Abstract:
본 발명은 에폭시 수지 및 티올 화합물을 포함하는 제1층; 및 에폭시 수지 및 이온성 경화 촉매를 포함하는 제2층을 포함하고, 상기 제1층 또는 제2층 중 어느 하나의 층에 도전 입자가 추가로 포함되는 이방 도전성 필름에 관한 것이다. 또한 본 발명은 에폭시 수지, 티올 화합물, 이온성 경화 촉매 및 도전 입자를 포함하고, 하기 식 1에 따른 발열량의 변화율이 10% 이하인 이방 도전성 필름에 관한 것이다. [식 1] 발열량 변화율(%) = [(H 0 -H 1 )/H 0 ]×100 상기 식 1에서, H 0 는 이방 도전성 필름을 25℃에서 1일 방치 후에 측정한 DSC 상 발열량을 나타내고, H 1 은 상기 이방 도전성 필름을 25℃에서 7일 방치 후 측정한 DSC 상 발열량을 나타낸다. 본 발명의 일 예들에 따른 이방 도전성 필름은, 티올 화합물과 이온성 경화 촉매를 각각 다른 층에 포함함으로써 상온 안정성이 우수하고 극저온 경화가 가능한 이점이 있다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 다른 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물, 및 도전입자를 포함하는 이방 도전성 필름으로, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다. [식 1] 입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm 2 ) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm 2 ) 도전 입자의 수) × 100
Abstract:
본 발명은 옥세탄기를 함유하는 실세스퀴옥산 화합물을 전체 고형 중량을 기준으로 1 중량% 내지 14 중량%로 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물로 이루어지고, 필름 경화 후 30℃에서 측정한 탄성률이 2.5 GPa 내지 4 GPa이고, 25℃에서 5일 보관 후 열시차주사열량계(DSC) 상 발열량 변화율이 20% 이하인 이방 도전성 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 열시차주사열량계의 발열 피크 온도가 60℃ 내지 105℃인 지환족 에폭시 수지, 화학식 1의 양이온 중합 촉매 및 화학식 2의 화합물을 포함하는 접착 조성물, 이를 이용한 이방 도전성 필름 및 상기 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.