Abstract:
The present invention is in the field of processes for preparing inorganic metal- or semimetal- containing films. The process comprising (a) depositing a metal- or semimetal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate in contact with a compound of general formula (I), (II), (III), (IV), (V), (VI), or (VII) in the gaseous state (I) (II) (III) (IV).. (V) (VI) (VII) wherein A is NR or O, E is CR'', CNR'' 2 , N, PR'' 2 , or SOR'', G is CR' or N, R is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group and R' and R'' are hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group.
Abstract:
The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. It relates to a process for preparing metal-containing films comprising (a) depositing a metal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate with the deposited metal-containing compound in contact with a compound of general formula (I) wherein Z is a C 2 -C 4 alkylene group, and R is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verminderung oder Verhinderung der Zersetzung einer Zusammensetzung Z enthaltend Z1 ein Salz der dithionigen Säure in einer Menge im Bereich von 50 bis 100 Gew.-% und gegebenenfalls Z2 ein Additiv ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Alkalimetallcarbonat, Erdalkalimetallcarbonat, Alkalimetall- oder Erdalklimetalltripolyphosphat (Na 5 P 3 O 10 ), Alkalimetall- oder Erdalkalimetallsulfit, -disulfit oder -sulfat, Dextrose und Komplexbildner in einer Gesamtmenge im Bereich von 0,0001 bis 40 Gew.-%, worin man die Komponenten Z1 und gegebenenfalls Z2 in festem und/oder trockenen oder in einem Lösungsmittel gelösten oder suspendierten Zustand mit mindestens einer der folgenden Verbindungen V in festem und/oder trockenen oder in einem Lösungsmittel gelösten oder suspendierten Zustand in Berührung bringt, wobei die Verbindungen V ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus: (a) Oxiden der Alkalimetalle Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, oder des Magnesiums, (b) Natriumtetrahydroborat (NaBH 4 ), (c) wasserfreies Kupfer(ll)sulfat (Cu(SO 4 )), Phosphorpentoxid und (d) basische Aminosäuren Arginin, Lysin, Histidin, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösungsmittel für Z1, gegebenenfalls Z2 und V praktisch wasserfrei ist.
Abstract:
The invention relates to a process for preparation of chlorine from hydrogen chloride comprising circulating a liquid melt comprising copper ions Cun+with n being a number in the range from 1 to 2, alkali cations and chloride ions Cl in a reactor system comprising three bubble lift reactors I, II and III, each comprising a reaction zone i, ii and iii respectively, wherein: • (a) in the reaction zone i of the first bubble lift reactor I, a liquid melt comprising copper ions Cu n+, alkali cations and chloride ions Cl- is contacted with oxygen at a temperature in the range from 395 to 405 °C so that the molar ratio Cu 2+ : Cu + in the liquid melt increases, obtaining a liquid melt having an increased molar ratio Cu 2+ : Cu + • (b) the liquid melt obtained in (a) is circulated to the reaction zone ii in the second bubble lift reactor II, where the liquid melt is contacted with hydrogen chloride at a temperature in the range from 395 to 405 °C so that water is formed, obtaining a liquid melt being enriched in chloride anions (CI-) compared to the liquid melt obtained according to (a); • (c) circulating the liquid melt obtained in (b) to the reaction zone iii in the third bubble lift reactor III, which is operated at a temperature in the range from 420 to 430 °C so that chlorine (Cl 2 ) is formed, wherein Cl 2 is removed from the reaction zone iii and the third bubble lift reactor III respectively in gaseous form, leaving a liquid melt depleted of Cl-compared to the liquid melt obtained according to (b). The invention further relates to a reactor system comprising three bubble lift reactors I, II and III.
Abstract:
The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. In particular, the present invention relates to a process for producing a silicon-containing film comprising depositing the compound of general formula (I) or (II) onto a solid substrate, wherein R is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, X is an olefinic or aromatic group forming a π bond to the silicon atom, Z is a neutral ligand, and n is 1 or 2.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufreinigung von Alkansulfonsauren, folgende Schritte umfassend: (a) Destillation einer Rohalkansulfonsaure (1) enthaltenden Schmelze zur vollständigen oder teilweisen Abtrennung von Leichtsiedern, wobei die Leichtsieder am Kopf einer Destillationskolonne (3) oder eines einstufigen Verdampfungsapparates abgezogen werden und ein Alkansulfonsäure, Schwersieder und Reste an Leichtsiedern enthaltender Stoffstrom (7) am Sumpf der Destillationskolonne (3) oder des einstufigen Verdampfungsapparates entnommen wird, (b) Zufuhr des Alkansulfonsäure, Schwersieder und Reste an Leichtsiedern enthaltenden Stromes (7) als Ausgangsschmelze in eine Schmelzekristallisation (9), wobei sich Kristalle der Alkansulfonsäure, von Hydraten der Alkansulfonsäure oder einer Mischung aus beiden suspendiert in Mutterlauge bilden, (c) Durchführen einer Fest-Flüssig-Trennung, um die Kristalle aus der Mutterlauge abzutrennen, (d) Gegebenenfalls Waschen der Kristalle, um an den Kristallen anhaftende Mutterlauge zu entfernen.
Abstract:
The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. The present invention relates to a process for preparing metal- or semimetal-containing films comprising (a) depositing a metal- or semimetal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate with the deposited metal- or semimetal-containing compound in contact with a compound of general formula (Ia), (Ib), (Ic), (Id) or (Ie), wherein E is Ti, Zr, Hf, V, Nb, or Ta, L 1 and L 2 is a pentadienyl or a cyclopentadienyl ligand, and X 1 and X 2 is nothing or a neutral ligand, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 20 , R 21 , R 22 , R 23 , R 24 , R 25 , and R 26 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, wherein for compound (Ia), at least one of R 1 to R 10 contains at least one carbon and/or silicon atom and A is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group.
Abstract:
Verwendung einer Nitratsalzzusammensetzung Z enthaltend Z1 mindestens ein Alkalimetallnitrat und gegebenenfalls Erdalkalimetallnitrat sowie Z2 mindestens ein Alkalimetallnitrit und gegebenenfalls Erdalkalimetallnitrit in einer Menge von Z2 im Bereich von 1,1 bis 15,0 mol % bezogen auf die Summe Z1 plus Z2 als Wärmeträger- oder Wärmespeichermedium in Vorrichtungen in welchen diese Wärmeträger- oder Wärmespeichermedien enthalten sind bei einer Temperatur im Bereich von 500 bis 620°C und einem Sauerstoffpartialdruck über der Nitratsalzzusammensetzung im Bereich von 0,1 bis 1,0 atm, dadurch gekennzeichnet, dass für eine aus oben genanntem Bereich ausgewählte gewünschte Temperatur und für einen aus oben genanntem Bereich ausgewählten gewünschten Sauerstoffpartialdruck die molare Menge des Alkalimetallnitrits und gegebenenfalls Erdalkalimetallnitrits mit folgender Formel berechnet wird (Formel I) in welcher die Variablen die folgende Bedeutung haben X Nitrit ist der Molenbruch von Nitrit in einer Nitrit/Nitrat-Mischung, K 6 (T) ist die temperaturabhängige Gleichgewichtskonstante der Reaktion (Formel II) Sauerstoff (Formel III), pO 2 ist der Sauerstoffpartialdruck und T die Temperatur der Nitratsalzzusammensetzung und man gegebenenfalls den errechneten Wert der molaren Konzentration der Komponente Z2 um 40 % vermindert oder um 20 % erhöht und wobei die Nitratsalzzusammensetzung Z bei der ersten Inbetriebnahme besagter Vorrichtungen auf eine maximale Betriebstemperatur im Bereich von 500 bis 620°C erhitzt wird.
Abstract:
The present invention relates to a process for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular an atomic layer deposition process. This process comprises bringing a compound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 ,R 5 , and R 6 are independent of each other hydrogen,an alkyl group,or a trialkylsilyl group, n isan integer from 1 to 3, M is a metal or semimetal, 1 X is a ligand which coordinates M, and m is an integer from 0 to 4.
Abstract:
The present invention is in the field of processes for preparing inorganic metal- or semimetal- containing films. The process for preparing inorganic metal- or semimetal-containing films comprising (a) depositing a metal- or semimetal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate with the deposited metal- or semimetal-containing compound in contact with a compound of general formula (I) or (II) wherein Z is NR2, PR2, OR, SR, CR2, SiR2, X is H, R' or NR'2, wherein at least one X is H, n is 1 or 2, and R and R' is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group.