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公开(公告)号：WO2017144332A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/053450
申请日：2017-02-16
Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
Inventor： HERBST, Kai , MUSCHELKNAUTZ, Christian
IPC: C04B35/111 , C04B37/02 , H01L23/15 , H01L23/373
CPC classification number: C04B37/021 , C04B35/111 , C04B2235/782 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/9607 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/40 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , H01L23/15 , H01L23/3735
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend: - ein Keramiksubstrat, das Aluminiumoxid enthält, - eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, wobei das Aluminiumoxid einen mittleren Korn-Formfaktor R a (Al 2 O 3 ), bestimmt als arithmetischer Mittelwert aus den Formfaktoren R der Körner des Aluminiumoxids, von mindestens 0,4 aufweist.
Abstract translation: 本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合材料，其包含：含有氧化铝的陶瓷基材，存在于该陶瓷基材上的铜或铜合金涂层，该氧化铝是中等粒度的 形状因子R <子>一（铝<子> 2 0 <子> 3 ）被确定为算术平均形状的值因子R K＆ouml;氧化铝的RN，至少为0 4.
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2013024813A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/JP2012/070484
申请日：2012-08-10
CPC classification number: H05K3/103 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/262 , B23K35/3006 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/064 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/38 , Y10T29/49155 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本発明のパワーモジュール用基板（１０）は、絶縁基板（１１）と、この絶縁基板（１１）の一方の面に形成された回路層（１２）と、を備えたパワーモジュール用基板（１０）であって、前記回路層（１２）は、前記絶縁基板（１１）の一方の面に第一銅板（２２）が接合されて構成されており、前記第一銅板（２２）は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされている。
Abstract translation: 用于功率模块的该基板（10）设置有形成在绝缘基板（11）的一个表面上的绝缘基板（11）和电路层（12）。 电路层（12）通过将第一铜板（22）接合到绝缘基板（11）的一个表面上而构成。 在结合之前，第一铜板（22）具有至少包含：1molppm至100molppm的一种或多种碱土金属，过渡金属元素和稀土元素中的一种或多种的组合物; 或100摩尔ppm至1000摩尔ppm的硼; 其余为铜和不可避免的杂质。
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公开(公告)号：WO2010114126A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/JP2010/056084
申请日：2010-04-02
Applicant: 株式会社住友金属エレクトロデバイス , 長廣 雅則 , 大上 純史 , 小松 敬幸
IPC: C04B35/111 , C04B35/44 , H01L23/13 , H01L23/14
CPC classification number: H01L23/15 , C04B35/119 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3206 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3246 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/181 , Y10T428/256 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】機械的強度が高く、放熱性に優れ、かつ、銅板との接合界面にボイドが生じにくいセラミックス焼結体を提供する。 【解決手段】電子部品を実装するための絶縁基板として用いられるセラミックス焼結体１であって、セラミックス焼結体を製造する際に用いる粉体材料は、主成分のアルミナと、部分安定化ジルコニアと、マグネシアとを含有し、部分安定化ジルコニアの含有量の上限は、粉体材料の全重量に対して３０wt％であり、マグネシアの含有量は、粉体材料の全重量に対して０.０５～０.５０wt％の範囲内であり、セラミックス焼結体中に含まれるジルコニア結晶のうち８０～１００％が正方晶相であることを特徴とするセラミックス焼結体による。
Abstract translation: 具有高机械强度和优异的散热性能的烧结陶瓷，当与铜片接合时，其在其间的界面处不太容易产生空隙。 烧结陶瓷（1）用作要安装电子部件的绝缘基板。 烧结陶瓷的特征在于由以氧化铝为主要成分，部分稳定的氧化锆和氧化镁的粉末材料制成，部分稳定的氧化锆的含量的上限相对于粉末的总重量为30重量％ 材料，并且氧化镁的含量相对于粉末材料的总重量在0.05-0.50重量％的范围内。 烧结陶瓷的特征还在于，烧结陶瓷中含有的80-100％的氧化锆晶体具有四方晶相。
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公开(公告)号：WO1994006727A1
公开(公告)日：1994-03-31
申请号：PCT/EP1993002506
申请日：1993-09-16
Inventor： PATENT-TREUHAND-GESELLSCHAFT FÜR ELEKTRISCHE ... , RHODES, William, H. , FEUERSANGER, Alfred, E. , THIBODEAU, Rodrigue
IPC: C04B35/10
CPC classification number: H01J61/366 , C04B35/111 , C04B37/001 , C04B37/021 , C04B2235/652 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/401 , C04B2237/403 , C04B2237/54 , H01J9/245 , H01J9/265 , H01J9/323 , H01J9/40 , H01J61/302 , H01J61/363 , H01J61/82
Abstract: Alumina arc tube sealing members including a highly pure, fine alumina doped with yttrium oxide and magnesium oxide. The sealing members are used in the formation of sintered hermetic seals to a green, prefired, or fully sintered translucent alumina arc tube and niobium electrical feedthrough assemblies with or without the use of sealing frits or brazing alloys.
Abstract translation: 氧化铝电弧管密封件，包括掺杂氧化钇和氧化镁的高纯度，细小的氧化铝。 密封构件用于将绿色，预烧或完全烧结的半透明氧化铝弧形管和铌电馈通组件形成烧结的气密密封件，其具有或不使用密封玻璃料或钎焊合金。
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公开(公告)号：WO2017144330A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/053448
申请日：2017-02-16
Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
Inventor： HERBST, Kai , MUSCHELKNAUTZ, Christian
IPC: C04B37/02 , C04B35/111 , H01L23/373 , H01L23/15
CPC classification number: C04B37/021 , C04B35/111 , C04B2235/782 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/9607 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/40 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , H01L23/15 , H01L23/3735
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend - ein Keramiksubstrat, - eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, wobei das Kupfer oder die Kupferlegierung Korngrößen im Bereich von 10 μm bis 300 μm und eine Anzahlverteilung der Korngrößen mit einem Medianwert d 50 und einem arithmetischen Mittelwert d arith aufweist und das Verhältnis von d 50 zu d arith (d 50 /d arith ) im Bereich von 0,75 bis 1,10 liegt.
Abstract translation: 铜 - 陶瓷复合体技术领域本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合体，其包含 - 陶瓷基体， - 存在于陶瓷基体上的铜或铜合金涂层，其中铜或铜合金的粒度在该范围内 从10μm到300μm，并且具有中值d 50和算术平均值d arith的粒度的数量分布以及d 50 至d
（d <50> / d ）在0.75至1.10的范围内。 / p> -
Patent Agency Ranking6.发明申请
公开(公告)号：WO2016020207A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/EP2015/066959
申请日：2015-07-24
Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
Inventor： ROGG, Alexander , ZIER, Gabriel
IPC: C04B37/02
CPC classification number: C04B37/021 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/54 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01L21/4846 , H01L23/15
Abstract: Beschreiben wird ein Verfahren zum Herstellen eines doppelseitig metallisierten Keramik-Substrats, bei welchem das Keramik-Substrat und die Metallschichten während der Herstellung geneigt und/oder gewölbt werden.
Abstract translation: 描述是在制造和/或弯曲时倾斜，制造双面金属化陶瓷基片的方法，其中所述陶瓷基板和金属层。
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公开(公告)号：WO2013147142A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/059498
申请日：2013-03-29
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
CPC classification number: B23K1/012 , B23K1/0012 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/2333 , B23K2201/42 , B23K2203/10 , B23K2203/172 , B23K2203/18 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/13055 , H05K1/0203 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/014
Abstract: このパワーモジュール用基板は、絶縁基板（１１）と、絶縁基板（１１）の一方の面に形成された回路層（１２）と、絶縁基板（１１）の他方の面に形成された金属層（１３）と、を備えたパワーモジュール用基板（１０）であって、回路層（１２）は、銅又は銅合金で構成され、この回路層（１２）の一方の面が、電子部品（３）が搭載される搭載面とされ、金属層（１３）は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が接合されて構成されており、回路層（１２）の厚さｔ １ が、０．１ｍｍ≦ｔ １ ≦０．６ｍｍの範囲内とされ、金属層（１３）の厚さｔ ２ が、０．５ｍｍ≦ｔ ２ ≦６ｍｍの範囲内とされ、回路層（１２）の厚さｔ １ と金属層（１３）の厚さｔ ２ との関係が、ｔ １ ＜ｔ ２ とされている。
Abstract translation: 该功率模块基板（10）设置有绝缘基板（11），形成在绝缘基板（11）的一个表面上的电路层（12）和形成在绝缘基板（11）的另一个表面上的金属层 基板（11）。 电路层（12）由铜或铜合金构成，电子部件（3）安装在电路层（12）的一个面上。 金属层（13）通过将包括铝或铝合金的铝板接合在一起而构成。 电路层（12）的厚度（t1）设定在0.1mm <= t1 <= 0.6mm的范围内，金属层（13）的厚度（t2）设定在0.5mm < = t2 <= 6mm。 确定电路层（12）的厚度（t1）与金属层（13）的厚度（t2）之间的关系使得t1
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公开(公告)号：WO2013145245A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2012/058471
申请日：2012-03-29
CPC classification number: B01D39/2075 , B01D35/005 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6265 , C04B35/6303 , C04B35/6316 , C04B35/6365 , C04B35/638 , C04B37/003 , C04B37/005 , C04B38/0019 , C04B41/009 , C04B41/5089 , C04B41/85 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/3826 , C04B2235/5224 , C04B2235/5228 , C04B2235/526 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/083 , C04B2237/365 , C04B2237/54 , C04B2237/597 , C04B2237/62 , C04B2237/708 , Y10T428/24149 , C04B35/00 , C04B38/0006 , C04B14/4625 , C04B20/004 , C04B41/5059
Abstract: 本発明は、８００℃を超えた温度、特に１２００℃以上の温度範囲で使用された場合であっても、スス等のパティキュレートが規制値以上に外部に漏れることのないハニカム構造体を提供することを目的とするものであり、本発明のハニカム構造体は、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された炭化ケイ素質のハニカム焼成体が接着剤層を介して複数個結束され、前記セルを隔てるセル壁のいずれか一方の端部が目封じされたハニカム構造体であって、前記ハニカム焼成体を構成する炭化ケイ素粒子の表面には、ケイ素を含む酸化物層が形成されており、前記接着剤層は、少なくともアルミナファイバと無機バルーンとを含むことを特徴とする。
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种蜂窝状结构体，即使在高于800℃的温度下使用蜂窝结构体时，特别是在温度为 至少1200℃。 该蜂窝结构体具有多个通过粘合剂层捆扎的碳化硅蜂窝烧结体，并且具有由细胞壁隔开并沿长度方向配置的多个细胞，细胞壁的一个端部分隔开密封。 蜂窝结构的特征在于：在构成蜂窝烧结体的碳化硅颗粒的表面上形成包含硅的氧化物层; 并且所述粘合剂层至少包括氧化铝纤维和无机气球。
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公开(公告)号：WO2013008919A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/067956
申请日：2012-07-13
IPC: C04B35/111 , C04B37/02 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: C04B35/111 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H05K1/0306 , H05K3/38 , C04B38/0054
Abstract: 本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナＡｌ ２ Ｏ ３ を９４～９８質量％、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を２～６質量％含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素ＳｉＯ ２ に換算した質量で前記アルミナ基板１００質量％中に０．０１～１．５質量％含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が１５μｍ以下であり、ボイド平均径が１０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１３００以上である。
Abstract translation: 一种陶瓷电路板，其具有粘附在氧化铝基板上的金属电路板，其中所述氧化铝基板包含94-98质量％的氧化铝（Al 2 O 3）和2-6质量％的由烧结助剂衍生的组分 烧结助剂衍生成分为含有硅的无机氧化物，烧结助剂衍生成分中的二氧化硅（SiO 2）的硅每100质量％的氧化铝基质含有0.01〜1.5质量％的硅， 氧化铝基板的最大空隙尺寸不大于15μm，平均空隙尺寸不大于10μm，维氏硬度至少为1300。
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公开(公告)号：WO2017144334A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/053452
申请日：2017-02-16
Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
Inventor： HERBST, Kai , MUSCHELKNAUTZ, Christian , ROGG, Alexander
IPC: C04B35/111 , C04B37/02 , H01L23/15 , H01L23/373
CPC classification number: C04B35/111 , C04B37/021 , C04B2235/782 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/9607 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/40 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , H01L23/15 , H01L23/3735
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend - ein Keramiksubstrat, das Aluminiumoxid enthält, - eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, wobei das Kupfer oder die Kupferlegierung eine Anzahlverteilung der Korngrößen mit einem Medianwert d 50 , einem arithmetischen Mittelwert d arith und einem Symmetriewert S(Cu)=d 50 /d arith aufweist, das Aluminiumoxid eine Anzahlverteilung der Korngrößen mit einem Medianwert d 50 , einem arithmetischen Mittelwert d arith und einem Symmetriewert S(Al 2 O 3 )= d 50 / d arith aufweist, und S(Al 2 O 3 ) und S(Cu) der folgenden Bedingung genügen: 0,7 ≤ S(Al 2 O 3 ) / S(Cu) ≤ 1,4.
Abstract translation:
本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合物，包括： - 陶瓷基板，氧化铝含有HOLDS， - 对铜的陶瓷基片涂层或铜合金构成的本，其中，所述铜或铜合金具有 具有中值d 50的晶粒尺寸的数量分布，算术平均值d arith和对称值S（Cu）= d 50 / dithium，氧化铝具有中值d 50，算术平均值dithith和对称值S （铝<子> 2 0 <子> 3 ）= d <子> 50 / d <子> ARITH ，并且在S（铝<子> 2 （Cu）满足以下条件：0.7≤S（Al 2 O 3）/ S（Cu） ）/ S（Cu）≤1.4。
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