公开(公告)号：WO2009054466A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/JP2008/069256

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

Inventor： 大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

IPC: G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。本発明は、基板上にて、透明導電膜に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、Ｇｅを０．１～０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１～０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜に関する。

Abstract translation: 本发明提供一种用于显示装置的Cu合金膜，其具有比常规Cu合金膜更低的电阻，可以实现低接触电阻与透明导电膜的直接连接，而不形成任何阻挡金属，并且当应用于液体 水晶显示器等可以提供高显示质量。 用于显示装置的Cu合金膜直接连接到基板上的透明导电膜上，其特征在于包含0.1至0.5原子％的Ge和0.1至0.5原子％的总计的至少一种选自以下的金属： 镍，锌，铁和钴

公开(公告)号：WO2008069214A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：PCT/JP2007/073419

申请日：2007-12-04

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  日野 綾 ,  富久 勝文 ,  後藤 裕史 ,  大西 隆

Inventor： 日野 綾 ,  富久 勝文 ,  後藤 裕史 ,  大西 隆

IPC: C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C23C14/3414 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/28 ,  H01B1/026 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 　電気抵抗率の低いＣｕを配線材料として使用できるばかりか、ガラス基板への密着性が高く剥離の危険性がないＣｕ合金配線膜と、そのＣｕ合金配線膜を用いて作製されるフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子と、そのＣｕ合金配線膜の作製に用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。 　フラットパネルディスプレイ用のＴＦＴ素子１を構成する配線膜２とその膜を作製するためのスパッタリングターゲットであって、Ｃｕを主成分とし、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｓｍの少なくとも一種を合計０．０１～０．５原子％含有する。ガラス基板３上に前記配線膜２を積層し、更にその上に絶縁膜４を介して透明導電膜５を積層する。

Abstract translation: 提供一种Cu合金布线膜，其使用具有低电阻率的Cu作为布线材料，并且对玻璃基板具有高粘合性而不可能移除，使用Cu合金布线膜制造的平板显示TFT元件和Cu 用于制造Cu合金布线膜的合金溅射靶。 提供构成平板显示TFT元件（1）的布线膜（2）和用于制造薄膜的溅射靶。 溅射靶包含Cu作为主要成分，并且选自Pt，Ir，Pd和Sm中的至少一种元素总计为0.01-0.5原子％。 布线膜（2）层叠在玻璃基板（3）上，透明导电膜（5）通过绝缘膜（4）层叠在布线膜上。

公开(公告)号：WO2008066030A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/JP2007/072832

申请日：2007-11-27

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  後藤 裕史 ,  富久 勝文 ,  日野 綾 ,  奥野 博行 ,  中井 淳一 ,  川上 信之 ,  越智 元隆

Inventor： 後藤 裕史 ,  富久 勝文 ,  日野 綾 ,  奥野 博行 ,  中井 淳一 ,  川上 信之 ,  越智 元隆

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53219 ,  C23C14/185 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Ａｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５～０．５原子％含有し、Ｇｄおよび／またはＬａを合計で０．０５～０．４５原子％含有する表示デバイス用Ａｌ合金膜、これを用いた表示デバイスおよび表示デバイス用のスパッタリングターゲットを提供する。本発明のＡｌ合金膜は、バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とＡｌ合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とＡｌ合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れる。

Abstract translation: 公开了一种用于显示装置的Al合金膜，其与基板上的导电氧化膜直接连接。 这种用于显示装置的Al合金膜包含0.05-0.5原子％的Ge和0.05-0.45原子％的Gd和/或La。 还公开了使用这种Al合金膜的显示装置和显示装置的溅射靶。 即使当Al合金膜与导电氧化物膜直接连接而不使用阻挡金属时，用于显示装置的Al合金膜对导电氧化物膜具有高粘合性和低接触电阻。 优选地，用于显示装置的Al合金膜的干蚀刻性能优异。

公开(公告)号：WO2009001832A1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：PCT/JP2008/061488

申请日：2008-06-24

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  中井 淳一 ,  富久 勝文 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史

Inventor： 中井 淳一 ,  富久 勝文 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 　本発明は、Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置であって、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５～２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５～１．０原子％含有する表示装置に関する。本発明の表示装置は、バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる表示装置である。さらに、本発明は、Ａｌ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｎｉを０．０５～２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５～１．０原子％含有するスパッタリングターゲットにも関する。

Abstract translation: 提供一种显示装置，其中通过直接与膜接触而在Al合金膜上布置导电氧化物膜。 Al合金膜含有0.05-2.0atm％的Ni，In和/或Sn总量为0.05-1.0atm％。 显示装置能够消除阻挡金属层，并且在不增加步数的情况下被简化。 Al合金膜不仅直接且可靠地与导电氧化物膜接触，而且即使施加相对低的热处理温度也降低了电阻率，并且当合金膜直接接触时，接触电阻率也降低 与导电氧化膜。 此外，显示装置具有优异的耐热性和耐腐蚀性。 还提供了用于形成Al合金膜的溅射靶。 溅射靶含有0.05-2.0atm％的Ni和总共为0.05-1.0atm％的In和/或Sn。

公开(公告)号：WO2007063991A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/JP2006/324106

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

Inventor： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 　ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板を提供する。 　すなわち、上記薄膜トランジスタ基板は、ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する。また、上記薄膜トランジスタ基板は、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする。 　さらに、本発明は、上記薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。

Abstract translation: 提供了具有与透明电极直接连接的构成源极/漏极布线的铝合金膜的薄膜晶体管基板，具有优异的源极/漏极布线特性和优异的栅极布线特性，并且通过显着简化的工艺制造。 薄膜晶体管基板设置有栅极布线，并且源极布线和与栅极布线正交的漏极布线。 薄膜晶体管基板的特征在于，构成栅极布线的单层铝合金膜和构成源极布线和漏极布线的单层铝合金膜的组成相同。 此外，还提供了具有薄膜晶体管基板的显示装置。

公开(公告)号：WO2007063921A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/JP2006/323856

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

Inventor： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。 　ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０～７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングする。この際、上記ポストベーク温度：ｘ（°C）を１１０°C以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすように配線膜を形成する。  １０≦［（２／３）ｘ-５ｙ］≦７０…（１）

Abstract translation: 提供一种形成布线膜的方法，其中在形成由纯铝或铝合金构成的单层布线膜时，侧壁上的锥形以规定范围内的角度被良好地蚀刻。 在后烘后，通过使用包括硝酸，磷酸，乙酸和水的蚀刻溶液，将纯铝膜或铝合金膜蚀刻成具有10-70°的侧壁锥角的锥形。 在110℃以下的后烘烤温度（x（℃））下形成布线膜，并且通过使蚀刻液中的后烘烤温度和硝酸浓度（y（wt％））满足 以下不等式（1）。 10 = [（2/3）x-5y] = 70（1）

公开(公告)号：WO2009091004A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/JP2009/050482

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  越智 元隆 ,  川上 信之 ,  富久 勝文 ,  後藤 裕史

Inventor： 越智 元隆 ,  川上 信之 ,  富久 勝文 ,  後藤 裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 　本発明は、ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する。本発明は、半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＳｉ及び／又はＧｅ：０．１～１．５ 原子％、Ｎｉ及び／又はＣｏ：０．１～３．０原子％、Ｌａ及び／又はＮｄ：０．１～０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している薄膜トランジスタに関する。

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管基板，其中不会产生源电极和漏电极的干蚀刻速率的劣化和蚀刻残留物，并且半导体层和诸如源电极和漏电极的布线金属之间的阻挡金属， 可以消除。 还提供了显示装置。 薄膜晶体管基板设置有半导体层（1），源极（2），漏极（3）和透明导电膜（4）。 源电极（2）和漏电极（3）由A​​l合金薄膜构成，其通过图案形成，其中使用干蚀刻并含有0.1-1.5atm％的Si和/或Ge，Ni和 /或Co为0.1-3.0atm％，La和/或Nd为0.1-0.5a​​tm％，薄膜晶体管直接连接到半导体层（1）。