公开(公告)号：WO2004046427A1

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：PCT/IB2003/005281

申请日：2003-11-20

申请人： ELEMENT SIX LIMITED ,  KEMP, Mark ,  GODFRIED, Herman, Philip ,  SCARSBROOK, Geoffrey, Alan ,  TWITCHEN, Daniel, James ,  HOUWMAN, Evert, Pieter ,  NELISSEN, Wilhelmus, Gerarda, Maria ,  WHITEHEAD, Andrew, John ,  HALL, Clive, Edward ,  MARTINEAU, Philip, Maurice

发明人： GODFRIED, Herman, Philip ,  SCARSBROOK, Geoffrey, Alan ,  TWITCHEN, Daniel, James ,  HOUWMAN, Evert, Pieter ,  NELISSEN, Wilhelmus, Gerarda, Maria ,  WHITEHEAD, Andrew, John ,  HALL, Clive, Edward ,  MARTINEAU, Philip, Maurice

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： C30B29/04 ,  C01B32/25 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C30B9/00 ,  C30B19/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B25/205 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  G02B1/002 ,  G02B1/02

摘要： A CVD single crystal diamond material suitable for use in, or as, an optical device or element. It is suitable for use in a wide range of optical applications such as, for example, optical windows, laser windows, optical reflectors, optical refractors and gratings, and etalons. The CVD diamond material is produced by a CVD method in the presence of a controlled low level of nitrogen to control the development of crystal defects and thus achieve a diamond material having key characteristics for optical applications.

摘要翻译： 适用于光学元件或元件的CVD单晶金刚石材料。 它适用于各种各样的光学应用，例如光学窗口，激光窗口，光反射器，光折射器和光栅以及标准具。 CVD金刚石材料通过CVD方法在受控低水平的氮气存在下产生，以控制晶体缺陷的发展，从而获得具有光学应用关键特性的金刚石材料。

公开(公告)号：WO2013130873A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/US2013/028406

申请日：2013-02-28

申请人： GROUP4 LABS, INC.

发明人： FRANCIS, Daniel ,  FALLI, Firooz ,  MATTHEWS, Kristopher ,  LOWE, Frank, Yantis ,  DIDUCK, Quentin ,  ZAYTSEV, Sergey ,  EJECKHAM, Felix

IPC分类号： C30B23/00

CPC分类号： C30B25/16 ,  C23C16/271 ,  C23C16/463 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/187 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A method for integrating wide-gap semiconductors, and specifically, gallium nitride epilayers, with synthetic diamond substrates is disclosed. Diamond substrates are created by depositing synthetic diamond onto a nucleating layer deposited or formed on a layered structure that comprises at least one layer of gallium nitride. Methods for manufacturing GaN-on-diamond wafers with low bow and high crystalline quality are disclosed along with preferred choices for manufacturing GaN-on-diamond wafers and chips tailored to specific applications.

摘要翻译： 公开了一种用于将宽间隙半导体，特别是氮化镓外延层与合成金刚石衬底集成的方法。 通过将合成金刚石沉积到沉积或形成在包括至少一层氮化镓的层状结构上的成核层上而形成金刚石基底。 公开了用于制造具有低弓形和高结晶质量的GaN-on-diamond晶片的方法以及针对特定应用定制的用于制造在金刚石GaN晶片和芯片上的优选选择。

公开(公告)号：WO2013128893A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/JP2013/001112

申请日：2013-02-26

申请人： 国立大学法人山口大学

发明人： 古家　大士 ,  東　正信 ,  只友　一行 ,  岡田　成仁 ,  山根　啓輔

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/303 ,  C30B25/186 ,  C30B25/205 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： 半導体装置の製造方法では、ベース基板(10)の基板表面(11)における結晶成長面部分(11b)を起点としてIII-Ｖ族化合物半導体を層状に結晶成長させることにより主面が非極性面又は半極性面であるIII-Ｖ族化合物半導体層(20)を形成する半導体層形成工程において、III-Ｖ族化合物半導体層(20)を厚さ１００μｍ以上に形成する。

摘要翻译： 半导体器件的制造方法包括使用基板表面上的晶体生长面部（11b）作为起点，诱导III-V族化合物半导体的层叠晶体生长的半导体层形成工序， 11），从而形成具有主表面为非极性表面或半极性表面的III-V族化合物半导体层（20）。 III-V族化合物半导体层（20）的厚度至少为100μm。

公开(公告)号：WO2016068244A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/JP2015/080571

申请日：2015-10-29

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  住友電工ハードメタル株式会社

发明人： 西林　良樹 ,  植田　暁彦 ,  小林　豊

IPC分类号： C30B29/04 ,  C23C16/27

CPC分类号： C30B29/04 ,  C01B32/26 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  C30B25/205 ,  G01K11/18 ,  G02B5/208

摘要： 　単結晶ダイヤモンド材料は、４１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長の光の透過率がいずれの波長においても１５％以下であり、かつ、光学的評価による電気絶縁体および電気的評価による電気絶縁体の少なくともいずれかである。ここで、光学的評価は１０．６μｍの波長の光の透過率を１％以上とすることができ、電気的評価は平均抵抗率を１×１０ 6 Ωｃｍ以上とすることができる。これにより、可視光領域の全領域の光の透過率が低く黒色を呈する単結晶ダイヤモンド材料が提供される。

摘要翻译： 该波长为410-750nm的光的透射率对于任何波长为15％以下的单晶金刚石材料是根据光学评估的电绝缘体和/或根据电气的电绝缘体 评价。 这里，在光学评价中，波长10.6μm的光的透射率可以构成为1％以上，在电气评价中，平均电阻率可以构成为1×10 6Ωcm以上。 这使得可以提供在所有可见光区域中具有低透光率并呈现黑色的单晶金刚石材料。

公开(公告)号：WO2015193155A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2015/062957

申请日：2015-06-10

申请人： ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED

发明人： BRANDON, John, Robert ,  FRIEL, Ian ,  COOPER, Michael, Andrew ,  SCARSBROOK, Geoffrey, Alan ,  GREEN, Ben, Llewlyn

IPC分类号： H01J37/32 ,  C30B29/04

CPC分类号： H01J37/32201 ,  C23C16/274 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32284 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

摘要： A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material via chemical vapour deposition, the microwave plasma reactor comprising: a plasma chamber defining a resonant cavity for supporting a primary microwave resonance mode having a primary microwave resonance mode frequency f; a plurality of microwave sources coupled to the plasma chamber for generating and feeding microwaves having a total microwave power Ρτ into the plasma chamber; a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom; and a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, wherein the plurality of microwave sources are configured to couple at least 30% of the total microwave power Ρτ into the plasma chamber in the primary microwave resonance mode frequency f, and wherein at least some of the plurality of microwave sources are solid state microwave sources.

摘要翻译： 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：等离子体室，其限定用于支撑具有初级微波谐振模式频率f的初级微波谐振模式的谐振腔; 耦合到等离子体室的多个微波源，用于产生并馈送具有总微波功率Pτ的微波进入等离子体室; 用于将工艺气体进料到等离子体室中并从中除去它们的气体流动系统; 以及衬底保持器，其设置在所述等离子体室中并且包括用于支撑在其上沉积所述合成金刚石材料的衬底的支撑表面，其中所述多个微波源被配置为耦合所述总微波功率的至少30％ 在初级微波谐振模式频率f中将P P注入到等离子体室中，并且其中多个微波源中的至少一些是固态微波源。

公开(公告)号：WO2017036543A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2015/070184

申请日：2015-09-03

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

发明人： NEBEL, Christoph E. ,  MÜLLER-SEBERT, Wolfgang

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/274 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32743

摘要： Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsanlage (1), enthaltend zumindest einen evakuierbaren Rezipienten (10), zumindest einen Substrathalter (40), welcher zur Aufnahme eines Substrates (4) vorgesehen ist, zumindest eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten (10) einleitbar ist und zumindest eine Plasmaerzeugungseinrichtung (2), welche dazu eingerichtet ist, den Precursor zumindest teilweise zu ionisieren, wobei der Substrathalter (40) verschiebbar ist, so dass dieser von einer Arbeitsposition in eine Ruheposition bringbar ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrates, bei welchem das Substrat (4) mit einem Substrathalter (40) in einen evakuierbaren Rezipienten (10) eingebracht wird, mit zumindest einer Gaszufuhreinrichtung zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten (10) eingeleitet wird und mit zumindest einer Plasmaerzeugungseinrichtung (2) der Precursor zumindest teilweise ionisiert wird, wobei das Plasma (25) gezündet wird, so lange sich der Substrathalter (40) mit dem Substrat (4) in einer Ruheposition befindet und der Substrathalter (40) nach einer vorgebbaren Zeitspanne in eine Arbeitsposition bewegt wird

摘要翻译： 本发明涉及一种涂覆设备（1），包括至少一个抽真空的真空室（10），至少一个衬底保持器（40），其是用于接收一个基板（4）被设置，至少一个气体供给装置，借助该至少一个的气态前体到受体（ 10）可以被引入和至少一种等离子体发生装置（2），其适于至少以电离所述前体部，其中，所述衬底保持器（40）是可移动的，以便它可以从工作位置移动到静止位置提起。 此外，本发明涉及一种用于涂覆基片，其中，在可抽空的真空室中的基板（4）的衬底支架（40）（10）被引入，与至少一个气体供应装置至少一种气态前体到受体（10）被引入 和前体，只要该衬底保持器（40）在静止位置和所述衬底保持器（40）在基板（4）根据一个是至少具有至少一个等离子体生成装置（2），其中，所述等离子体（25）被点燃部分电离 预定的时间段被移动到一个工作位置

公开(公告)号：WO2016124948A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/GB2016/050279

申请日：2016-02-05

申请人： ECOTRICITY GROUP LIMITED

发明人： VINCE, Dale

IPC分类号： C01B31/06 ,  C12P5/02 ,  C30B29/04 ,  C25B1/04 ,  C07C1/12

CPC分类号： C30B29/04 ,  B28D5/00 ,  C01B32/25 ,  C01B32/50 ,  C12P5/023 ,  C25B1/04 ,  C25B1/10 ,  C25B3/04 ,  C25B15/08 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B35/007 ,  Y02E50/343 ,  Y02E60/366

摘要： A method of producing a synthetic diamond is disclosed, the method comprising chemical vapour deposition (CVD) of methane and hydrogen, wherein the methane is obtained by reacting carbon dioxide with water or hydrogen, and the hydrogen is obtained by electrolysis of water.

摘要翻译： 公开了一种生产合成金刚石的方法，该方法包括甲烷和氢气的化学气相沉积（CVD），其中甲烷是通过使二氧化碳与水或氢反应获得的，氢气是通过电解电解获得的。

公开(公告)号：WO2016074965A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/EP2015/075438

申请日：2015-11-02

申请人： ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED

发明人： FRIEL, Ian ,  WILLIAMS, Gruffudd Trefor ,  EDMONDS, Andrew Mark

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B25/205

摘要： A single crystal CVD synthetic diamond product comprising: a flat base; a tip; sloped side walls extending between the flat base and the tip; and a thickness from the flat base to the tip of at least 1.3mm, wherein the flat base forms a plane which lies within 20 o of a {110} crystallographic plane, and wherein dislocation defects extend through the single crystal CVD synthetic diamond product in a direction from the flat base to the tip with an average direction of the dislocation defects lying within 20 o of a direction perpendicular to the plane of the flat base.

摘要翻译： 一种单晶CVD合成金刚石产品，包括：平底; 一个提示; 倾斜的侧壁在平底座和尖端之间延伸; 并且从平坦基部到尖端的厚度至少为1.3mm，其中平坦基部形成位于{110}晶面的20o内的平面，并且其中位错缺陷通过单晶CVD合成金刚石产品延伸到 方向从平底部到尖端，位错缺陷的平均方向位于垂直于平底的平面的方向的20°内。

公开(公告)号：WO2016149934A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/CN2015/075115

申请日：2015-03-26

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 王浩敏 ,  唐述杰 ,  卢光远 ,  吴天如 ,  姜达 ,  丁古巧 ,  张学富 ,  谢红 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC分类号： C30B29/02 ,  C30B25/00 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B25/205 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/28 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02

摘要： 一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：提供一绝缘衬底，将其放置于生长腔室中；将绝缘衬底加热到预设温度，并向生长腔室中引入含有催化元素的气体；向生长腔室中通入碳源，在绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。该方法通过引入气态催化元素，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，大大降低生长成本，有利于批量生产。得到的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。

公开(公告)号：WO2015071487A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/EP2014/074869

申请日：2014-11-18

申请人： ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED

发明人： MARKHAM, Matthew ,  STACEY, Alastair ,  TWITCHEN, Daniel

IPC分类号： C30B25/18 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B31/22

CPC分类号： C30B31/22 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  C30B29/68 ,  H01L21/042 ,  H01L29/1602

摘要： A single crystal CVD diamond component comprising: a surface, wherein at least a portion of said surface is formed of as-grown growth face single crystal CVD diamond material which has not been polished or etched and which has a surface roughness R a of no more than 100 nm; and a layer of NV - defects, said layer of NV - defects being disposed within 1 μm of the surface, said layer of NV - defects having a thickness of no more than 500 nm, and said layer of NV - defects having a concentration of NV - defects of at least 10 5 NV - /cm 2 .

摘要翻译： 1.一种单晶CVD金刚石组件，包括：表面，其中所述表面的至少一部分由尚未被抛光或蚀刻的生长面单晶CVD金刚石材料形成，并且其表面粗糙度Ra不大于 100nm; 以及一层NV缺陷，所述NV缺陷层设置在表面的1μm内，所述NV-缺陷层具有不大于500nm的厚度，并且所述NV-缺陷层具有浓度为 NV-缺陷至少为105 NV- / cm2。