公开(公告)号：WO01056069A1

公开(公告)日：2001-08-02

申请号：PCT/SE2001/000160

申请日：2001-01-26

IPC分类号： B81B3/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/3063 ,  B81C1/00 ,  H01L41/22

CPC分类号： B81C1/00539 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0139 ,  H01L21/0475

摘要： The invention relates to a method for selective etching of SiC, the etching being carried out by applying a positive potential to a layer (3; 8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC. The invention also relates to a method for producing a SiC micro structure having free hanging parts (i.e. diaphragm, cantilever or beam) on a SiC-substrate, a method for producing a MEMS device of SiC having a free hanging structure, and a method for producing a piezo-resistive pressure sensor comprising the step of applying a positive potential to a layer (8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC.

摘要翻译： 本发明涉及一种选择性蚀刻SiC的方法，该蚀刻是通过向与含有氟离子的蚀刻溶液接触并具有氧化效应的p型SiC层（3; 8）施加正电位而进行的 在SiC上。 本发明还涉及一种用于制造在SiC衬底上具有自由悬挂部分（即膜片，悬臂或光束）的SiC微结构的方法，用于制造具有自由悬挂结构的SiC的MEMS器件的方法，以及用于 制造压阻式压力传感器，包括向与所述氟离子的蚀刻溶液接触并对SiC具有氧化作用的p型SiC层（8）施加正电位的步骤。

公开(公告)号：WO0074932A9

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：PCT/US0014862

申请日：2000-05-30

申请人： PENN STATE RES FOUND ,  FONASH STEPHEN J ,  KALKAN ALI KAAN ,  BAE SANGHOON

发明人： FONASH STEPHEN J ,  KALKAN ALI KAAN ,  BAE SANGHOON

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/12 ,  G01N27/447 ,  H01J49/04 ,  H01J49/16 ,  B32B3/10 ,  C23C10/06 ,  C23C16/06 ,  H05H1/02

CPC分类号： B81C1/0038 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/018 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/121 ,  G01N27/44717 ,  G01N30/6095 ,  H01J49/0418 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/249953

摘要： A novel porous film (3) is disclosed comprising a network of silicon columns in a continuous void which may be fabricated using high density plasma deposition at low temperatures, i.e., less than about 250 DEG C. This silicon film is a two-dimensional nano-sized array of rodlike columns. This void-column morphology can be controlled with deposition conditions and the porosity can be varied up to 90 %. The simultaneous use of low temperature deposition and etching in the plasma approach utilized, allows for the unique opportunity of obtaining columnar structure, a continuous void, and polycrystalline column composition at the same time. Unique devices may be fabricated using this porous continuous film by plasma deposition of this film on a glass, metal foil, insulator or plastic substrates (5).

摘要翻译： 公开了一种新颖的多孔膜（3），其包括连续空隙中的硅柱网络，其可以在低温即低于约250℃下使用高密度等离子体沉积来制造。该硅膜是二维纳米 棒状列的尺寸排列。 这种空隙柱形态可以用沉积条件控制，并且孔隙率可以变化高达90％。 在所采用的等离子体方法中同时使用低温沉积和蚀刻允许在同时获得柱状结构，连续空隙和多晶柱组成的独特机会。 可以使用该多孔连续膜通过将该膜等离子体沉积在玻璃，金属箔，绝缘体或塑料基底（5）上来制造独特的装置。

公开(公告)号：WO2007027907A3

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：PCT/US2006034051

申请日：2006-09-01

申请人： UNIV COLUMBIA ,  VON GUTFELD ROBERT J ,  WEST ALAN C

发明人： VON GUTFELD ROBERT J ,  WEST ALAN C

IPC分类号： C23F1/00 ,  C25F3/02 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/02 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/0142 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  H05K3/068 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/1115

摘要： Systems and methods for etching topographic features in non- crystalline or metallic substrates are provided. A protective material is placed and patterned on a surface of the substrate to define exposed and protected regions of the substrate for etching in a liquid etchant having etching rates that are thermally activated. A nonuniform temperature profile is imposed on the substrate so that the temperatures and hence the etching rates at surfaces in the exposed regions are higher than those in the protected regions. Arrangements for imposing the nonuniform temperature profile include heating designated portions of the substrate with light radiation. Alternatively, the non-uniform temperature profile is developed as etching progresses by passing current pulses through the substrate in a manner that causes geometrically non-uniform heating of the substrate.

摘要翻译： 提供用于蚀刻非晶体或金属基底中的地形特征的系统和方法。 保护材料被放置并图案化在衬底的表面上以限定衬底的暴露和保护区域，以在具有热激活蚀刻速率的液体蚀刻剂中蚀刻。 对基板施加不均匀的温度曲线，使得暴露区域中的表面的温度和蚀刻速率高于受保护区域中的温度。 施加不均匀温度分布的布置包括用光辐射加热衬底的指定部分。 或者，当通过使电流脉冲以导致衬底的几何不均匀加热的方式通过衬底时蚀刻进行蚀刻而开发不均匀的温度分布。

公开(公告)号：WO2007027907A2

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/US2006/034051

申请日：2006-09-01

申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK ,  VON GUTFELD, Robert, J. ,  WEST, Alan, C.

发明人： VON GUTFELD, Robert, J. ,  WEST, Alan, C.

IPC分类号： B05D5/04

CPC分类号： C25F3/02 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/0142 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  H05K3/068 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/1115

摘要： Systems and methods for etching topographic features in non- crystalline or metallic substrates are provided. A protective material is placed and patterned on a surface of the substrate to define exposed and protected regions of the substrate for etching in a liquid etchant having etching rates that are thermally activated. A nonuniform temperature profile is imposed on the substrate so that the temperatures and hence the etching rates at surfaces in the exposed regions are higher than those in the protected regions. Arrangements for imposing the nonuniform temperature profile include heating designated portions of the substrate with light radiation. Alternatively, the non-uniform temperature profile is developed as etching progresses by passing current pulses through the substrate in a manner that causes geometrically non-uniform heating of the substrate.

摘要翻译： 提供用于蚀刻非晶体或金属基底中的地形特征的系统和方法。 保护材料被放置并图案化在衬底的表面上以限定衬底的暴露和保护区域，以在具有热激活蚀刻速率的液体蚀刻剂中蚀刻。 对基板施加不均匀的温度曲线，使得暴露区域中的表面的温度和蚀刻速率高于受保护区域中的温度。 施加不均匀温度分布的布置包括用光辐射加热衬底的指定部分。 或者，当通过使电流脉冲以导致衬底的几何不均匀加热的方式通过衬底时蚀刻进行蚀刻而开发不均匀的温度分布。

公开(公告)号：WO2010134302A2

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/JP2010003253

申请日：2010-05-13

申请人： CANON KK ,  CHANG CHIENLIU

发明人： CHANG CHIENLIU

IPC分类号： B06B1/02

CPC分类号： B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0139

摘要： A capacitive electromechanical transducer includes a substrate, a cavity formed by a vibrating membrane held above the substrate with a certain distance between the vibrating membrane and the substrate by supporting portions arranged on the substrate, a first electrode whose surface is exposed to the cavity, and a second electrode whose surface facing the cavity is covered with an insulating film, wherein the first electrode is provided on a surface of the substrate or a lower surface of the vibrating membrane and the second electrode is provided on a surface of the vibrating membrane or a surface of the substrate so as to face the first electrode. In this transducer, fine particles composed of an oxide film of a substance constituting the first electrode are arranged on the surface of the first electrode, and the diameter of the fine particles is 2 to 200 nm.

摘要翻译： 一种电容式机电换能器，包括基板，由振动膜形成的空腔，该振动膜通过支撑布置在基板上的部分而在振动膜和基板之间具有一定距离而保持在基板上方，其表面暴露于空腔中的第一电极， 面向空腔的表面的第二电极被绝缘膜覆盖，其中第一电极设置在基板的表面或振动膜的下表面上，第二电极设置在振动膜的表面上或 基板的表面以面对第一电极。 在该换能器中，由构成第一电极的物质的氧化物膜构成的微粒子配置在第一电极的表面上，微粒的直径为2〜200nm。

公开(公告)号：WO02081363A3

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/DE0200608

申请日：2002-02-21

申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

发明人： BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01F1/699

CPC分类号： B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).

摘要翻译： 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。

公开(公告)号：WO2002081363A2

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：PCT/DE2002/000608

申请日：2002-02-21

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

发明人： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

IPC分类号： B81B3/00

CPC分类号： B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

摘要： Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 700), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Wärmeleitsensor, das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, und einen Sensorbereich (404) aufweist. Zur kostengüngstigen Herstellung einer thermischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat (101) und dem Sensorbereich (404) wird erfindungsgemäss eine poröse Schicht (104; 501) in dem Halbleiterbauelement (100; ...; 700) vorgesehen.

摘要翻译： 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。