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    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND MIKROMECHANISCHES BAUTEIL
    1.
    发明申请
    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND MIKROMECHANISCHES BAUTEIL 审中-公开
    用于微机械结构和微机械结构

    公开(公告)号：WO2015104086A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/EP2014/075131

    申请日：2014-11-20

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： LUTZ, Theresa ,  HEUCK, Friedjof

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil, das wenigstens die folgenden Schritte umfasst: Herausstrukturieren einer Grundstruktur (10) mindestens einer Komponente des mikromechanischen Bauteils aus zumindest einer kristallinen Schicht (12) eines Substrats mittels eines kristallorientierungs-unabhängigen Ätzschritts, und Herausarbeiten mindestens einer Fläche (18) einer definierten Kristallebene (20) aus der Grundstruktur (10) der mindestens einen Komponente mittels eines kristallorientierungs-abhängigen Ätzschritts, wobei der kristallorientierungs- abhängige Ätzschritt ausgeführt wird, für welchen die jeweilige definierte Kristallebene (20), nach welcher die mindestens eine an der Grundstruktur (10) herausgearbeitete Fläche (18) ausgerichtet wird, von allen Kristallebenen die niedrigste Ätzrate aufweist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，至少包括以下步骤：除去由晶体取向无关的蚀刻步骤来图案化的基本结构（10）的基板的至少一个晶体层（12）的微机械部件中的至少一个部件，并且工作了至少一个 所述至少一个部件的基底结构（10）的确定的晶体平面（20）的表面（18）由一个晶体取向相关的蚀刻步骤，其中进行的晶体取向相关的蚀刻步骤中，用于所述相应所定义的晶面（20），根据该至少 一个在基本结构（10）计算出表面（18）对齐，有所有晶面的最低的蚀刻速率。 此外，本发明涉及一种微机械部件。

    MICRONEEDLE STRUCTURES AND CORRESPONDING PRODUCTION METHODS EMPLOYING A BACKSIDE WET ETCH
    3.
    发明申请
    MICRONEEDLE STRUCTURES AND CORRESPONDING PRODUCTION METHODS EMPLOYING A BACKSIDE WET ETCH 审中-公开
    麦克风结构和相应的生产方法

    公开(公告)号：WO2008114252A2

    公开(公告)日：2008-09-25

    申请号：PCT/IL2008/000374

    申请日：2008-03-18

    Applicant: NANOPASS TECHNOLOGIES LTD ,  YESHURUN, Yehoshua

    Inventor： YESHURUN, Yehoshua

    IPC: H01L21/8242

    CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  Y10T428/13

    Abstract: A method for forming a hollow microneedle structure includes processing the front side of a wafer (10) to form at least one microneedle (30) projecting from a substrate with a first part (18) of a through-bore, formed by a dry etching process, passing through the microneedle and through a part of a thickness of the substrate. The backside of the wafer (10) is also processed to form a second part (16) of the through-bore by a wet etching process.

    Abstract translation: 一种用于形成中空微针结构的方法包括处理晶片（10）的前侧以形成至少一个从基板突出的微针（30），所述微针具有通过干蚀刻形成的通孔的第一部分（18） 过程中，穿过微针并穿过衬底的厚度的一部分。 晶片（10）的背面也被处理以通过湿蚀刻工艺形成通孔的第二部分（16）。

    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING STRUCTURES USING CHEMICALLY SELECTIVE ENDPOINT DETECTION
    4.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING STRUCTURES USING CHEMICALLY SELECTIVE ENDPOINT DETECTION 审中-公开
    使用化学选择性终点检测来制造结构的方法和设备

    公开(公告)号：WO2003005420A2

    公开(公告)日：2003-01-16

    申请号：PCT/US2002/020452

    申请日：2002-06-26

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

    Inventor： PETERSON, Jeffrey ,  HUNT, Charles

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/30608

    Abstract: One embodiment of the present invention provides a process for selective etching during semiconductor manufacturing. The process starts by receiving a silicon substrate with a first layer composed of a first material, which is covered by a second layer composed of a second material. The process then performs a first etching operation that etches some but not all of the second layer, so that a portion of the second layer remains covering the first layer. Next, the system performs a second etching operation to selectively etch through the remaining portion of the second layer using a selective etchant. The etch rate of the selective etchant through the second material is faster than an etch rate of the selective etchant through the first material, so that the second etching operation etches through the remaining portion of the second layer and stops at the first layer.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例提供了用于在半导体制造期间选择性蚀刻的工艺。 该工艺通过接收具有由第一材料构成的第一层的硅衬底开始，该第一材料被由第二材料组成的第二层覆盖。 该过程然后执行蚀刻一些但不是全部第二层的第一蚀刻操作，使得第二层的一部分保持覆盖第一层。 接着，系统执行第二蚀刻操作以使用选择性蚀刻剂选择性地蚀刻穿过第二层的剩余部分。 通过第二材料的选择性蚀刻剂的蚀刻速率比通过第一材料的选择性蚀刻剂的蚀刻速率快，使得第二蚀刻操作蚀刻通过第二层的剩余部分并停止在第一层。 p>

    HIGH ASPECT RATIO DENSE PATTERN-PROGRAMMABLE NANOSTRUCTURES UTILIZING METAL ASSISTED CHEMICAL ETCHING
    6.
    发明申请
    HIGH ASPECT RATIO DENSE PATTERN-PROGRAMMABLE NANOSTRUCTURES UTILIZING METAL ASSISTED CHEMICAL ETCHING 审中-公开
    使用金属辅助化学蚀刻的高比例渗透模式可编程纳米结构

    公开(公告)号：WO2014152435A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：PCT/US2014/027338

    申请日：2014-03-14

    Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY

    Inventor： SAKDINAWAT, Anne, Eugenie ,  CHANG, Chieh

    IPC: C23F1/00 ,  C23F1/44

    CPC classification number: C23F1/02 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0133 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/1857 ,  G03F7/0005 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/067

    Abstract: A method of ultra-high aspect ratio high resolution vertical directionality controlled metal- assisted chemical etching, V-MACE, is provided that includes forming a pattern on a substrate surface, using a lithographic or non-lithographic process, forming hole concentration balancing structures on the substrate, using a lithographic process or non- lithographic process, where the concentration balancing structures are proximal to the pattern, forming mechanical anchors internal or external to the patterned structures, forming pathways for etchant and byproducts to diffuse, and etching vertical features from the substrate surface into the substrate, using metal-assisted chemical etching, MACE, where the vertical features are confined to a vertical direction by the concentration balancing structures.

    Abstract translation: 提供了一种超高纵横比高分辨率垂直方向性控制的金属辅助化学蚀刻V-MACE的方法，其包括使用光刻或非平版印刷工艺在基板表面上形成图案，形成孔浓度平衡结构 基板，其使用光刻工艺或非平版印刷工艺，其中浓度平衡结构靠近图案，在图案化结构的内部或外部形成机械锚，形成用于蚀刻剂和副产物扩散的途径，并从垂直特征 衬底表面进入衬底，使用金属辅助化学蚀刻MACE，其中垂直特征通过浓度平衡结构限制在垂直方向。

    멤스 디바이스 제조방법
    7.
    发明申请
    멤스 디바이스 제조방법 审中-公开
    MEMS器件制造方法

    公开(公告)号：WO2014119810A1

    公开(公告)日：2014-08-07

    申请号：PCT/KR2013/000832

    申请日：2013-02-01

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 임성규 ,  김영수 ,  김희연 ,  강민호 ,  오재섭 ,  이귀로

    IPC: B81B1/00

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133

    Abstract: 비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.

    Abstract translation: 提供了使用非晶碳膜作为牺牲层的MEMS器件制造方法。 根据本发明的实施例，形成下部结构。 在下部结构上形成无定形碳膜作为牺牲层。 在非晶碳膜上形成包括传感器结构的上部结构。 去除非晶碳膜，使得下部结构和上部结构彼此间隔开。

    METHOD OF PRODUCING MICRONEEDLES
    8.
    发明申请
    METHOD OF PRODUCING MICRONEEDLES 审中-公开
    微胶囊的生产方法

    公开(公告)号：WO2011015650A2

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：PCT/EP2010/061477

    申请日：2010-08-06

    Applicant: O'MAHONY, Conor ,  O'BRIEN, Joseph ,  BLAKE, Alan ,  WEBSTER, Carlo ,  UNIVERSITY COLLEGE CORK, NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK

    Inventor： O'MAHONY, Conor ,  O'BRIEN, Joseph ,  BLAKE, Alan ,  WEBSTER, Carlo

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0133

    Abstract: A method of forming a microneedle device comprises the steps of coating the front and back surfaces of a substrate with a protective masking material, patterning the protective masking material to form a protective mask on the front surface of the substrate and an opening in the protective masking material on the back surface of the substrate, and simultaneously wet-etching both front and back surfaces of the substrate to provide a generally conical microneedle on the front surface of the substrate and a generally conical pit on the back surface of the substrate. The dimensions and location of the protective mask and opening are chosen so that the pyramidal pit extends from the back surface to intersect the front surface of the substrate, generally on, or adjacent to, a surface of the conical microneedle. Thus, a through-hole is formed in the substrate providing fluid communication from a rear of the substrate to a location on the front surface of the substrate, either on the microneedle surface or adjacent to a base of the microneedle.

    Abstract translation: 一种形成微针装置的方法包括以下步骤：用保护性掩膜材料涂覆衬底的前表面和后表面，图案化保护性掩膜材料以在所述衬底的前表面上形成保护性掩膜 衬底和在衬底背面上的保护性掩模材料中的开口，同时湿法蚀刻衬底的前后表面以在衬底的前表面上提供大致圆锥形的微针，并且在衬底的前表面上提供大致圆锥形的凹坑 衬底的背面。 选择防护掩模和开口的尺寸和位置，使得金字塔形凹坑从后表面延伸以与基底的前表面相交，大体在圆锥形微针的表面上或与圆锥形微针的表面相邻。 因此，在基底中形成通孔，该通孔提供从基底后部到基底前表面上的位置的微通道表面上或邻近微针基部的流体连通。

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