摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupferband (1) zur Herstellung von elektrischen Kontakten, mit einem Basiswerkstoff (2) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, und einer Beschichtung (3,4) aus Zinn, wobei die Beschichtung (3,4) aus Zinn einen Anteil von unlöslichen, ausscheidungsbildenden Elementen von 0,003 bis 1,0, bevorzugt bis 0,5, bevorzugt bis 0,05, besonders bevorzugt bis 0,01 Gewichtsprozent aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Kupferbandes (1) zur Herstellung von elektrischen Kontakten sowie einen Steckverbinder.
摘要:
Die Messinglegierung besteht im wesentlichen aus Kupfer und Zink. Die Legierung weist mindestens eine zusätzliche Legierungskomponente auf. Ein Gehalt an Blei beträgt höchstens 0,1 Gewichtsprozent. Der Anteil an Zink beträgt 40,5 bis 46 Gewichtsprozent. Die Legierung weist ein Mischkristall mit Anteilen sowohl eines alpha-Gefüges als auch eines beta-Gefüges auf. Der Gewichtsanteil des beta-Gefüges beträgt mindestens 30% und höchstens 70%.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), wobei -die Kupferschicht (3,4) mindestens eine erste, dem Keramikträger zugewandte Schicht (5,6) mit einer gemittelten ersten Korngröße und eine an der von dem Keramikträger (2) abgewandten Seite der Kupferschicht (3,4) angeordnete zweite Schicht (7,8) mit einer gemittelten zweiten Korngröße aufweist, wobei -die zweite Korngröße kleiner als die erste Korngröße ist. die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 100 μ m, bevorzugt ca. 250 bis 1000 μ m, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 100 pm, bevorzugt ca. 50 µm, aufweist, oder -die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 150 pm, bevorzugt ca. 250 bis 2000 µm, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 150 μ m, bevorzugt ca. 50 pm, aufweist. Vozugsweise werden Cu-ETP und Cu-OF oder Cu-OFE verwendet.
摘要:
Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -mindestens einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), welche -eine freie Oberfläche zur Ausbildung einer Leiterstruktur und/oder zur Befestigung von Bonddrähten aufweist, wobei -die Kupferschicht (3,4) ein Gefüge mit einem gemittelten Korngrößendurchmesser von 200 bis 500 μm, bevorzugt von 300 bis 400 μm, aufweist.
摘要:
Um eine Drahtelektrode bereitzustellen, die kostengünstig herstellbar ist und gleichzeitig hervorragende Schneideigenschaften aufweist, wird vorgeschlagen, dass diese α-Bereiche (2) und β-Bereiche (3) aufweist, wobei die α-Bereiche (2) und die β-Bereiche (3) zueinander unterschiedliche Gefügephasen und Härtegrade aufweisen und über den gesamten Querschnitt der Drahtelektrode (1) verteilt angeordnet sind.