Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (10, 100, 150, 200, 250, 300), insbesondere zur schichtweise-additiven Herstellung eines komplexen dreidimensionalen Bauteils (12), mit einer Messeinrichtung (30, 202, 252, 302) zur kontinuierlichen Überwachung von Qualitätskennzahlen, insbesondere der Temperatur und/oder einer chemischen Zusammensetzung einer Schutzgasatmosphäre (24), während der Herstellung des Bauteils (12), wobei die Messeinrichtung (30, 202, 252, 302) und ein Bett (14) mit einem Materialpulver (16) zumindest bereichsweise von einer mit einer Schutzgasatmosphäre (24) befüllten Bearbeitungszelle (22) umgeben sind und das Materialpulver (16) einer obersten Schicht (18) mittels mindestens eines Lasers (32, 204, 254, 304) in einer Schmelzzone (42) örtlich begrenzt auf-schmelzbar ist. Erfindungsgemäß ist die Messeinrichtung (30, 202, 252, 302) den mindestens einen Laser (32, 204, 254, 314) und mindestens einen optischen Sensor (34, 206, 218, 256, 306, 308) zur vorrangigen Erfassung der Qualitätskennzahlen im Bereich der Schmelzzone (42), insbesondere mittels einer Raman-Spektroskopie, aufweist. Infolgedessen lassen sich etwaige Aufbaufehler im Bauteil (12) unverzüglich erkennen, bewerten und ggfls. ressourcensparend korrigieren.
Abstract:
Systems and methods for characterizing one or more properties of a material are disclosed. In some embodiments, the one or more properties include one or more thermal properties of the material, one or more thermoelectric properties of the material, such as the Seebeck or Peltier coefficient, and/or one or more thermomagnetic properties of the material, such as the Lorenz number. In some embodiments, a method of characterizing one or more properties of a sample material (20) comprises heating the sample material (20) and, while heating the sample material, obtaining one or more temperature measurements for at least one surface (18, 24) of the sample material via one or more thermoreflectance probes (30) and obtaining one or more electric measurements for the sample material that correspond in time to the one or more temperature measurements. The method further comprises computing one or more parameters that characterize one or more properties of the sample material based on the measurements.
Abstract:
A temperature-responsive photonic crystal device comprising having a temperature- responsive photonic crystal material, whereby exposure of the device to a temperature above a predetermined threshold temperature is indicated by a detectable change in the device.
Abstract:
A system and method is disclosed that reliably determines the transmissivity of a substrate. By determining the transmissivity of a calibration substrate, for instance, a temperature measuring device can be calibrated. The method and system are particularly well suited for use in thermal processing chambers in which semiconductor wafers are manufactured to give integrated circuit chips.
Abstract:
A spectroscopic system (1) for the detection of the spectal characteristics of the absorption coefficient of an object (50), in particular for the detection of temperature changes in a semiconductor, includes a light source (2) suitable for illumination of the object through an incident light beam and means (20) for the detection of a photocurrent induced by the said illumination. This system includes also an optical subsystem (18) for conveying the light beam on the said object (50), through a micrometrical regulation system (60) of the direction of the incident light beam, so reaching an high spatial resolution.
Abstract:
The temperature of an infrared radiation scattering medium which contains water, for example, biological tissue and paper, cement and clay substrates, is determined by exposing the medium to infrared radiation, measuring the reflected radiation scattered by the medium, comparing the reflected radiation with calibrated values, and evaluating the temperature of the medium from the comparison; the technique provides a means of non-invasive determination of temperature in biological tissue which has utility in medical diagnosis.
Abstract:
Temperature measurement of a silicon wafer is described using the interference between reflections off surfaces of the wafer. In one example, the invention includes a silicon processing chamber, a wafer holder within the chamber to hold a silicon substrate for processing, and a laser directed to a surface of the substrate. A photodetector receives light from the laser that is reflected off the surface directly and through the substrate and a processor determines a temperature of the silicon substrate based on the received reflected light.
Abstract:
L'objet de la présente invention concerne un procédé de mesure optique d'une variation de température d'un objet (O) comportant : une étape d'émission (S1) consistant à 10 émettre en direction dudit objet (O) une première onde électromagnétique incidente (W1_inc) du type Téra hertz, et une étape de mesure (S2) comprenant la mesure (S2_3) à l'aide d'un capteur sensible au rayonnement Téra hertz(20) d'une variation d'amplitude du rayonnement électromagnétique d'une seconde onde électromagnétique (W2_réf, W2_tra) pour déterminer la variation de température dudit objet (O). 15
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (26) zum Überwachen der Temperatur und/oder einer temperaturabhängigen Kenngröße, insbesondere des Brechungsindex oder der Wärmeleitfähigkeit, eines im Strahlengang eines Laserstrahls angeordneten, für Strahlung bei einer Laserwellenlänge λ L bevorzugt im Infrarot-Bereich transmissiven oder teiltransmissiven optischen Elements (9), umfassend: mindestens eine Messlichtquelle (28, 34) zum Erzeugen und Aussenden von Messstrahlung (29) auf das optische Element (9), mindestens einen Detektor (31, 36) zum Detektieren zumindest eines Teils der durch das optische Element (9, 20) hindurch getretenen Messstrahlung (29), sowie eine mit dem Detektor (31, 36) in Verbindung stehende Auswerteeinrichtung (33), welche die der Intensität der detektierten Messstrahlung (29) zugeordnete Temperatur und/oder temperaturabhängige Kenngröße in einem Durchtrittsbereich (37) der Messstrahlung (29) anhand einer vorgegebenen Beziehung zwischen der Intensität der detektierten Messstrahlung (29) und der Temperatur und/oder der temperaturabhängigen Kenngröße in dem Durchtrittsbereich (37) überwacht.
Abstract:
Systems and methods can determine the temperatures and/or emissivities of an object (150) that may be semi-transparent or in an environment (160) with background lighting (152). One such system (100) measures the spectra of background lighting (152); light from a target area while the system (100) illuminates the area, light from the area without illumination, and in some embodiments, light from the area while the system (100) illuminates the back of the object. The spectra are typically measured using at least four wavelength bands. Numerical methods using relative measurements can solve for a temperature and/or spectral emissivity of the object.