KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS
    2.
    发明申请
    KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS 审中-公开
    铜基陶瓷基板,用于制造铜基板的铜制设备及制造铜基板的方法

    公开(公告)号:WO2017097758A1

    公开(公告)日:2017-06-15

    申请号:PCT/EP2016/079879

    申请日:2016-12-06

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), wobei -die Kupferschicht (3,4) mindestens eine erste, dem Keramikträger zugewandte Schicht (5,6) mit einer gemittelten ersten Korngröße und eine an der von dem Keramikträger (2) abgewandten Seite der Kupferschicht (3,4) angeordnete zweite Schicht (7,8) mit einer gemittelten zweiten Korngröße aufweist, wobei -die zweite Korngröße kleiner als die erste Korngröße ist. die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 100 μ m, bevorzugt ca. 250 bis 1000 μ m, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 100 pm, bevorzugt ca. 50 µm, aufweist, oder -die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 150 pm, bevorzugt ca. 250 bis 2000 µm, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 150 μ m, bevorzugt ca. 50 pm, aufweist. Vozugsweise werden Cu-ETP und Cu-OF oder Cu-OFE verwendet.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种铜 - 陶瓷基片(1) - 这种KeramiktrÄ GER(2),以及 - 这具有Keramiktr BEAR连接热尔(2)铜层的表面BEAR枝(3 路,一个在背离所述Keramiktr BEAR(GER 2)的;,4),其特征在于,-the铜具有平均第一粒子及oUML层(3.4)的至少一个第一,Keramiktr&AUML亨特面层(5,6) 铜层(3,4)的侧面布置具有平均的第二晶粒尺寸的第二层(7,8),其中 - 第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸e。 第一层(5,6)平均具有大于100μm,优选约250-1000μm的晶粒尺寸,并且第二层(7,8)的平均晶粒尺寸 小于100μm,优选约50μm,或者第一层(5,6)的平均粒度大于150μm,优选约为 250至2000μm,第二层(7,8)的平均粒度小于150μm,优选约50μm。 优选使用Cu-ETP和Cu-OF或Cu-OFE。

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