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公开(公告)号：WO2009054466A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/069256
申请日：2008-10-23
IPC: G09F9/00 , C23C14/14 , C23C14/34 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L23/53233 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。本発明は、基板上にて、透明導電膜に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、Ｇｅを０．１～０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１～０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜に関する。
Abstract translation: 本发明提供一种用于显示装置的Cu合金膜，其具有比常规Cu合金膜更低的电阻，可以实现低接触电阻与透明导电膜的直接连接，而不形成任何阻挡金属，并且当应用于液体 水晶显示器等可以提供高显示质量。 用于显示装置的Cu合金膜直接连接到基板上的透明导电膜上，其特征在于包含0.1至0.5原子％的Ge和0.1至0.5原子％的总计的至少一种选自以下的金属： 镍，锌，铁和钴
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公开(公告)号：WO2009001832A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061488
申请日：2008-06-24
IPC: H01L29/786 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本発明は、Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置であって、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５～２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５～１．０原子％含有する表示装置に関する。本発明の表示装置は、バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる表示装置である。さらに、本発明は、Ａｌ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｎｉを０．０５～２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５～１．０原子％含有するスパッタリングターゲットにも関する。
Abstract translation: 提供一种显示装置，其中通过直接与膜接触而在Al合金膜上布置导电氧化物膜。 Al合金膜含有0.05-2.0atm％的Ni，In和/或Sn总量为0.05-1.0atm％。 显示装置能够消除阻挡金属层，并且在不增加步数的情况下被简化。 Al合金膜不仅直接且可靠地与导电氧化物膜接触，而且即使施加相对低的热处理温度也降低了电阻率，并且当合金膜直接接触时，接触电阻率也降低 与导电氧化膜。 此外，显示装置具有优异的耐热性和耐腐蚀性。 还提供了用于形成Al合金膜的溅射靶。 溅射靶含有0.05-2.0atm％的Ni和总共为0.05-1.0atm％的In和/或Sn。
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