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公开(公告)号：WO2013127030A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：PCT/CN2012/000402
申请日：2012-03-29
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/1029 , H01L29/772
摘要： 本发明实施例公开了一种石墨烯器件，包括多条名墨烯通道及栅，其中，所有石墨烯通道的一端连接在同一个端点，所有石墨烯通道与栅接触电连接，石墨烯通道与栅的夹角互不相同。由于不同的石墨烯通道的入射波角度不同，使每条石墨烯通道具有不同的隧穿几率，使每条石墨烯通道具有不同的导通条件，可以作为多路选择器或多路分配器等器件。
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公开(公告)号：WO2012055196A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/CN2011/071194
申请日：2011-02-23
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78684
摘要： 一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所述栅极区另一侧的石墨烯层为所述器件结构的源极区。通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。
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公开(公告)号：WO2012034345A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/CN2011/000291
申请日：2011-02-24
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78684
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公开(公告)号：WO2014029152A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/CN2012/081513
申请日：2012-09-17
CPC分类号： H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a）提供基层； b）刻蚀所述基层形成有底的开口（201）；c）形成填充所述开口（201）的金属塞（202）；d）在所述基层上形成与所述金属塞（202）的上平面相接触的石墨烯层（300）。相应地，本发明还提供根据上述制造方法形成的半导体结构。上述方法和结构通过将石墨烯结晶形成在预定区域中，增加了石墨烯结晶的颗粒尺寸，并结合最优化沉积石墨烯的步骤，有助于提升石墨烯材质的均匀度，因此提升了石墨烯材质在半导体结构中的工作性能以及稳定性。
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公开(公告)号：WO2013189127A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/CN2012/080328
申请日：2012-08-17
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7855
摘要： 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：a）在半导体村底上形成栅极堆叠，并去除栅堆叠两侧的部分村底；b）在所述栅极堆叠及其下方的村底的部分的侧壁上形成侧墙；c）在栅极堆叠两侧的村底中形成摻杂区，并形成覆盖整个半导体结构的第一介质层；d）在栅极堆叠的宽度方向上选择性去除部分栅极堆叠以及部分第一介质层，形成沟道区开口及其两侧的源漏区开口；e）在沟道区开口的侧壁上形成高k介质层；f）外延生长形成连续的跨沟道区开口和源漏区开口的鰭结构。相应的，本发明还提供一种根据上述方法制造的半导体结构。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙。
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公开(公告)号：WO2013026213A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/CN2011/079040
申请日：2011-08-29
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 钟汇才 , 罗军 , 梁擎擎 , 朱慧珑
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/845 , H01L29/66545
摘要： 提供一种半导体器件结构及其制作方法。半导体器件结构的制作方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沿第一方向形成鳍（1002），在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线（1004），栅极线（1004）经由栅介质层与鳍（1002）相交，绕栅极线（1004）形成电介质侧墙（1005），绕电介质侧墙（1005）的外侧形成导电侧墙（1006），以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线（1004）部分形成相应单元器件的栅电极，被隔离的导电侧墙（1006）部分形成相应单元器件的接触部。
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公开(公告)号：WO2012162943A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/CN2011/078196
申请日：2011-08-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 梁擎擎 , 朱慧珑 , 钟汇才
IPC分类号： H01L21/36
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要： 提供了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括提供衬底；在所述衬底内形成鳍，在鳍上形成横跨鳍的伪栅条，在伪栅条两侧的覆盖层和第一介质层内形成源漏窗口，该源漏窗口在被伪栅条覆盖的鳍的两侧并为被周围的覆盖层和第一介质层包围，在该源漏窗口内形成源漏区时，由于源漏区形成过程中晶格不匹配产生应力，该应力受到第一介质层的限制作用而被施加在沟道中，从而提高了器件的迁移率并改善了器件的性能。
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公开(公告)号：WO2012151797A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/CN2011/078207
申请日：2011-08-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 梁擎擎 , 钟汇才 , 朱慧珑
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L21/84 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L29/66545
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公开(公告)号：WO2013189096A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/CN2012/077852
申请日：2012-06-29
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 朱慧珑 , 梁擎擎 , 钟汇才
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66537 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/66659 , H01L29/7834 , H01L29/7835 , H01L29/7848
摘要： 一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底（100）上形成第一掩蔽层（106）；以第一掩蔽层为掩模，形成带应力的源区和漏区（118）之一；在衬底上形成第二掩蔽层（120），并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，该一部分靠近源区和漏区中另一个；形成栅介质层（130），并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体（134）。
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公开(公告)号：WO2013063728A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/CN2011/001998
申请日：2011-11-30
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 梁擎擎 , 钟汇才 , 朱慧珑
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/735
CPC分类号： H01L21/02107 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/088 , H01L27/1203
摘要： 提供了一种晶体管（100），晶体管的制作方法以及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管的制作方法包括：提供衬底（101），并且在该衬底上形成第一绝缘层（102）；在该第一绝缘层上定义第一器件区（103）；在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离物（106）；在该第一绝缘层上定义第二器件区（107），该第二器件区通过该侧墙隔离物与该第一器件区隔离；以及分别在该第一器件区和第二器件区中形成晶体管结构。该晶体管制作方法减小了隔离所需的空间，降低了工艺复杂度，并减小了制作成本。
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