Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlsystem mit einer Teilchenquelle (1), einem Spiegelkorrektor (9, 21-25) und einem Objektiv (16). Der Spiegelkorrektor weist dabei einen elektrostatischen Spiegel (9) und im Strahlengang zwischen der Teilchenquelle (1) und dem elektrostatischen Spiegel (9) sowie zwischen dem elektrostatischen Spiegel (9) und dem Objektiv (16) einen magnetischen Strahlumlenker (21, 22, 23, 24, 25) auf. Der magnetische Strahlumlenker (21, 22, 23, 24, 25) ist für jeweils einfachen Durchgang dispersionsfrei. Weiterhin weist der magnetische Strahlumlenker (21, 22, 23, 24, 25) Quadrupole und/oder Quadrupolkomponenten auf, die derart bestimmt sind, dass auf dem gesamten Bahnverlauf zwischen dem erstmaligen Austritt aus dem magnetischen Strahlumlenker (21, 22, 23, 24, 25) und dem Objektiv (16) maximal zwei zur Beugungsebene (28) des Objektivs (16) konjugierte Ebenen auftreten.
Abstract:
Beschrieben wird eine Linsenanordnung mit lateral verschiebbarer optischer Achse für Teilchenstrahlen, insbesondere zur Übertragung von Bereichen einer Gegenstandsebene in die Bildebene mittels Elektronen, mit einer kombinierten Linse, welche aus einer Zylinderlinse und einer Quadrupollinse besteht, die mit elektrischen und/oder magnetischen Feldern beaufschlagbare Schlitzblenden aufweisen. Dabei ist die optische Achse der Quadrupollinse parallel zur Achse der Zylinderlinse orientiert und definiert die optische Achse der Abbildung, wobei deren Position relativ zur Achse der Zylinderlinse änderbar ist. Die Fokussierung der Quadrupollinse erfolgt in dem Schnitt, in welchem die Zylinderlinse ohne Fokussierung ist, und die Defokussierung der Quadrupollinse in dem Schnitt, in welchem die Zylinderlinse fokussiert. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass die kombinierte Linse als Immersionslinse zur Abbildung von Sekundärelektronen betreibbar ist, das Immersionsfeld in axialer Richtung aus wenigstens zwei aneinunder angrenzenden Feldern besteht, wobei das erste Feld zwischen Objekt und erster Schlitzblende, das zweite Feld zwischen erster und zweiter Schlitzblende anliegt und beide Felder unabhängig von einander einstellbar sind. Gemäss Vorschlag wird weiterhin die Potentialdifferenz zwischen Objekt und erster Blende relativ zu der zwischen erster und zweiter Blende vergleichsweise klein und der Potentialverlauf zwischen Objekt und erster Blende näherungsweise linear vorgegeben. Die fokussierende/defokussierende Wirkung der kombinierten Linse ergibt sich aus der Überlagerung des Immersionsfeldes, des Zylinderlinsenfeldes und des Quadrupolfeldes. Eine Variante der vorgeschlagenen Linsenanordnung ist zum Einsatz als Kathodenlinse für eine Photokathode mit mehreren gleichartigen, nebeneinanderliegenden Emissionsbereichen vorgesehen.
Abstract:
The invention relates to a particle beam system comprising a particle source (1), a mirror corrector (9, 21-25), and an objective (16). The mirror corrector comprises an electrostatic mirror (9) and a magnetic beam deflector (21, 22, 23, 24, 25), which is arranged between the particle source (1) and the electrostatic mirror (9) as well as between the electrostatic mirror (9) and the objective (16). The magnetic beam deflector (21, 22, 23, 24, 25) is free from dispersions for each single pass. The magnetic beam deflector (21, 22, 23, 24, 25) also comprises quadrupoles and/or quadrupole components, which are provided in such a manner that a maximum of two planes, which are conjugated with regard to the diffraction plane (28) of the objective (16), occur on the entire path length between the first outlet from the magnetic beam deflector (21, 22, 23, 24, 25) and from the objective (16).
Abstract:
Anordnung und Verfahren zur Herstellung von Photomasken, wobei mindestens ein Defektkontrollsystem über eine stehende Datenverbindung oder on-line Verbindung mit mindestens einem Reparatursystem verbunden ist und das Defektkontrollsystem und das Reparatursystem datenmässig so miteinander verbunden sind, dass die auf einem der Systeme gewonnen Ergebnisse auf dem anderen System zur Weiterverarbeitung unmittelbar zur Verfügung stehen, wobei das Defektkontrollsystem über eine Datenverbindung zum Datenaustausch ermittelte Defekte an das Reparatursystem weiterleitet, das den Reparaturvorgang anhand der ermittelten Defekte steuert, wobei vorteilhaft ein AIMS System als Defektkontrollsystem und ein Elektronenstrahlsystem zur Defektkontrolle vorgesehen ist.
Abstract:
Disclosed is a lens array having a laterally movable axis for corpuscular rays, particularly for transmission from areas of an object surface onto the focal plane by means of electrons. The inventive array consists of a combined lens comprising a cylinder lens and a quadrupole lens provided with slit diaphragms which can be impinged upon by electric and/or magnetic fields. The optical axis of the quadrupole lens is oriented parallel to the axis of the cylinder lens and defines the optical axis of the projection, the position of which can be altered in relation to the axis of the cylinder lens. The quadrupole lens is in focus in the sector in which the cylinder lens is not in focus and is out of focus in the section in which the cylinder lens is in focus. The inventive combined lens can be operated as an immersion lens for projecting secondary electrons. The immersion field consists of at least two adjacent axially aligned fields. The first field lies between the object and the first slit diaphragm, and the second field lies between the first slit diaphragm and the second slit diaphragm. Both fields can be focused independently from each other. The potential difference between the object and the first diaphragm is comparatively small in relation to the potential difference between the first diaphragm and the second diaphragm, and the potential course between the object and the first diaphragm has to be approximately linear. The combined lens is brought into/out of focus by superposing the immersion field, the cylinder lens field, and the quadrupole field. Alternatively, the lens array can be used as a cathode lens for a photocathode with several homogenous adjacent emission areas.
Abstract:
Es wird ein Materialbearbeitungssystem zur Bearbeitung eines Werkstücks (3) vorgeschlagen. Die Materialbearbeitung erfolgt durch Zuführung eines Reaktionsgases und energetischer Strahlung zur Anregung des Reaktionsgases in eine Umgebung eines zu bearbeitenden Ortes des Werkstücks. Die Strahlung wird vorzugsweise durch ein Elektronenmikroskop (15) bereitgestellt. Eine Objektivlinse (27) des Elektronenmikroskops liegt vorzugsweise zwischen einem Detektor (41) desselben und dem Werkstück. Eine Gaszuführungsanordnung (53) des Materialbearbeitungssystems weist ein mit Abstand von dem Bearbeitungsort angeordnetes Ventil auf, wobei ein Gasvolumen zwischen dem Ventil und einem Austrittsort (59) des Reaktionsgases klein ist. Die Gaszuführungsanordnung weist ferner ein temperiertes, insbesondere gekühltes Reservoir zur Aufnahme eines Ausgangsmaterials für das Reaktionsgas auf.
Abstract:
The invention relates to a material treating system for treating a work piece (3). The material treatment is carried out by supplying a reaction gas and energetic radiation to induce the reaction gas in a surrounding of a section of the work piece to be treated. The radiation is preferably provided by an electron microscope (15). An objective lens (27) of the electron microscope is disposed preferably between a detector (41) thereof and the work piece. A gas supply system (53) of the material treating system is provided with a valve disposed at a distance from the treating section, and a gas volume between the valve and a location of emergence (59) of the reaction gas is small. The gas supply system is further provided with a temperature-adjusted, especially cooled reservoir for receiving a starting material for the reaction gas.