UTILIZATION OF VOLTAGE CONTRAST DURING SAMPLE PREPARATION FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    1.
    发明申请
    UTILIZATION OF VOLTAGE CONTRAST DURING SAMPLE PREPARATION FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY 审中-公开
    传输电子显微镜样品制备过程中电压对比的利用

    公开(公告)号:WO2018052575A1

    公开(公告)日:2018-03-22

    申请号:PCT/US2017/045791

    申请日:2017-08-07

    发明人: SENOWITZ, Corey

    IPC分类号: H01J37/26 H01J37/317

    摘要: Transmission electron microscopes (TEMs) are being utilized more often in failure analysis labs as processing nodes decrease and alternative device structures, such as three dimensional, multi-gate transistors, e.g., FinFETs (Fin Field Effect Transistors), are utilized in IC designs. However, these types of structures may confuse typical TEM sample (or "lamella") preparation as the resulting lamella may contain multiple potentially faulty structures, making it difficult to identify the actual faulty structure. Passive voltage contrast may be used in a dual beam focused ion beam (FIB) microscope system including a scanning electron microscope (SEM) column by systematically identifying non-faulty structures and milling them from the lamella until the faulty structure is identified.

    摘要翻译: 透射电子显微镜(TEM)更常用于故障分析实验室,因为处理节点减少并且可替代的器件结构(例如三维多栅极晶体管,例如FinFET(鳍式场效应晶体管 )被用于IC设计。 然而,这些类型的结构可能会混淆典型的TEM样品(或“薄片”)制备,因为所产生的薄片可能含有多个可能有缺陷的结构,使得难以识别实际的有缺陷的结构。 被动电压对比可用于包括扫描电子显微镜(SEM)柱的双光束聚焦离子束(FIB)显微镜系统中,通过系统地识别无故障结构并将其从薄片中铣削直至识别出缺陷结构。

    METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING, USING, AND INDICATING ION BEAM WORKING PROPERTIES
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING, USING, AND INDICATING ION BEAM WORKING PROPERTIES 审中-公开
    用于确定,使用和指示离子束工作特性的方法和装置

    公开(公告)号:WO2016061175A1

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:PCT/US2015/055444

    申请日:2015-10-14

    IPC分类号: H01J37/20

    摘要: Disclosed are methods and apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties in an apparatus that performs ion beam sample preparation and coating. A beam probe may be used to measure one or more working properties of a portion of the ion beam, generating a probe signal in a known relationship to the one or more working properties. The beam probe may generate a signal in a known relationship to one or more properties of a sputtered coating reaching a sample. The ion beam apparatus may modulate one or more characteristics of the ion beam in response to receiving a signal from the beam probe. The probe signal may be used in the ion beam apparatus to indicate one or more ion beam working properties. Related apparatus and methods also permit the measurement of the known relationship between probe signal and ion beam working properties.

    摘要翻译: 公开了用于在执行离子束样品制备和涂覆的装置中确定,使用和指示离子束工作特性的方法和装置。 光束探测器可用于测量离子束的一部分的一个或多个工作特性,产生与一个或多个工作特性已知关系的探测信号。 光束探测器可以产生与已达到样品的溅射涂层的一个或多个特性有已知关系的信号。 离子束装置可以响应于接收来自束探针的信号而调制离子束的一个或多个特性。 探针信号可以用于离子束装置中以指示一个或多个离子束工作特性。 相关的装置和方法还允许测量探测信号和离子束工作特性之间的已知关系。

    APPARATUS FOR PREPARING A SAMPLE FOR MICROSCOPY
    3.
    发明申请
    APPARATUS FOR PREPARING A SAMPLE FOR MICROSCOPY 审中-公开
    用于制备显微镜样品的装置

    公开(公告)号:WO2016014332A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:PCT/US2015/040728

    申请日:2015-07-16

    IPC分类号: G01N1/32 H01J37/26

    摘要: An apparatus for preparing a sample for microscopy is provided that has a milling device that removes material from a sample in order to thin the sample. An electron beam that is directed onto the sample is present along with a detector that detects when the electron beam has reached a preselected threshold transmitted through or immediately adjacent the sample. Once the detector detects the electron beam has reached this threshold, the milling device terminates the milling process.

    摘要翻译: 提供了一种用于制备用于显微镜的样品的装置,其具有从样品中除去材料的研磨装置以使样品变薄。 引导到样品上的电子束与检测器一起存在,该检测器检测电子束何时达到通过或紧邻样品透射的预选阈值。 一旦检测器检测到电子束达到该阈值,铣削装置终止铣削过程。

    試料加工方法、及び荷電粒子線装置
    4.
    发明申请
    試料加工方法、及び荷電粒子線装置 审中-公开
    样品处理方法和充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:WO2015170397A1

    公开(公告)日:2015-11-12

    申请号:PCT/JP2014/062456

    申请日:2014-05-09

    发明人: 設楽 宗史

    摘要:  本発明は、FIB-SEMを用いたTEMまたはSTEM試料の作製において、試料裏面側の加工終点を得るための技術を提供する。 FIBによる試料裏面の加工状態を、SEMにより入射した電子(107)が試料裏面から放出される際に形成する菊池パターン(116)を用いて検知する。この菊池パターンは、試料裏面の結晶構造、入射電子線に対する結晶方位、結晶格子定数に由来しており、本パターンを検出することにより、FIB加工時の裏面側の加工終点を得ることができる。

    摘要翻译: 本发明在使用FIB-SEM的TEM或STEM样品的制备中提供了用于获得样品背面侧的处理终点的技术。 使用由已经通过SEM注入的电子(107)从样品背面发射形成的菊池图案(116)来检测由FIB处理的样品背面的状态。 由于这种菊池图案是由样品背面的晶体结构引起的,相对于注入的电子束的晶体取向和晶格常数,检测图案允许在该表面侧得到背面侧的处理终点 FIB处理。

    HIGH ASPECT RATIO STRUCTURE ANALYSIS
    5.
    发明申请
    HIGH ASPECT RATIO STRUCTURE ANALYSIS 审中-公开
    高纵横比结构分析

    公开(公告)号:WO2014055876A4

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:PCT/US2013063479

    申请日:2013-10-04

    申请人: FEI CO

    IPC分类号: G01N23/00 B23K15/08 G01B15/00

    摘要: Curtaining artifacts on high aspect ratio features are reduced by reducing the distance between a protective layer and feature of interest. For example, the ion beam can mill at an angle to the work piece surface to create a sloped surface. A protective layer is deposited onto the sloped surface, and the ion beam mills through the protective layer to expose the feature of interest for analysis. The sloped mill positions the protective layer close to the feature of interest to reduce curtaining.

    摘要翻译: 通过减小保护层和感兴趣的特征之间的距离来减少高纵横比特征上的窗帘伪影。 例如,离子束可以与工件表面成一定角度进行铣削以形成倾斜表面。 将保护层沉积在倾斜表面上,并且离子束通过保护层研磨以暴露用于分析的感兴趣特征。 倾斜的磨机将保护层定位在靠近感兴趣的特征处以减少幕布。

    複合荷電粒子線装置
    6.
    发明申请
    複合荷電粒子線装置 审中-公开
    复合充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:WO2014030433A1

    公开(公告)日:2014-02-27

    申请号:PCT/JP2013/067965

    申请日:2013-07-01

    摘要:  本発明は、2つ以上の荷電粒子線カラムを備える複合荷電粒子線装置において、試料をクロスポイントの位置に置いたまま高分解能観察を可能にする複合荷電粒子線装置を提供する。 本発明は、以下の構成を有する。複数の荷電粒子線カラム(101a,102a)を備える複合荷電粒子線装置において、前記複数のカラムの光軸が交わる交点(171)の位置に試料(103)を配置し、前記荷電粒子線カラム(102a)における対物レンズの先端を形成する部品(408a,408b)が着脱可能であり、前記部品(408a,408b)を交換することにより、前記交点(171)と前記荷電粒子線カラム先端との距離を変更できることを特徴とする複合荷電粒子線装置。

    摘要翻译: 本发明提供了一种复合带电粒子束装置,其具有两个或更多个带电粒子束柱,并且当将样品放置在交叉点的位置时能够进行高分辨率观察。 本发明具有以下结构。 复合带电粒子束装置设置有多个带电粒子束柱(101a,102a),其特征在于,样品(103)设置在相交点(171)的位置, 多个列相交,形成带电粒子束列(102a)的物镜的前端的部件(408a,408b)可拆卸,通过更换部件(408a,408b),交点之间的距离 (171),并且可以改变电荷粒子束柱的前端。

    ION BEAM SAMPLE PREPARATION APPARATUS AND METHODS
    7.
    发明申请
    ION BEAM SAMPLE PREPARATION APPARATUS AND METHODS 审中-公开
    离子束样品制备装置和方法

    公开(公告)号:WO2014018694A2

    公开(公告)日:2014-01-30

    申请号:PCT/US2013/051917

    申请日:2013-07-25

    申请人: GATAN, INC.

    IPC分类号: H01L21/66 G01N1/32 H01J37/305

    摘要: Disclosed are embodiments of an ion beam sample preparation apparatus and methods. The methods operate on a sample disposed in a vacuum chamber and include steps of directing an intensity-controllable, tilt-angle controllable ion beam at a sample holder coupled to a rotation stage. The methods further include illuminating and capturing one or more images of the sample, extracting useful features from one or more images and thereafter adjusting the sample preparation steps. Further methods are disclosed for capturing sequences of images, programmatically rotating images, and displaying sequences of images with similar rotation angles. Further methods include extracting useful features from sequences of images that may change with respect to time as ion beam preparation continues

    摘要翻译: 公开了离子束样品制备装置和方法的实施例。 该方法对设置在真空室中的样品进行操作,并且包括在耦合到旋转台的样品架处引导强度可控的,倾斜角度可控的离子束的步骤。 该方法进一步包括照射和捕获样品的一个或多个图像,从一个或多个图像中提取有用的特征,然后调整样品制备步骤。 公开了用于捕获图像序列,以编程方式旋转图像以及显示具有相似旋转角度的图像序列的其他方法。 其他方法包括从离子束准备继续的时候可能随时间变化的图像序列中提取有用的特征

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PRÄPARATION EINER PROBE FÜR DIE MIKROSTRUKTURDIAGNOSTIK
    8.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PRÄPARATION EINER PROBE FÜR DIE MIKROSTRUKTURDIAGNOSTIK 审中-公开
    方法和设备准备样品显微诊断

    公开(公告)号:WO2013026707A1

    公开(公告)日:2013-02-28

    申请号:PCT/EP2012/065569

    申请日:2012-08-09

    发明人: HÖCHE, Thomas

    IPC分类号: G01N1/32 H01J37/305

    摘要: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Präparation einer Probe für die Mikrostrukturdiagnostik, insbesondere für die Transmissionselektronenmikroskopie TEM, die Rasterelektronenmikroskopie oder die Röntgenabsorptionsspektroskopie, wobei eine flache, bevorzugt planparallele Scheibe entlang ihrer beiden gegenüberliegenden Oberflächen jeweils so mit einem energiereichen Strahl bestrahlt wird, dass durch strahlbedingten Materialabtrag in diese beiden Oberflächen jeweils eine bevorzugt parallel zu einer zentralen Scheibenebene verlaufende Vertiefung eingebracht wird, wobei diese beiden Vertiefungen beidseits dieser/einer zentralen Scheibenebene verlaufend so eingebracht werden, dass sich ihre Längsachsen, bei Projektion dieser Längsachsen auf diese zentrale Scheibenebene gesehen, unter einem vordefinierten Winkel α > 0°, bevorzugt α ≥ 10°, bevorzugt α ≥ 20°, bevorzugt α ≥ 30°, schneiden und dass im Schnittbereich der beiden Vertiefungen zwischen diesen ein bevorzugt bereits elektronenstrahltransparenter Materialabschnitt vordefinierter minimaler Dicke, gesehen senkrecht zu dieser zentralen Scheibenebene, als Probe verbleibt. Die Erfindung bezieht sich auch auf eine entsprechend ausgebildete Vorrichtung.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于制备样品用于组织诊断,特别是用于透射电子显微镜TEM,扫描电子显微镜或X射线吸收光谱,其中,沿其两个相对的表面的平坦,优选平面平行盘是在每种情况下用能量束照射时 在每种情况下优选延伸平行于中心盘平面凹部是通过在这两个表面束诱导去除材料的引入,这两个凹口被引入上的两侧/中心盘平面运行,以便看到它们的纵向轴线,其中,所述纵向轴线上的窗格的该中心平面上的投影, 以预定的角度α> 0°,最好是= 10°,优选地为= 20°,优选地为= 30°,切割,以及它们中,之间的两个凹部的平均面积 优选已经电子透明材料部分中预定义的最小厚度,可见保持垂直于所述盘的这个中心平面,作为样品。 本发明还涉及一种相应地配置的设备。

    METHOD AND SYSTEM FOR MODIFYING PATTERNED PHOTORESIST USING MULTI-STEP ION IMPLANTION
    9.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR MODIFYING PATTERNED PHOTORESIST USING MULTI-STEP ION IMPLANTION 审中-公开
    使用多步离子植入法修改图案的光电子体的方法和系统

    公开(公告)号:WO2012044677A1

    公开(公告)日:2012-04-05

    申请号:PCT/US2011/053666

    申请日:2011-09-28

    IPC分类号: H01J37/317 H01J37/305

    摘要: A method of reducing the roughness profile in a plurality of patterned resist features. Each patterned resist feature includes a first sidewall and a second sidewall opposite the first sidewall, wherein each patterned resist feature comprises a mid frequency line width roughness and a low frequency linewidth roughness. A plurality of ion exposure cycles are performed, wherein each ion exposure cycle comprises providing ions at a tilt angle of about five degrees or larger upon the first sidewall, and providing ions at a tilt angle of about five degrees or larger upon the second sidewall. Upon the performing of the plurality of ion exposure cycles the mid frequency and low frequency linewidth roughness are reduced.

    摘要翻译: 一种降低多个图案化抗蚀剂特征中的粗糙度轮廓的方法。 每个图案化的抗蚀剂特征包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁,其中每个图案化的抗蚀剂特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。 执行多个离子曝光循环,其中每个离子曝光循环包括在第一侧壁上以约5度或更大的倾斜角度提供离子,并且在第二侧壁上以约5度或更大的倾斜角提供离子。 在执行多个离子曝光循环时,中频和低频线宽粗糙度减小。

    MÉTODO PARA FABRICAR NANOAGUJAS EN ZONAS DE INTERÉS LOCALIZADAS EN EL INTERIOR DE MUESTRAS SÓLIDAS A ESCALA NANOMÉTRICA.
    10.
    发明申请
    MÉTODO PARA FABRICAR NANOAGUJAS EN ZONAS DE INTERÉS LOCALIZADAS EN EL INTERIOR DE MUESTRAS SÓLIDAS A ESCALA NANOMÉTRICA. 审中-公开
    在纳米尺度上制造位于固体样品中的固体样品中的纳米线的方法

    公开(公告)号:WO2012007602A1

    公开(公告)日:2012-01-19

    申请号:PCT/ES2011/000180

    申请日:2011-05-30

    IPC分类号: H01J37/28 G01N1/28

    摘要: Método para fabricar nanoagujas en zonas de interés localizadas en el interior de muestras sólidas a escala nanométrica. Este método está relacionado con la preparación de muestras por FIB para su análisis por cualquier técnica donde es interesante estudiar una característica independiente del material, o donde es útil tener una característica concreta en una nanoaguja como para la fabricación de nanoagujas SNOM. La preparación de muestra por FIB permite seleccionar características concretas de la superficie de la muestra a escala nanométrica, pero cuando la zona de interés está localizada en el interior de una muestra sólida, es necesario una nueva metodología. Este método se presenta en la presente invención, donde se combina fabricación por FIB incluyendo la introducción de marcas en una capa de material electrón- transparente y la observación por TEM, de modo que se consigue seleccionar una característica concreta del interior del material y fabricar una nanoaguja con ella.

    摘要翻译: 本发明涉及一种纳米针在纳米级固体样品内的感兴趣区域制造方法。 该方法涉及用于使用任何技术分析所述样品的FIB样品制备,其中有趣的是研究材料的独立特征,或其在纳米针中具有特定特征(例如用于生产SNOM)是有用的 纳米针。 FIB样品制备使得能够以纳米级选择样品表面的特定特征,但当感兴趣区域位于固体样品内时,需要一种新的方法。 所述方法在本发明中公开,通过FIB的生产(包括在电子透明材料层上添加标记)与TEM观察结合,以选择材料内部的特定特征并使用 说的功能。