公开(公告)号：WO2011023512A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/EP2010/061360

申请日：2010-08-04

Applicant: AIXTRON AG ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Abscheiden von insbesondere aus mehreren Komponenten bestehenden Halbleiterschichten auf ein oder mehreren Substraten (21), die auf einem Suszeptor (2) aufliegen, wobei durch Strömungskanäle (15, 16; 18) eines Gaseinlassorganes (8) Prozessgase zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1) eingeleitet werden, welches Trägergas die Prozesskammer (1) im Wesentlichen parallel zum Suszeptor durchströmt und durch ein Gasauslassorgan (7) verlässt, wobei die Zerlegungsprodukte die Prozessgase auf der Substratoberfläche und auf der Oberfläche des stromabwärts mit einem Abstand (D) zum stromabwärtigen Rand (21) des Suszeptors (2) angeordneten Gasauslassorganes (7) zumindest bereichsweise eine Beschichtung bildend aufwachsen. Um ohne zwischenzeitigen Austausch oder ohne zwischenzeitiges Reinigen des Gasauslassorganes kontaminationsfreie Schichten in aufeinander abfolgenden Prozessschritten abzuscheiden, wird vorgeschlagen, dass der Abstand (D) groß genug ist, um zu verhindern, dass von der Beschichtung des Gasauslassorganes (7) bei der zweiten Prozesstemperatur abdampfende Zerlegungsprodukte, durch Gegenstromdiffusion zum Substrat (21) gelangen.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和方法，用于在一个或多个基板（21），其搁置在基座（2），通过流动通道特别是若干部件的现有的半导体层的沉积（15，16; 18）的气体入口元件（8）的 工艺气体与载气进入工艺腔室（1），该载气流过处理室一起引入（1）基本上平行于所述基座，并通过气体出口（7）离开，分解产物，工艺气体在衬底表面上和下游的表面上的 布置在距离（D）向基座的下游边缘（21）（2）Gasauslassorganes（7）至少在区域长大涂层形成。 为了沉积无污染的层中的连续顺序的工艺步骤而没有中间及时更换或没有中间及时清洗Gasauslassorganes，所以建议的距离（D）是足够大以防止所述Gasauslassorganes的涂层（7）蒸发在第二处理温度的分解产物 穿过逆流扩散到衬底（21）。

公开(公告)号：WO2005080631A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：PCT/EP2005/050765

申请日：2005-02-23

Applicant: AIXTRON AG ,  DAUELSBERG, Martin ,  CONOR, Martin ,  STRAUCH, Gerhard, Karl ,  KAEPPELER, Johannes

Inventor： DAUELSBERG, Martin ,  CONOR, Martin ,  STRAUCH, Gerhard, Karl ,  KAEPPELER, Johannes

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere kristallinen Substra­ten in einer Prozesskammer (1), welche eine Decke (2) und einen dieser vertikal gegenüberliegenden beheizten Boden (3) aufweist zur Aufnahme der Substrate (4), mit einem Gaseinlassorgan (5), welches vertikal übereinander angeordnete Gaseinlasszonen (6, 7) ausbildet zum voneinander getrennten Einleiten minde­stens eines ersten und eines zweiten gasförmigen Ausgangsstoffes, welche Ausgangsstoffe zusammen mit einem Trägergas die Prozesskammer (1) in Ho­rizontalrichtung durchströmen, wobei sich der Gasstrom in einer unmittelbar an das Gaseinlassorgan (5) angrenzenden Einlasszone (FZ) homogenisiert und die Ausgangsstoffe zumindest teilweise vorzerlegt werden, deren Zerlegungs­produkte in einer sich an die Einlasszone (EZ) angrenzenden Wachstumszone (GZ) unter stetiger Verarmung des Gasstroms auf den Substraten (4) abschei­den. Wesentlich ist eine zusätzliche Gaseinlasszone (8) des Gaseinlassorganes (5) für einen der beiden Ausgangsstoffe, zur Verminderung der horizontalen Erstreckung der Einlasszone (EZ).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在工艺腔室（1）在特定的结晶层上沉积一个或多个特定的结晶基板具有顶板（2），并且这些垂直相对加热基座（3）中的一个，用于接收基片（4）中，用 气体入口构件（5），其具有上下重叠进气区域（6,7）形成为分离引入至少一个第一和一个第二气态原料，其与载气的原料一起，处理室（1）在水平方向上通过，借此在气体流中 紧接在气体入口构件（5）相邻的入口区（FZ）均化，将起始材料至少部分地vorzerlegt其分解产物在相邻的位于与在基片上的气流的连续的耗尽入口区（EZ）生长区域（GZ）（4）沉积 ， 重要的是，对于两种起始材料中的一种进气元件（5）的额外的气体入口区域（8），以减少所述入口区域（EZ）的水平范围。

公开(公告)号：WO2003089684A2

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：PCT/EP2003/003953

申请日：2003-04-16

Applicant: AIXTRON AG ,  JÜRGENSEN, Holger ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： JÜRGENSEN, Holger ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf ein Substrat in einer in einem Reaktorgehäuse (1, 2, 3) angeordneten Prozesskammer (4), deren Boden von einem temperierbaren Substrathalter (5), der um seine Vertikalachse (6) drehangetrieben wird, und deren Decke von einem Gaseinlassorgan (7) gebildet ist, wobei sich die Decke parallel zum Boden erstreckt und mit ihren siebartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen (8) eine sich über die gesamte Substratauflagefläche (9) des Substrathalters (5) erstreckende Gasaustrittsfläche (10) ausbildet, durch welche das Prozessgas in die Prozesskammer (4) eingeleitet wird. Wesentlich ist, dass die durch den Abstand (H) der Substratauflagefläche (9) zur Gasaustrittsfläche (10) definierte Prozesskammerhöhe vor Beginn des Abscheidungsprozesses und/oder währen des Abscheidungsprozesses variiert wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法和用于在在反应器壳体中的基板上沉积薄的层的装置（1，2，3），其布置在所述处理室（4），温度控制的衬底保持器（5）绕其竖直轴线的底部（6） 旋转驱动，并且形成气体入口元件（7）的毯，其特征在于，所述盖与地面平行，并与他们的筛状排列的出气口（8）延伸至整个衬底支撑表面（9）的衬底支架（5）延伸的气体排出表面延伸（10 ）的形式，通过该工艺气体（在处理室4发起）。 重要的是，由所述衬底支撑表面（9）的距离（H）中所定义是变化到气体出口表面（10）限定的处理室高度的沉积过程开始之前和/或在沉积过程。

公开(公告)号：WO2006082117A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：PCT/EP2006/050049

申请日：2006-01-05

Applicant: AIXTRON AG ,  REINHOLD, Markus ,  BAUMANN, Peter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： REINHOLD, Markus ,  BAUMANN, Peter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Gasverteiler in einem CVD- oder OVPD-Reaktor mit zwei oder mehreren Gasvolumina (1, 2), in die jeweils eine Zuleitung (3, 4) für ein Prozessgas mündet, wobei jedes Gasvolumen (1, 2) mit einer Vielzahl von im Boden (5) des Gasverteilers mündende Austrittsöffnungen (6, 7) für das jeweilige Prozessgas verbunden ist. Zur Erhöhung der Homogenität der Gaszusammensetzung ist vorgesehen, dass die beiden Gasvolumina (1, 2) in einer gemeinsamen ersten Ebene (8) liegende Vorkammern (10, 10', 11) aufweisen, wobei in einer dem Boden des Gasverteilers benachbarten zweiten Ebene (9) eine Vielzahl von jeweils einem Gasvolumen zugeordnete Gasverteilungskammern (12, 13) vorgesehen sind, wobei die Vorkammern (10, 10', 11) und die Gasverteilungskammern (12, 13) jedes Gasvolumens (1, 2) mit Verbindungskanälen (14, 15) verbunden sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种气体分配器在CVD或OVPD反应器具有两个或更多的气体体积（1，2）成各自的进料管线（3，4）的处理气体中，每个气体体积打开（1，2）具有多个 从气体分布出口开口的底部（5）打开（6，7）被连接用于各处理气体。 为了增加被提供的气体组合物的均匀性，这两个气体体积（1，2）在一个共同的第一平面（8）位于心房（10，10”，11），其中在所述气体分配器的第二平面的底部相邻的第（9 ）设置有多个的在每种情况下与气体分配腔室（12，13）相关联的气体体积，其中，每个气体体积的前室（10，10”，11）和所述气体分配腔室（12，13）（1,2）与连接通道（14,15） 被连接。

公开(公告)号：WO2003089684A3

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：PCT/EP2003/003953

申请日：2003-04-16

Applicant: AIXTRON AG ,  JÜRGENSEN, Holger ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： JÜRGENSEN, Holger ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C16/458

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf ein Substrat in einer in einem Reaktorgehäuse (1, 2, 3) angeordneten Prozesskammer (4), deren Boden von einem temperierbaren Substrathalter (5), der um seine Vertikalachse (6) drehangetrieben wird, und deren Decke von einem Gaseinlassorgan (7) gebildet ist, wobei sich die Decke parallel zum Boden erstreckt und mit ihren siebartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen (8) eine sich über die gesamte Substratauflagefläche (9) des Substrathalters (5) erstreckende Gasaustrittsfläche (10) ausbildet, durch welche das Prozessgas in die Prozesskammer (4) eingeleitet wird. Wesentlich ist, dass die durch den Abstand (H) der Substratauflagefläche (9) zur Gasaustrittsfläche (10) definierte Prozesskammerhöhe vor Beginn des Abscheidungsprozesses und/oder während des Abscheidungsprozesses variiert wird.

公开(公告)号：WO2006063956A3

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：PCT/EP2005/056519

申请日：2005-12-06

Applicant: AIXTRON AG ,  REINHOLD, Markus ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： REINHOLD, Markus ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C14/24

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur temperierten Aufbewahrung eines Behälters (19) zur Aufnahme kondensierter Stoffe, die durch Verdampfen mittels eines durch den Behälter geleiteten Trägergases aus dem Behälter (19) transportiert werden, mit einem eine Kammer (25) ausbildenden Gehäuse (3), dessen Gehäusewand (3) wärmeisolierend ausgebildet ist, mit einem Durchgang (20, 21) in der Gehäusewand (3) für eine Gaszu- bzw. -ableitung (17, 18) zu dem bzw. von dem in der Kammer (25) angeordneten Behälter (19) und mit einer Heizung (16) oder Kühlung zur Temperierung der Kammer (25). Wesentlich ist, dass in der Kammer (25) ein Gasstromerzeuger (4) und den vom Gasstromerzeuger (4) erzeugten Gasstrom leitende Gasstromleitmittel (5-10) vorgesehen sind, wobei der vom Gasstromerzeuger erzeugte und von den Gasstromleitmitteln (5-10) gebildete Gasstrom von der Heizung (16) erwärmt wird und an dem Behälter (19) entlangströmt.

公开(公告)号：WO2005071130A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：PCT/EP2004/053429

申请日：2004-12-13

Applicant: AIXTRON AG ,  STRZYZEWSKI, Piotr ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： STRZYZEWSKI, Piotr ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C14/04

CPC classification number: C23C14/042 ,  G03F1/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Handhaben eines dielektrischen Substrates (3) und einer elektrisch leitenden oder dielektrischen Maske (4), ins­besondere zum Be- und Entladen einer Prozess-, Lager-kammer oder einer Ju­stiervorrichtung mit einem von einer elektrisch leitenden Maske (4) abgedeck­ten dielektrischen Substrat (3). Vorgesehen ist, dass das an einer Auflagefläche (2') eines Substrathalters (2) fixierte Substrat (3) die an einer Anlagefläche (1') eines Maskenhalters (1) elektrostatisch oder elektromagnetisch anhaftenden Maske (4) auf das Substrat (3) aufgelegt wird und durch eine vom Substrathal­ter (2) erzeugte elektrostatische oder elektromagnetische Kraft in Flächenanlage auf dem Substrat haftet.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于电介质基板的处理的方法（3）和导电或介电掩模（4），特别是用于装载和卸载过程中，轴承腔或用导电掩模的一个的调节装置（4） 覆盖电介质基板（3）。 条件是在接触表面（2“），其固定在基板保持器（2）底物（3）抵靠支承表面（1”）的掩模保持器（1）静电或电磁附着掩模（4）放置在基板（3）上 并且由衬底保持器（2）的静电或电磁力在该基板上表面接触粘附产生。

公开(公告)号：WO2004106580A1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：PCT/EP2004/050389

申请日：2004-03-29

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN, Walter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： FRANKEN, Walter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C14/04

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  G03F1/20

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur lösbaren Halterung einer Maske (1) in Form eines rechteckigen Rahmens, wobei an den Schenkeln (2, 3) des Rahmens am Rand (1’) der Maske (1) angreifende Spannmittel vorgesehen sind. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass die Spannmittel eine Vielzahl von Einzelfederelementen (4) aufweisen, die an nahe einander benachbarten Stellen am Maskenrand (1’) angreifen, wobei die einem Rahmenschenkel (2, 3) zugeordneten Einzelfederelemente (4) von einem gemeinsamen Spannhilfsglied (5) von einer Bestückungsstellung, in welcher der Rahmen mit der Maske (1) bestückbar ist, in eine Spannstellung bringbar sind, und als kammartig miteinander verbundene Blattfedern (4) ausgebildet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种设备，用于可释放地保持在一个矩形框架形式的掩模（1），其特征在于，在腿（2，3）设置在掩模作用夹紧装置的边缘（1“）的帧（1）。 根据本发明，它提供的是，夹紧装置包括多个单独的弹簧件（4）上的掩模（1“）的边缘接合邻近点附近的，其中，所述一个框架构件（2，3）与单独的弹簧元件（4）通过一个共同的夹紧辅助构件相关联（5 ）由在其中（与掩模1）可以安装在框架，可被带入一个夹紧位置，以及（如梳状互连板簧4）的安装位置处形成。