公开(公告)号：WO2017108400A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/EP2016/080005

申请日：2016-12-07

Applicant: FOGALE NANOTECH

Inventor： PIEL, Jean-Philippe ,  SU, Jeff, WuYu ,  THOUY, Benoit

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06

CPC classification number: G01B11/0675 ,  G01B9/02021 ,  G01B9/02027 ,  G01B9/02044 ,  G01B9/02057 ,  G01B9/02065 ,  G01B9/0209 ,  G01B2210/44 ,  G01B2210/48 ,  G01B2290/35

Abstract: La présente invention concerne un dispositif pour mesurer des hauteurs et/ou des épaisseurs sur un objet de mesure (24) tel qu'un wafer, comprenant (i) un premier interféromètre à faible cohérence agencé pour combiner dans un spectromètre (18) un faisceau optique de référence (17) et un faisceau optique de mesure (16) issu de réflexions de ladite lumière sur des interfaces de l'objet de mesure (24), de sorte à produire un signal de spectre cannelé (41) avec des fréquences de modulations spectrales, (ii) des moyens de déplacement (21) pour faire varier la longueur optique relative des faisceaux optiques de mesure (16) et de référence (17), et des moyens de mesure d'une information de position représentative de ladite longueur optique relative, (iii) des moyens électroniques et de calcul (20) agencés pour déterminer au moins une fréquence de modulation spectrale représentative d'une différence de trajet optique entre le faisceau optique de mesure (16) et le faisceau optique de référence (17), et pour déterminer, en exploitant ladite information de position et ladite au moins une fréquence de modulation spectrale, au moins une hauteur et/ou une épaisseur sur ledit objet de mesure (24), et (iv) des seconds moyens optiques de mesure de distance et/ou d'épaisseur (27) avec un second faisceau de mesure (28) incident sur l'objet de mesure (24) selon une seconde face à l'opposé du faisceau de mesure (16). L'invention concerne aussi un procédé mis en oeuvre dans ce dispositif.

Abstract translation:

公关é感觉发明涉及一种装置，用于测量测量对象上的高度和/或厚度é（24），如晶片，其包含：（i）第一干涉仪éROM＆egrave 成为; 低一致性一致性 用于在光谱仪（18）中组合折射光束（17）和由测量物体的界面上的所述光的反射产生的光学测量光束（16） （24），所以＆agr; 产生信道频谱信号; （41）配有频谱调制的英国的电子序列，（ⅱ）保护设备;放置（21），用于改变在光学测量光束的光学长度（16）和r电子网é号（17）， 以及用于测量表示所述相对光学长度的位置信息的装置，（iii）电子和计算装置（20），用于确定至少一个频谱调制频率。 表示光学测量光束（16）和所述光读é光束˚Fé号公报（17）之间的差异é号光路的ésentative，和用于解最后，通过利用所述位置信息和所述 至少一个FRéquence频谱调制，至少一个高度和/或上的DE厚度，所述测量对象（24），和（iv）用于测量距离和/或e厚度第二光学装置（ 27）与第二测量光束（28）附带地耦合 测量对象（24）根据第二面（α） 相反＆eacute; 的测量光束（16）。 本发明还涉及一种方法 在这个设备中实现。

公开(公告)号：WO00042383A1

公开(公告)日：2000-07-20

申请号：PCT/US2000/000740

申请日：2000-01-12

IPC: G01B11/06 ,  G01B21/08 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B21/08 ,  G01B2210/44 ,  G01B2210/48

Abstract: A method and apparatus for moving an article relative to and between a pair of distance sensing probes of a thickness measuring apparatus which are spaced apart a known distance D is described. In the method, the article is moved relative to and between the pair of probes in at least one direction in a plane normal to a common measurement axis Ac between the probes. From the measured distance a, the article is moved relative to the probes along the common measurement axis Ac so as to minimize any difference between the measured distance a and a desired distance ad along the common measurement axis Ac between the first probe and a point on the surface of the article nearest to the first probe that intersects the common measurement axis.

Abstract translation: 描述了一种用于相对于间隔开已知距离D的厚度测量装置的一对距离感测探头之间和之间移动物品的方法和装置。 在该方法中，物品在垂直于探针之间的公共测量轴线Ac的平面中的至少一个方向上相对于探针对和之间移动。 从测量的距离a，物品沿着公共测量轴Ac相对于探头移动，以便最小化测量距离a与沿着公共测量轴线的期望距离ad之间的任何差异。第一探测器和点 最接近第一个探针的物体表面与公共测量轴相交。

公开(公告)号：WO2016121265A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/JP2015/085624

申请日：2015-12-21

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 原田　実 ,  高木　裕治 ,  平井　大博

IPC: H01J37/22 ,  G01B15/04 ,  G06T1/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/22 ,  G01B15/04 ,  G01B2210/48 ,  G01N23/22 ,  G06T5/50 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148

Abstract: 　荷電粒子顕微鏡を用いて試料を観察する方法において、複数の検出器で検出された複数の画像について、欠陥部位や回路パターンの視認性を考慮して、複数の画像を混合(合成)するときの重み係数を自動調整し混合して混合画像を生成することを可能とするために、荷電粒子ビームを試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次電子又は反射電子を試料に対して異なる位置に配置した複数の検出器で検出し、異なる位置に配置した複数の検出器ごとに二次電子又は反射電子を検出して得た複数の検出器ごとの試料の複数の画像を混合して混合画像を生成し、生成した混合画像を画面上に表示するようにした。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用带电粒子显微镜观察样品的方法，使得可以从由多个检测器检测到的多个图像产生组合图像，同时可以利用多个检测器中的缺陷位点和电路图案的可视性 考虑多个图像，并且自动调整组合（合成）下的权重系数。 该方法包括：通过将带电粒子束照射到样品上并扫描样品，检测设置在相对于样品的不同位置的多个检测器，从样品产生的二次电子或反射电子; 通过组合来自多个检测器中的每一个的多个样本图像，通过检测设置在不同位置的多个检测器中的每一个检测二次电子或反射电子而产生组合图像; 以及在显示屏幕上显示所生成的组合图像。

公开(公告)号：WO2017067541A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/DE2016/100486

申请日：2016-10-19

Applicant: PRECITEC OPTRONIK GMBH

Inventor： SCHÖNLEBER, Martin

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06

CPC classification number: H01L22/26 ,  G01B11/0625 ,  G01B2210/42 ,  G01B2210/48 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: Bearbeitungsvorrichtung zur kontrollierten beidseitigen Bearbeitung eines Halbleiterwafers (1) weist eine erste drehbar gelagerte Bearbeitungsfläche (2), an der eine Messstelle (5) mit einem ein Fenster (8) mit einer Außenfläche (30) aufweisenden Messkopf (6) zum Aussenden und Empfangen eines Lichtes von einer breitbandigen kohärenten Lichtquelle (17) vorgesehen ist, und eine mit der zweiten Bearbeitungsfläche (2) einen Spalt (4) zur Aufnahme des Halbleiterwafers (1) bildende mit einem Reflektor (7) versehene zweite Bearbeitungsfläche (3) auf, wobei der Spalt (4) ein fluides Bearbeitungsmedium (14) enthält, und wobei die Bearbeitungsvorrichtung (45) so ausgebildet ist, dass während der Bearbeitung der Messkopf (6) und der Reflektor (7) sich derart begegnen können, dass wenigstens ein Teil eines von dem Reflektor (7) zurückreflektierten Lichtes vom Messkopf (6) erfassbar ist, und wobei eine Auswerteeinheit (24) zum Ermitteln einer Dicke des Halbleiterwafers (1) mittels Analysierens von Interferenzen in einem breitbandigen Spektralbereich zwischen von der Außenfläche (30) des Fensters (8) und von dem Reflektor (7) bzw. von den Oberflächen (15, 16) des Halbleiterwafers (1) reflektierten Teilwellen des Lichtes vorgesehen ist.

Abstract translation:

用于半导体晶片的控制双面处理的处理装置（1）具有第一可旋转地安装Bearbeitungsfl BEAR表面（2）到其上的测量点（5）具有一个窗口（8）用的Au ROAD enfl＆AUML; 澈具有用于发射和从宽带KOH接收光BEAR养老金光源（17）的测量头（6）（30）设置，并与第二Bearbeitungsfl BEAR的间隙表面（2）（4）用于容纳所述半导体晶片（1 2）设置有反射器（7），所述间隙（4）包含流体处理介质（14），并且其中所述处理装置（45）形成为使得在 在这样的K＆ouml测量头（6）和所述反射器的处理（7）满足;可在所述反射器（7），用于从所述测量头（6）可以被检测到，并且其中评估单元（24），导航用ckreflektierten光的一个的至少一部分，用于 Ermitte 在通过在金＆的大街之间的宽带光谱范围内分析干扰的装置的厚度的半导体晶片（1）的;在窗口的enfl BEAR表面（30）（8）和（7）从所述反射器或从表面BEAR表面（15，16 ）提供半导体晶片（1）的部分波。

公开(公告)号：WO2016025037A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/US2015/027254

申请日：2015-04-23

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： VUKKADALA, Pradeep ,  SINHA, Jaydeep ,  CHANG, Wei ,  RAO, Krishna

IPC: H01L21/66

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  G01B21/00 ,  G01B2210/48 ,  G03F7/705 ,  G03F9/7026 ,  G06N7/00 ,  G06N99/005

Abstract: Predictive modeling based focus error prediction method and system are disclosed. The method includes obtaining wafer geometry measurements of a plurality of training wafers and grouping the plurality of training wafers to provide at least one training group based on relative homogeneity of wafer geometry measurements among the plurality of training wafers. For each particular training group of the at least one training group, a predictive model is develop utilizing non-linear predictive modeling. The predictive model establishes correlations between wafer geometry parameters and focus error measurements obtained for each wafer within that particular training group, and the predictive model can be utilized to provide focus error prediction for an incoming wafer belonging to that particular training group.

Abstract translation: 公开了基于预测建模的聚焦误差预测方法和系统。 该方法包括获得多个训练晶片的晶片几何测量，并且基于多个训练晶片之间的晶片几何测量的相对均匀性，分组多个训练晶片以提供至少一个训练组。 对于至少一个训练组的每个特定训练组，利用非线性预测建模来开发预测模型。 该预测模型建立晶片几何参数和该特定训练组内的每个晶片获得的聚焦误差测量值之间的相关性，并且该预测模型可用于为属于该特定训练组的输入晶片提供聚焦误差预测。

公开(公告)号：WO2013109733A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/US2013/021912

申请日：2013-01-17

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： TANG, Shouhong

IPC: G01B11/25

CPC classification number: G01B11/254 ,  G01B11/306 ,  G01B2210/44 ,  G01B2210/48 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503

Abstract: The invention provides a new dual-sided Moir wafer analysis system that integrates wafer flatness measurement capability with wafer surface defect detection capability. The invention may be, but is not necessarily, embodied in methods and systems for simultaneously applying phase shifting reflective Moir wafer analysis to the front and back sides of a silicon wafer and comparing or combining the front and back side height maps. This allows wafer surface height for each side of the wafer, thickness variation map, surface nanotopography, shape, flatness, and edge map to be determined with a dual-sided fringe acquisition process. The invention also improves the dynamic range of wafer analysis to measure wafers with large bows and extends the measurement area closer to the wafer edge.

Abstract translation: 本发明提供了一种新的双面Moir晶片分析系统，其将晶片平坦度测量能力与晶片表面缺陷检测能力相结合。 本发明可以但并不一定体现在用于将相移反射Moir晶片分析同时施加到硅晶片的正面和背面并且比较或组合前侧和后侧高度图的方法和系统中。 这允许通过双面条纹获取过程确定晶片每侧的晶片表面高度，厚度变化图，表面纳米形貌，形状，平坦度和边缘图。 本发明还改进了晶片分析的动态范围以测量具有大弓形的晶片并将测量区域延伸到更接近晶片边缘。