公开(公告)号：WO2018151578A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：PCT/KR2018/002074

申请日：2018-02-20

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 정광춘 ,  문병웅 ,  김수한 ,  김재린

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/16 ,  H01B3/30

Abstract: 본 발명은 전극층을 포함하는 전사 필름 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전극층을 포함하는 전사 필름 제조방법은 캐리어 부재 상에 전도성물질로 전극층을 형성하는 전극층 형성단계;와, 절연수지층의 적어도 일면에 상기 캐리어 부재를 각각 배치하는 배치단계와, 상기 캐리어부재와 절연수지층을 가압하여 접합하는 접합단계; 및 캐리어 부재를 제거하여 상기 절연수지층에 전극층을 전사하는 전사단계;를 포함하는 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018147678A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：PCT/KR2018/001754

申请日：2018-02-09

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 정광춘 ,  문병웅 ,  김수한 ,  문정윤 ,  성현준 ,  김재린

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/10 ,  H05K3/06 ,  H05K1/09 ,  H05K3/02

Abstract: 본 발명은 시드층을 이용한 회로형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 시드층을 이용한 회로형성방법은 미세 피치의 구현이 가능하고, 회로의 부착력이 증대되며 마이그레이션 현상을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018194367A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/KR2018/004492

申请日：2018-04-18

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 정광춘 ,  문병웅 ,  김수한 ,  하성인

IPC: H05K3/22 ,  H05K3/02

CPC classification number: H05K3/02 ,  H05K3/22

Abstract: 본 발명은 인쇄회로기판 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조방법은 베이스 기재에 제1전도성 물질로 박리층을 형성하는 박리층 형성단계;와, 상기 박리층 상에 제2전도성 물질로 회로패턴을 형성하는 회로패턴 형성단계;와, 상기 회로패턴이 형성된 박리층 상에 절연 수지층을 형성하는 수지층 형성단계;와, 상기 박리층으로부터 상기 베이스 기재를 박리시켜 제거하는 베이스 기재 박리단계; 및 상기 박리층을 제거하는 박리층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2017183929A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：PCT/KR2017/004250

申请日：2017-04-20

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 정광춘 ,  문병웅 ,  김수환 ,  이영우 ,  한영구

IPC: H01B7/08 ,  H01B7/04 ,  H01B7/06 ,  H01B13/008

CPC classification number: H01B7/04 ,  H01B7/06 ,  H01B7/08 ,  H01B13/008

Abstract: 본 발명은 플랫 케이블에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 플랫 케이블은 복수 개로 배열된 도체 및 상기 도체를 피복하는 절연층을 포함하는 플랫 케이블에 있어서, 상기 플랫 케이블의 적어도 일부분의 형상은 특정 파형이 반복되는 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 扁平电缆技术领域本发明涉及一种扁平电缆，并且根据本发明的扁平电缆是扁平电缆，其包括布置成多个的导体和覆盖导体的绝缘层， 该部分的形状的特点是形成一个特定波形重复的模式。

公开(公告)号：WO2018159978A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/KR2018/002378

申请日：2018-02-27

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 김수한 ,  정광춘 ,  문정윤 ,  하성인 ,  문병웅

IPC: H05K3/10 ,  H05K3/06 ,  H05K1/09

Abstract: 본 발명은 미세 회로 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 미세 회로 형성방법은 기판소재 상에 전도성물질로 고반사율 시드(Seed)층을 형성하는 시드층 형성단계;와, 상기 시드층 상에 상기 시드층이 선택적으로 노출되도록 패턴홈이 마련된 패턴층을 형성하는 패턴층 형성단계;와, 전도성물질로 상기 패턴홈을 충진하는 도금단계;와, 상기 패턴층을 제거하는 패턴층 제거단계; 및 상기 도금단계의 전도성물질과 중첩되지 않은 부분의 시드층을 제거하는 시드층 패터닝단계;를 포함하며, 상기 고반사율 시드층은 정반사 특성을 갖는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018151530A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：PCT/KR2018/001938

申请日：2018-02-14

Applicant: (주)잉크테크

Inventor： 정광춘 ,  김수한 ,  문정윤 ,  성현준 ,  문병웅

IPC: H05K3/06

Abstract: 본 발명은 은 또는 은 합금 또는 은 화합물만을 선택적으로 에칭하는 에칭액 조성물 및 이를 이용한 회로형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 회로형성방법은 전기 전도성 시드층(Seed layer)과 회로층이 이종금속으로 이루어진 기판소재에서 시드층 만을 선택적으로 에칭하여 미세 피치의 구현이 가능한 것을 특징으로 하며, 또한 구리(Cu) 도금 회로는 에칭하지 않고 은(Ag, silver) 또는 은 합금(Silver alloy) 또는 은 화합물(Silver compound) 시드층 만을 선택적으로 에칭하는 회로형성방법과 에칭액 조성물에 관한 것이다.