公开(公告)号：WO2012143262A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/EP2012/056457

申请日：2012-04-10

Applicant: AIXTRON SE ,  BRIEN, Daniel ,  DAUELSBERG, Martin ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  FAHLE, Dirk

Inventor： BRIEN, Daniel ,  DAUELSBERG, Martin ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  FAHLE, Dirk

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/48 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/46 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Abschneiden von II-VI- oder III-V-Halbleiterschichten auf einem oder mehreren Substraten (4), mit einem Reaktorgehäuse, eine Prozesskammer (1), einen in der Prozesskammer (1) angeordneten Suszeptor (2) zur Aufnahme des Substrates (4), eine Heizeinrichtung (18) zum Aufheizen des Suszeptors (2), ein Gaseinlassorgan (7), um Prozessgase in Form eines Hydrids, einer metallorganischen Komponente und einer Halogenkomponente in die Prozesskammer (1) einzuleiten. Es werden Prozessgase verwendet, die bei Abwesenheit der Halogenkomponente in einer Adduktbildungszone (M) in der die Gastemperatur (TB) in einem Adduktbildungstemperaturbereich liegt, Addukte bilden. Die Halogenkomponente wird derart getrennt von der V- oder VI-Komponente, insbesondere vom Hydrid in die Prozesskammer (1) eingeleitet, dass die V- oder VI-Komponente, insbesondere das Hydrid erst in der Adduktbildungszone in Kontakt zur Halogenkomponente tritt.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于在一个或多个基板（4）的II-VI或III-V族半导体层的切削方法，其具有反应器壳体，一个处理室（1），一个在所述处理腔室（1）设置的基座（ 发起2），用于接收所述基板（4），加热装置（18）用于加热所述基座（2），气体入口元件（7）的工艺气体（在氢化物，有机金属组分，并在处理腔室1）卤素组分的形式。 使用工艺气体（M），其中的气体温度（TB）是在以Adduktbildungstemperaturbereich形式加合物在Adduktbildungszone不存在卤素组分。 该卤素组分以这样从V或VI组分分开，特别是从氢化物到处理室（1）的方式引入，即V或VI组分，特别是发生氢化物仅在Adduktbildungszone与卤素组分接触。

公开(公告)号：WO2010145969A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/EP2010/057976

申请日：2010-06-08

Applicant: AIXTRON AG ,  STRAUCH, Gerhard Karl

Inventor： STRAUCH, Gerhard Karl

IPC: C30B25/08 ,  C30B35/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/52 ,  C30B35/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Einrichtung einer Prozesskammer in einer Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf einem von einem Suszeptor in der Prozesskammer gehaltenen Substrats in dem durch ein Gaseinlassorgan, insbesondere mit Hilfe eines Trägergases Prozessgase in die Prozesskammer eingeleitet werden, die sich darin insbesondere an heißen Oberflächen in Zerlegungsprodukte zerlegen, welche Zerlegungsprodukte die Schicht bildende Komponenten aufweisen. Um die Vorrichtung derart zu ertüchtigen, dass dicke Mehrschichtstrukturen in unmittelbar aufeinanderfolgenden Prozessschritten reproduzieren abgeschieden werden können, wird vorgeschlagen, dass für die zur Prozesskammer weisenden Oberfläche zumindest der dem Suszeptor gegenüberliegenden Wandung der Prozesskammer ein Werkstoff gewählt wird, dessen optischer Reflektionsgrad, optischer Absorptionsgrad und optischer Transmissionsgrad jeweils dem der sich beim Schichtwachstum abscheidenden Beschichtung entspricht.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于建立一个处理腔室的方法在一种用于在对通过在处理室基底的基座保持在其中引入通过气体入口元件的处理室，特别是与载气的工艺气体的帮助下沉积层在其中热，尤其是 拆卸，其中分解产物具有层形成成分的分解产物的表面。 增韧使得厚的多层结构可以被沉积再现立即连续工艺步骤的设备，所以建议的材料被选择用于面向处理室的表面，至少所述处理腔室的基座壁相对的一侧，它的光反射率，光吸收系数和光侧 每个相应的层状生长沉积涂层的透射率。

公开(公告)号：WO2006069921A2

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：PCT/EP2005/056841

申请日：2005-12-16

Applicant: AIXTRON AG ,  REINHOLD, Markus ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  GERSDORFF, Markus ,  MEYER, Nico ,  KITTEL, Florenz

Inventor： REINHOLD, Markus ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  GERSDORFF, Markus ,  MEYER, Nico ,  KITTEL, Florenz

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/228 ,  B01B1/005 ,  C23C14/243 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Verdampfen von kondensierten (festen oder flüssigen) Stoffen, insbesondere von Ausgangsstoffen für die OLED-Herstellung, mit einem Behälter (1) zur Aufnahme des Stoffes aufweisend eine Gaszuleitung (2) und eine Gasableitung (3). Es ist eine Vielzahl von im Behälter (1) angeordneter, einzeln überströmbarer Einsätze (4) zur Aufnahme des Stoffes vorgesehen, wobei die Einsätze (4) in Vertikalrichtung übereinander angeordnet sind und in Horizontalrichtung überströmbare Vertiefungen (5) zur Aufnahme des Stoffes aufweisen. Es können mehrere Gasströme parallel zueinander über mehrere Einsätze strömen.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于蒸发冷凝（固体或液体）的材料，在用于OLED制造特定的原料，包括容器（1），用于接收所述物质包括气体进料管线（2）和一个气体出口的装置（3）。 有一个（1）单独地布置überströmbarer提供用于接收所述物质，其中所述插入件（4）一个在另一个之上，并在水平方向上überströmbare凹部（5），用于接收所述物质布置在垂直方向上插入件（4）多个容器。 它可以在多个插入物彼此流动多个气体流平行。

公开(公告)号：WO2011098420A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：PCT/EP2011/051739

申请日：2011-02-07

Applicant: AIXTRON SE ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  GERSDORFF, Markus ,  DAUELSBERG, Martin

Inventor： STRAUCH, Gerhard Karl ,  GERSDORFF, Markus ,  DAUELSBERG, Martin

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45565 ,  C30B25/14

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem in einer Prozesskammer (1) von einem Suszeptor (2) getragenen Substrat (3) mit Hilfe eines durch ein Gaseinlassorgan (4) in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgases, wobei das Gaseinlassorgan (4) ein von einer Zuleitung (5) gespeistes Gasverteilvolumen (6) aufweist, das eine Gaseintrittsseite und eine dieser gegenüberliegende Gasaustrittseite aufweist, wobei in die Gaseintrittsseite eine Zuleitung (5) für ein in das Gasverteilvolumen (6) bringbares Gas unter Ausbildung einer Mündungsöffnung (51) mündet, wobei im Gas verteil volumen (6) in Stromrichtung des Gases hinter der Mündung (51) eine Prallplattenanordnung mit mehreren Prallplatten (9, 10, 11, 12) angeordnet ist, die als Gesamtheit die Projektion der Mündungsöffnung (51) auf die eine Vielzahl von in die Prozesskammer mündende Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisende Gasaustrittseite überlappen. Um die laterale Schichthomogenität der abgeschiedenen Schichten zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass mindestens drei Prallplatten (9, 10, 11, 12) jeweils einen anderen Teilbereich der Projektion der Mündungsöffnung (51) überlappen, wobei die mindestens drei Prallplatten (9, 10, 11, 12) jeweils sowohl in Einströmrichtung des Gases als auch quer dazu versetzt zueinander liegen und einen freien Umfangsrand aufweisen, der vom Gas überströmt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于在（1）中的基座（2）通过在衬底（3）中进行的处理腔室通过的手段通过气体入口元件（4）在处理室中的引入工艺气体，其中所述气体入口构件沉积的层（4） （6），其具有气体入口侧和相对该气体出口侧，其中，供应管线向气体入口侧（5）打开可以被带到到气体分配容积具有进料管线（5）供给的气体分配容积（6）的气体，以形成一个嘴（51） 其中，在所述气体的口（51）配有多个挡板的挡板布置的后面流动方向的气体分配容积（6）（9，10，11，12）布置，作为一个整体，所述开口的所述突出部（51），其上有多个 其中重叠通向具有气体出口侧的处理室的气体出口（7）。 为了提高所沉积的层的横向层的均匀性，故建议至少三个挡板（9，10，11，12）的每个重叠所述出口开口（51），投影的不同部分，其中所述至少三个挡板（9，10，11 ，12）的每一个也横向于移动，无论在气体的比彼此流入方向和具有自由周边边缘，这大约是从气体流动。

公开(公告)号：WO2007076195A2

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/US2006/061201

申请日：2006-11-22

Applicant: GENUS, INC. ,  DALTON, Jeremie, J. ,  DAULESBERG, Martin ,  DOERING, Kenneth ,  KARIM, M., Ziaul ,  SEIDEL, Thomas, E. ,  STRAUCH, Gerhard, K.

Inventor： DALTON, Jeremie, J. ,  DAULESBERG, Martin ,  DOERING, Kenneth ,  KARIM, M., Ziaul ,  SEIDEL, Thomas, E. ,  STRAUCH, Gerhard, K.

IPC: B05C11/06

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4585

Abstract: An ALD reactor chamber contains a vertically moveable heater-susceptor having an attached annular attached flow ring conduit at its perimeter, which conduit has an external surface at its edge that isolates the outer space of the reactor above a wafer and below the wafer to the bottom of the flow ring when the heater-susceptor is in its process position. When the susceptor is in the process position, the outer edge of the flow ring is placed in proximity to an annular ring attached to a Hd of the reactor and together the ring and conduit form a tongue-in-groove (TIG) configuration. In some cases, the TIG design may have a staircase contour (SC), thereby limiting diffusion-backflow of downstream gases to the outer space of the reactor.

Abstract translation: ALD反应器室包含一个可垂直移动的加热器 - 基座，其周边具有附接的环形连接的流动环管道，该管道在其边缘具有一个外表面，其将反应器的外部空间隔离在晶片之上并在晶片的下方 当加热器基座处于其处理位置时，流动环的位置。 当基座在处理位置时，流动环的外边缘被放置在靠近反应器的Hd的环形环附近，并且环和导管一起形成榫槽（TIG）构造。 在某些情况下，TIG设计可能具有阶梯轮廓（SC），从而限制下游气体向反应器外部空间的扩散回流。

公开(公告)号：WO2004106580B1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：PCT/EP2004050389

申请日：2004-03-29

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN WALTER ,  STRAUCH GERHARD KARL

Inventor： FRANKEN WALTER ,  STRAUCH GERHARD KARL

IPC: C23C14/04 ,  G03F1/20 ,  H01L21/68 ,  G03F1/14

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  G03F1/20

Abstract: The invention relates to a device for removably fixing a mask (1) in the form of a rectangular frame, on the legs (2, 3) of which clamping means are provided for gripping the edge (1') of the mask (1). According to the invention, the clamping means comprise a plurality of individual spring elements (4) which grip closely adjacent points on the mask edge (1'). The individual spring elements (4) which are assigned to one leg (2, 3) of the frame and are embodied as leaf springs (4) that are interconnected in a comb-type manner can be moved from a fitting position in which the frame can be fitted with the mask (1) into a clamping position by means of a common auxiliary clamping member (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种设备，用于可释放地保持在一个矩形框架形式的掩模（1），其特征在于，在腿（2，3）设置在掩模作用夹紧装置的边缘（1“）的帧（1）。 根据本发明，它提供的是，夹紧装置包括多个单独的弹簧件（4）上的掩模（1“）的边缘接合邻近点附近的，其中，所述一个框架构件（2，3）与单独的弹簧元件（4）通过一个共同的夹紧辅助构件相关联（5 ）由在其中（与掩模1）可以安装在框架，可被带入一个夹紧位置，以及（如梳状互连板簧4）的安装位置处形成。

公开(公告)号：WO2011023512A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/EP2010/061360

申请日：2010-08-04

Applicant: AIXTRON AG ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten (21), die auf einem Suszeptor (2) aufliegen, wobei durch Strömungskanäle (15, 16; 18) eines Gaseinlassorganes (8) Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1) eingeleitet werden, welches Trägergas die Prozesskammer (1) im Wesentlichen parallel zum Suszeptor durchströmt und durch ein Gasauslassorgan (7) verlässt, wobei die Zerlegungsprodukte die Prozessgase auf der Substratoberfläche und auf der Oberfläche des stromabwärts mit einem Abstand (D) zum stromabwärtigen Rand (21) des Suszeptors (2) angeordneten Gasauslassorganes (7) zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen. Um ohne zwischenzeitigen Austausch oder ohne zwischenzeitiges Reinigen des Gasauslassorganes kontaminationsfreie Schichten in aufeinander abfolgenden Prozessschritten abzuscheiden, wird vorgeschlagen, dass der Abstand (D) groß genug ist, um zu verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes (7) bei der zweiten Prozesstemperatur abdampfende Zerlegungsprodukte, durch Gegenstromdiffusion zum Substrat (21) gelangen.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和方法，用于在一个或多个基板（21），其搁置在基座（2），通过流动通道特别是若干部件的现有的半导体层的沉积（15，16; 18）的气体入口元件（8）的 工艺气体与载气进入工艺腔室（1），该载气流过处理室一起引入（1）基本上平行于所述基座，并通过气体出口（7）离开，分解产物，工艺气体在衬底表面上和下游的表面上的 布置在距离（D）向基座的下游边缘（21）（2）Gasauslassorganes（7）至少在区域长大涂层形成。 为了沉积无污染的层中的连续顺序的工艺步骤而没有中间及时更换或没有中间及时清洗Gasauslassorganes，所以建议的距离（D）是足够大以防止所述Gasauslassorganes的涂层（7）蒸发在第二处理温度的分解产物 穿过逆流扩散到衬底（21）。

公开(公告)号：WO2008011579A9

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007074000

申请日：2007-07-20

Applicant: AIXTRON INC ,  DALTON JEREMY J ,  DAULESBERG MARTIN ,  DOERING KENNETH ,  KARIM M ZIAUL ,  SEIDEL THOMAS E ,  STRAUCH GERHARD K

Inventor： DALTON JEREMY J ,  DAULESBERG MARTIN ,  DOERING KENNETH ,  KARIM M ZIAUL ,  SEIDEL THOMAS E ,  STRAUCH GERHARD K

IPC: C23C16/54

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B25/14

Abstract: A reaction chamber apparatus includes a vertically movable heater- susceptor with an attached annular attached flow ring that performs as a gas conduit. The outlet port of the flow ring extends below the bottom of a wafer transport slot valve when the susceptor is in its process (higher) position, while the gas conduit formed by the flow ring has an external surface at its edge that isolates the outer space of the reactor above the wafer from the confined reaction space. In some cases, the outer edge of the gas conduit is in proximity to a ring attached to the reactor lid and, together, the ring and conduit act as a tongue-in-groove (TIG) configuration. In some cases, the TIG design may have a staircase contour, thereby limiting diffusion-backflow of downstream gases to the outer space of the reactor.

Abstract translation: 反应室设备包括可垂直移动的加热器 - 基座，其具有附接的作为气体导管的环形附接流环。 当基座处于其工艺（较高）位置时，流环的出口端口延伸到晶片输送槽阀的底部下方，而由流环形成的气体导管在其边缘处具有隔离外部空间的外表面 从受限反应空间的晶圆上方的反应器。 在一些情况下，气体导管的外边缘接近附接到反应器盖的环，并且环和导管一起用作凹槽（TIG）构造。 在某些情况下，TIG设计可能具有阶梯轮廓，从而限制下游气体扩散回流到反应器的外部空间。

公开(公告)号：WO2008011579A3

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：PCT/US2007/074000

申请日：2007-07-20

Applicant: AIXTRON, INC. ,  DALTON, Jeremy, J. ,  DAULESBERG, Martin ,  DOERING, Kenneth ,  KARIM, M., Ziaul ,  SEIDEL, Thomas, E. ,  STRAUCH, Gerhard, K.

Inventor： DALTON, Jeremy, J. ,  DAULESBERG, Martin ,  DOERING, Kenneth ,  KARIM, M., Ziaul ,  SEIDEL, Thomas, E. ,  STRAUCH, Gerhard, K.

IPC: C23C16/54

Abstract: A reaction chamber apparatus includes a vertically movable heater- susceptor with an attached annular attached flow ring that performs as a gas conduit. The outlet port of the flow ring extends below the bottom of a wafer transport slot valve when the susceptor is in its process (higher) position, while the gas conduit formed by the flow ring has an external surface at its edge that isolates the outer space of the reactor above the wafer from the confined reaction space. In some cases, the outer edge of the gas conduit is in proximity to a ring attached to the reactor lid and, together, the ring and conduit act as a tongue-in-groove (TIG) configuration. In some cases, the TIG design may have a staircase contour, thereby limiting diffusion-backflow of downstream gases to the outer space of the reactor.

公开(公告)号：WO2008011579A2

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：PCT/US2007074000

申请日：2007-07-20

Applicant: AIXTRON INC ,  DALTON JEREMY J ,  DAULESBERG MARTIN ,  DOERING KENNETH ,  KARIM M ZIAUL ,  SEIDEL THOMAS E ,  STRAUCH GERHARD K

Inventor： DALTON JEREMY J ,  DAULESBERG MARTIN ,  DOERING KENNETH ,  KARIM M ZIAUL ,  SEIDEL THOMAS E ,  STRAUCH GERHARD K

IPC: B01J19/08

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B25/14

Abstract: A reaction chamber apparatus includes a vertically movable heater- susceptor with an attached annular attached flow ring that performs as a gas conduit. The outlet port of the flow ring extends below the bottom of a wafer transport slot valve when the susceptor is in its process (higher) position, while the gas conduit formed by the flow ring has an external surface at its edge that isolates the outer space of the reactor above the wafer from the confined reaction space. In some cases, the outer edge of the gas conduit is in proximity to a ring attached to the reactor lid and, together, the ring and conduit act as a tongue-in-groove (TIG) configuration. In some cases, the TIG design may have a staircase contour, thereby limiting diffusion-backflow of downstream gases to the outer space of the reactor.

Abstract translation: 反应室装置包括可垂直移动的加热器基座，其具有作为气体导管执行的附接的环形附接流动环。 当基座处于（更高）位置时，流动环的出口延伸到晶片输送槽阀的底部的下方，而由流动环形成的气体导管在其边缘处具有隔离外部空间的外表面 的反应器从受限制的反应空间移动到晶片上方。 在一些情况下，气体导管的外边缘靠近附接到反应器盖的环，并且环和导管一起作为榫槽（TIG）构造。 在某些情况下，TIG设计可能具有阶梯轮廓，从而限制下游气体向反应器外部空间的扩散回流。