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    LOW-TEMPERATURE FORMATION OF SILICON AND SILICON OXIDE STRUCTURES
    2.
    发明申请
    LOW-TEMPERATURE FORMATION OF SILICON AND SILICON OXIDE STRUCTURES 审中-公开
    低温形成硅和氧化硅结构

    公开(公告)号：WO2016018144A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/NL2015/050535

    申请日：2015-07-22

    申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT

    发明人： ISHIHARA, Ryoichi ,  TRIFUNOVIC, Miki ,  VAN DER ZWAN, Michiel

    IPC分类号： C23C18/12 ,  C08G77/60 ,  C09D4/00 ,  C09D183/16 ,  C23C18/14

    CPC分类号： C23C18/122 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/14

    摘要： A method for low-temperature formation of a silicon/silicon-oxide structure on a substrate is described wherein the method comprises: forming a first (poly)silane layer over at least part of a substrate; transforming said first (poly)silane layer directly into a (crystalline) silicon layer by exposing said first (poly)silane layer to UV radiation comprising one or more wavelengths within the range between 100 and 450 nm; forming a second (poly)silane layer over at least part of said substrate; and, transforming said second (poly)silane layer directly into a silicon oxide layer by exposing said second (poly)silane layer to oxygen and/or ozone and to UV light comprising one or more wavelengths within the range between 100 and 450 nm.

    摘要翻译： 描述了在衬底上低温形成硅/氧化硅结构的方法，其中所述方法包括：在至少部分衬底上形成第一（多）硅烷层; 通过将所述第一（多）硅烷层暴露于包含100至450nm范围内的一个或多个波长的UV辐射，将所述第一（多）硅烷层直接转化为（晶体）硅层; 在所述衬底的至少一部分上形成第二（多）硅烷层; 并且通过将所述第二（多）硅烷层暴露于氧和/或臭氧以及包括在100至450nm范围内的一个或多个波长的UV光，将所述第二（多）硅烷层直接转化为氧化硅层。

    ガスバリア性フィルムの製造方法
    5.
    发明申请
    ガスバリア性フィルムの製造方法 审中-公开
    制造气体阻隔膜的方法

    公开(公告)号：WO2014109353A1

    公开(公告)日：2014-07-17

    申请号：PCT/JP2014/050215

    申请日：2014-01-09

    申请人： コニカミノルタ株式会社

    发明人： 近藤　麻衣子

    IPC分类号： B32B9/00 ,  B05D1/36 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24

    CPC分类号： C08J7/06 ,  B05D3/066 ,  B32B9/00 ,  C08J7/045 ,  C08J2300/22 ,  C08J2367/02 ,  C08J2400/22 ,  C08J2483/08 ,  C23C18/122 ,  C23C18/14 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

    摘要： 本発明は、保存安定性に優れるガスバリア性フィルムの製造方法を提供することを目的とする。本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、（ａ）基材上に、下記一般式（１）で示される構造を有するケイ素化合物を含有する未改質層Ａを形成し、（ｂ）前記未改質層Ａ上に、酸素元素または窒素元素を有する化合物を含む層Ｂを形成し、さらに（ｃ）前記層Ｂ側を介して真空紫外光を照射して、未改質層Ａを改質することを特徴とする。一般式（１）： －［Ｓｉ（Ｒ １ ）（Ｒ ２ ）－Ｎ（Ｒ３）］ｎ－

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种显示优异的储存稳定性的阻气膜的制造方法。 该阻气膜的制造方法的特征在于：（a）在基板上形成含有具有通式（1）〜[Si（R 1）]表示的结构的硅化合物的未改性层（A） （R 2）-N（R 3）] N-; （b）在未改性层（A）上形成含有氧元素或氮元素的化合物的层（B）; 和（c）用来自层（B）侧的真空紫外光照射得到的层压体，以修饰未改性层（A）。

    導電膜形成方法及び焼結進行剤
    7.
    发明申请
    導電膜形成方法及び焼結進行剤 审中-公开
    形成导电薄膜和烧结促进剂的方法

    公开(公告)号：WO2014006934A1

    公开(公告)日：2014-01-09

    申请号：PCT/JP2013/055417

    申请日：2013-02-28

    申请人： 石原薬品株式会社

    发明人： 川戸　祐一 ,  宮本　一誠 ,  前田　祐介 ,  工藤　富雄

    IPC分类号： H01B13/00 ,  H05K3/12

    CPC分类号： H01B13/003 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01B1/026 ,  H01B13/322 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/1476

    摘要： 　光焼結を用いた導電膜形成方法において、電気抵抗が低い導電膜を容易に形成する。　光焼結を用いて導電膜を形成する導電膜形成方法であって、銅微粒子分散液から成る液膜２を基板１上に成膜する工程と、液膜２を乾燥して銅微粒子層３を形成する工程と、銅微粒子層３を光焼結して導電膜４を形成する工程と、導電膜４に焼結進行剤５を付着させる工程と、焼結進行剤５を付着させた導電膜４をさらに光焼結する工程とを有する。焼結進行剤５は、金属銅から銅酸化物を除去する化合物である。これにより、焼結進行剤５が導電膜４内の銅微粒子２１の表面酸化皮膜を除去する。

    摘要翻译： 在使用光烧结形成导电膜的方法中，容易形成具有低电阻的导电膜。 这种形成导电膜的方法，其中使用光学烧结形成导电膜，包括：在基板（1）上形成液膜（2）的步骤，所述液膜（2）由铜微粒形成 分散液 通过干燥所述液膜（2）形成铜微粒层（3）的步骤; 通过对铜微粒层（3）进行光烧结而形成导电膜（4）的工序; 将烧结促进剂（5）粘附到导电膜（4）上的步骤; 以及对烧结促进剂（5）附着的导电膜（4）进行附加的光学烧结的工序。 烧结促进剂（5）是从铜金属中除去氧化铜的化合物。 因此，烧结促进剂（5）从导电膜（4）内的铜微粒（21）除去表面氧化膜。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DÜNNER ELEKTRISCH LEITFÄHIGER SCHICHTEN AUS SILBER, EINE SILBER-SCHICHT, EINEN SILBERKOMPLEX, DESSEN LÖSUNG SOWIE EINE VERWENDUNG DES SILBERKOMPLEXES IN EINER LÖSUNG
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DÜNNER ELEKTRISCH LEITFÄHIGER SCHICHTEN AUS SILBER, EINE SILBER-SCHICHT, EINEN SILBERKOMPLEX, DESSEN LÖSUNG SOWIE EINE VERWENDUNG DES SILBERKOMPLEXES IN EINER LÖSUNG 审中-公开
    法生产薄导电，银，一银层，银复杂，解决方案和银络合物在溶液中使用

    公开(公告)号：WO2013010858A1

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：PCT/EP2012/063504

    申请日：2012-07-10

    申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN ,  FRITSCH, Julia ,  SCHUMM, Benjamin ,  GROTHE, Julia ,  KASKEL, Stefan

    发明人： FRITSCH, Julia ,  SCHUMM, Benjamin ,  GROTHE, Julia ,  KASKEL, Stefan

    IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  C09D5/24

    CPC分类号： H01B1/02 ,  C23C18/08 ,  C23C18/14 ,  H01B1/22

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten, elektrisch leitfähige Schichten, einen Silberkomplex und eine Lösung des Silberkomplexes sowie die Verwendung einer Silberkomplex-Lösung. Bei einem Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten wird in einem ersten Verfahrensschritt Silbernitrat und 2-Pyrrolidon in einem Lösungsmittel, bevorzugt Wasser oder einem Ethanol- Wassergemisch gelöst und dabei durch Komplexierung die Bildung von [Ag(Pyl) 2 ]NO 3 erfolgt. In einem zweiten Verfahrensschritt wird die Lösung auf eine Oberfläche des zu beschichtenden Substrats aufgebracht und dann in einem dritten Verfahrensschicht eine chemische Reduktion, die zur Trennung von Silber von den anderen enthaltenen chemischen Komponenten führt, durch eine Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des UV-Lichts über einen Zeitraum von mindestens 15 min durchgeführt. Im Anschluss daran wird bei einem vierten Verfahrensschritt eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von maximal 500 °C, bevorzugt bei 220 °C über einen Zeitraum von mindestens 30 min, bevorzugt 60 min durchgeführt und dabei eine zumindest nahezu ausschließlich aus Silber gebildete Schicht auf der Oberfläche des Substrats erhalten.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于基片，导电层，一个银络合物和银络合物的溶液和使用银复合物溶液中的表面上产生银的薄的导电层。 在用于在第一处理步骤中的底物的表面上产生银的薄的导电层的方法是硝酸银和在溶剂中，优选溶解水-2-吡咯烷酮或乙醇 - 水混合物中，并由此通过络合的形成将[Ag（PYL） 2] NO3被执行。 在第二工艺步骤中，将溶液施加到基片的表面被涂布，然后在第三层中，化学还原，从而导致银的分离从其它含有化学成分，通过照射用电磁辐射在紫外线的波长谱 光在一个周期内进行至少15分钟的。 历时至少30分钟，优选，60分钟接着，在第四方法步骤，在500℃的最高温度下的热处理，优选在220℃下，并由此一个的表面上形成至少实际上仅银层的 得到的基板。