摘要:
본 발명은 도전층 및 절연층을 포함하고, 상기 도전층 및 절연층 각각은 입경이 상이한 2종의 무기 필러를 포함하는 이방 도전성 필름으로, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 90MPa의 압력 조건 하에서 본압착한 후 측정한 하기의 식 1로 나타나는 퍼짐 길이의 증가율이 절연층 > 도전층이고, 경화율 90% 이상으로 경화 시 저장 탄성률이 2.5 내지 5 GPa 인, 이방 도전성 필름에 관한 것으로, 도전 입자의 분산성을 높여 절연성 및 접속 신뢰성을 개선할 수 있는 이점이 있다. [식 1] 퍼짐 길이의 증가율 (%) = [(본압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 가압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 가압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
摘要:
본 발명의 일 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 다른 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물, 및 도전입자를 포함하는 이방 도전성 필름으로, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다. [식 1] 입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm 2 ) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm 2 ) 도전 입자의 수) × 100
摘要:
도전층을 포함하고, 상기 도전층은 도전성 입자를 포함하는 도전층용 조성물로 형성되고, 상기 도전성 입자는 포화 자화값 및 비중이 각각 하기 식(1), 식(2)를 만족하는 것인 이방 도전성 필름, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및/또는 이를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. (1) 약 10emu/g ≤ 포화 자화값 ≤ 약 20emu/g (2) 약 2.8 ≤ 비중 ≤ 약 3.2