). Also claimed is a method of forming a barrier layer from purified pentakis (dimethylamido) tantalum, for example a tantalum nitride barrier layer by atomic layer deposition.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于产生用于半导体处理系统（320）的前体的装置。 该装置包括具有侧壁（402），顶部和底部的罐（300）。 罐（300）限定具有上部区域（418）和下部区域（434）的内部容积（438）。 在一个实施例中，该装置还包括部分地包围罐（300）的加热器（430）。 加热器（430）在上部区域（418）和下部区域（434）之间产生温度梯度。 还要求保护的是通过原子层沉积从纯化的五（二甲基氨基）钽，例如氮化钽阻挡层形成阻挡层的方法。